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Gaufrette de nitrure de gallium
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| Lieu d'origine | La Chine |
| Nom de marque | zmsh |
| Numéro de modèle | GaN-001 |
gaufrette de GaN de nitrure de gallium de méthode de 2inch HVPE, substrats debout libres de GaN pour le LD, puces de GaN de taille de 10x10mm, gaufrette de HVPE GaN
Au sujet de la caractéristique de GaN présentez
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La demande croissante en capacités de puissance-manipulation ultra-rapides, à hautes températures et élevées a fait l'industrie de semi-conducteur repensent le choix des matières employées comme semi-conducteurs. Par exemple, pendant que les divers dispositifs de calcul plus rapides et plus petits surgissent, l'utilisation du silicium le rend difficile de soutenir la loi de Moore. Mais également gaufrette en électronique de puissance, ainsi de semi-conducteur de GaN est développé pour le besoin. Dû à sa tension claque unique de caractéristiques (haut actuel maximum, haut, et haute fréquence de changement), nitrure GaN de gallium est le matériel unique du choix pour résoudre des problèmes de l'avenir. GaN a basé des systèmes ont l'efficacité de puissance plus élevée, les pertes de puissance de ce fait de réduction, commutent à une plus haute fréquence, de ce fait réduisant la taille et le poids. La technologie de GaN est employée dans de nombreuses applications de haute puissance telles que les alimentations industrielles, du consommateur et de serveur d'énergie, la commande solaire, à C.A. et les inverseurs d'UPS, et les voitures hybrides et électriques. En outre, GaN approprié idéalement aux applications de rf telles que les stations de base, les radars et TV par câble cellulaires infrastructure dans les secteurs de mise en réseau, d'espace et de défense, grâce à sa haute résistance de panne, figure à faible bruit et linéarités élevées.
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2" substrats de GaN | |
| Article | GAN-FS-n | GAN-FS-SI |
| Dimensions | ± 1mm de Ф 50.8mm | |
| Densité de défaut de Marco | Un niveau | ≤ 2 cm-2 |
| Niveau de B | > 2 cm-2 | |
| Épaisseur | 330 µm du ± 25 | |
| Orientation | ± 0.5° du C-axe (0001) | |
| Orientation plate | ± 0.5°, (de 1-100) ± 16,0 1.0mm | |
| Orientation secondaire plate | ± 3°, 8,0 ± 1.0mm (de 11-20) | |
| TTV (variation totale d'épaisseur) | µm ≤15 | |
| ARC | µm ≤20 | |
| Type de conduction | de type n | Semi-isolant |
| Résistivité (300K) | < 0=""> | >106 Ω·cm |
| Densité de dislocation | Moins que 5x106 cm-2 | |
| Superficie utilisable | > 90% | |
| Polonais | Surface avant : Ra < 0=""> | |
| Surface arrière : La terre fine | ||
| Paquet | Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote. | |
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