calibre de substrats de 2inch GaN, gaufrette de GaN pour LeD, gaufrette semi-conductrice de nitrure de gallium pour le LD, calibre de GaN, gaufrette de MOCVD GaN,
Couverture interdite de largeur de bande d'III-nitrure (GaN, AlN, auberge) (luminescente et absorption) l'ultraviolet,
la lumière visible et l'infrared.GaN peuvent être employés dans beaucoup de secteurs tels que l'affichage à LED, Détection de grande énergie
et représentation, affichage de projection de laser, dispositif de puissance, etc.
Caractéristiques :
2" calibres de GaN
Article |
GaN-T-N |
GaN-T-S |
Dimensions |
Ф 2" |
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Épaisseur |
15 μm, 20 μm, 30 μm, μm 40 |
30 μm, μm 90 |
Orientation |
± 1° du C-axe (0001) |
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Type de conduction |
de type n |
Semi-isolant |
Résistivité (300K) |
< 0="">Ω·cm |
>106 Ω·cm |
Densité de dislocation |
Moins que cm2 1x108 |
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Structure de substrat |
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Superficie utilisable |
> 90% |
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Polonais |
Norme : Option de SSP : DSP |
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Paquet |
Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des cassettes de 25pcs ou de conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote. |
- FAQ –
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