Envoyer le message
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Courrier : eric_wang@zmsh-materials.com Téléphone : 86-1580-1942596
Maison > PRODUITS > Gaufrette de nitrure de gallium >
2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout
  • 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout
  • 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout
  • 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout
  • 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout
  • 2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout

Lieu d'origine La Chine
Nom de marque zmkj
Numéro de modèle GaN-non-polaire
Détails de produit
Matériel:
Monocristal de GaN
Méthode:
HVPE
Taille:
10x10mm, 5x5mm
Épaisseur:
350um
Industrie:
LD, mené, dispositif de laser, détecteur,
Surface:
chantez ou le double côté poliseed
Catégorie:
pour le LD
Type:
GaN Substrates libre non polaire
Surligner: 

substrat gan

,

calibre gan

Description de produit

Modèle de substrats GaN de 2 pouces, plaquette de GaN pour LED, plaquette de nitrure de gallium semi-conducteur pour ld, modèle de GaN, plaquette de GaN mocvd, substrats de GaN autonomes par taille personnalisée, plaquette de GaN de petite taille pour LED, plaquette de nitrure de gallium mocvd 10x10mm, 5x5mm, GaN 10x5mm plaquette, substrats GaN autoportants non polaires (plan a et plan m)

 

Caractéristique de la tranche de GaN

Produit Substrats de nitrure de gallium (GaN)
Description du produit: Le modèle Saphhire GaN est présenté Méthode d'épitaxie en phase vapeur à l'hydrure épithélial (HVPE).Dans le procédé HVPE, l'acide produit par la réaction GaCl, qui est à son tour mis à réagir avec de l'ammoniac pour produire du nitrure de gallium fond.Le modèle GaN épitaxial est un moyen rentable de remplacer le substrat monocristallin de nitrure de gallium.
Paramètres techniques:
Taille 2" rond; 50mm ± 2mm
Positionnement de produit Axe C <0001> ± 1,0.
Type de conductivité Type N & Type P
Résistivité R <0.5Ohm-cm
Traitement de surface (face Ga) AS Cultivé
RMS <1nm
Surface disponible > 90%
Caractéristiques:

 

Film épitaxial de GaN (Plan C), type N, 2"* 30 microns, saphir ;

Film épitaxial de GaN (plan C), type N, saphir 2"* 5 microns ;

Film épitaxial de GaN (plan R), type N, saphir 2 "* 5 microns ;

Film épitaxial de GaN (plan M), type N, saphir 2"* 5 microns.

Film AL2O3 + GaN (Si dopé de type N);Film AL2O3 + GaN (Mg dopé de type P)

Remarque : selon la demande du client, orientation et taille spéciales de la prise.

Emballage standard: 1000 salles blanches, 100 sacs propres ou emballage en boîte unique

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout 0

Application

Le GaN peut être utilisé dans de nombreux domaines tels que l'affichage à LED, la détection et l'imagerie à haute énergie,
Écran de projection laser, dispositif d'alimentation, etc.

  • Écran de projection laser, dispositif d'alimentation, etc.
  • Stockage des dates
  • Éclairage économe en énergie
  • Affichage fla couleur
  • Projections laser
  • Appareils électroniques à haut rendement
  • Appareils à micro-ondes à haute fréquence
  • Détection haute énergie et imaginer
  • Nouvelle énergie Solaire hydrogène technologie
  • Détection de l'environnement et médecine biologique
  • Bande térahertz de la source lumineuse

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout 1 
 
Caractéristiques:

 

Spécification du modèle GaN

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout 2

 
Fichier de spécification GaN autonome de 2 à 4 pouces
Article GaN-FS-CU-C50 GaN-FS-CN-C50 GaN-FS-C-SI-C50
Dimensions e 50,8 mm ± 1 mm
Épaisseur 350 ± 25 h
Surface utile > 90%
Orientation Plan C (0001) hors angle vers l'axe M 0,35° ± 0,15°
Orientation Appartement (1-100) ±0,5°, 16,0 ±1,0 mm
Appartement d'orientation secondaire (11-20) ±3°, 8,0 ±1,0mm
TTV (Variation d'épaisseur totale) < 15h
ARC < 20h
Type de conduction Type N Type N Semi-isolant (dopé Fe)
Résistivité(3O0K) < 0,1 Q・cm < 0,05 Q・cm >106 Q・cm
Densité de luxation De 1x105 cm-2 à 3x106 cm-2
Polissage Surface avant : Ra < 0,2 nm (polie) ;ou < 0,3 nm (poli et traitement de surface pour épitaxie)
Surface arrière : 0,5 ~ 1,5 h ;option : 1~3 nm (sol fin) ;< 0,2 nm (poli)
Emballer Conditionné en salle blanche de classe 100, en conteneur mono wafer, sous atmosphère d'azote.
 
taille Substrats GaN 4"
Article GaN-FS-N
Dimensions taille Ф 100,0 mm ± 0,5 mm
Épaisseur du substrat 450 ± 50 µm
Orientation du substrat Axe C (0001) vers l'axe M 0,55 ± 0,15°
polonais SSP ou DSP
Méthode PEHV
ARC <25UM
TTV <20um
Rugosité <0,5 nm
résistivité 0.05ohm.cm
Dopant Si
(002) FWHM&(102) FWHM
<100arc
Quantité et taille maximale des trous
et fosses
Qualité de production ≤23@1000 um; Qualité de recherche ≤68@1000 um
Grade factice ≤112@1000 um
Surface utilisable Niveau P>90 % ;Niveau R> 80 % : Niveau D> 70 % (exclusion des défauts de bord et de macro)

 

  Substrats GaN autoportants non polaires (plan a et plan m)
Article GaN-FS-a GaN-FS-m
Dimensions 5,0 mm × 5,5 mm
5,0 mm × 10,0 mm
5,0 mm × 20,0 mm
Taille personnalisée
Épaisseur 330 ± 25 µm
Orientation plan a ± 1° plan m ± 1°
TTV ≤15 µm
ARC ≤20 µm
Type de conduction Type N
Résistivité (300K) < 0,5 Ω·cm
Densité de luxation Moins de 5x106 cm-2
Surface utile > 90%
Polissage Surface avant : Ra < 0,2 nm.Epi-ready poli
Surface arrière : Sol fin
Emballer Conditionné en salle blanche de classe 100, en conteneur mono wafer, sous atmosphère d'azote.

 

 

2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout 3

2.ZMKJ fournit des plaquettes de GaN à l'industrie de la microélectronique et de l'optoélectronique d'un diamètre de 2" à 4".

Les tranches épitaxiales de GaN sont développées par la méthode HVPE ou MOCVD, peuvent être utilisées comme substrat idéal et excellent pour les appareils haute fréquence, haute vitesse et haute puissance.Actuellement, nous pouvons proposer une plaquette épitaxiale GaN pour la recherche fondamentale et le développement de produits de dispositifs, y compris le modèle GaN, AlGaN

et InGaN.Outre la plaquette à base de GaN standard, vous êtes invités à discuter de la structure de votre couche épi.
 
2-4inch HVPE GaN Wafer Customized Size Free - GaN Single Crystal Material debout 4

Contactez-nous à tout moment

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenue de Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Changhaï, CHINE
Envoyez-votre enquête directement nous