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gaufrette de calibre de GaN AlN de nitrure de gallium de 2inch 4Inch sur le saphir, substrats de SI

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Image Grand :  gaufrette de calibre de GaN AlN de nitrure de gallium de 2inch 4Inch sur le saphir, substrats de SI

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: zmkj
Numéro de modèle: 4inch AlN
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 2pc
Prix: by case
Détails d'emballage: caisse simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories
Délai de livraison: 2-4 semaines
Conditions de paiement: L / C, T / T

gaufrette de calibre de GaN AlN de nitrure de gallium de 2inch 4Inch sur le saphir, substrats de SI

description de
Matériel: AlN sur la gaufrette Méthode: HVPE
Taille: 4inch Épaisseur: 430+15um ou 650um
Industrie: LD, mené, dispositif de laser, détecteur, Surface: côté double ou simple poli
Surligner:

substrat gan

,

calibre gan

gaufrette de calibre d'AlN de nitrure du gallium 2inch, 4inch sur le saphir ou sic les substrats, gaufrette de nitrure de gallium de HVPE, calibres d'AlN 

  1. III-nitrure (GaN, AlN, auberge)

Couverture interdite de largeur de bande (luminescente et absorption) l'ultraviolet, la lumière visible et l'infrarouge.

Produit  Film de nitrure en aluminium (AlN)
Description de produit : AllN Epitxial a proposé la méthode modèle de (HVPE) d'épitaxie de phase vapeur d'hydrure de saphhire. Le film de nitrure en aluminium est également manière rentable de remplacer le substrat de monocristal de nitrure en aluminium. De branche de cristal accueil sincèrement votre enquête !
Paramètres techniques :
Taille ± 2mm de 50mm
Orientation de substrat de saphir ± 1.0deg du c-axe (0001)
Macro densité de défaut <5cm-2>
Superficie disponible 90%
Préparation de surface avant Comme développé Epi-prêt
Conteneur Puce simple

 

Caractéristiques :

10x10x0.5mm, 10x10x1mm, dia2 « x1mm ;

Peut être adapté aux besoins du client selon l'orientation et la taille spéciales de requête du client.

Emballage standard : sac 1000 pièce propre, 100 propre ou emballage simple de boîte
 

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GaN peut être employé dans beaucoup de secteurs tels que l'affichage à LED, La détection de grande énergie et la représentation,
Affichage de projection de laser, dispositif de puissance, etc.
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Caractéristiques :

  4" calibres d'AlN de la taille 2-4inch ok également
Article AlN-T
Dimensions Ф 100±0.3mm
Substrat Saphir, sic, GaN
Épaisseur 1000nm+/- 10% (épaisseur d'AlN)
Orientation ± 1° du C-axe (0001)
Type de conduction Semi-isolant
Densité de dislocation XRD FWHM de (0002) < 200="" arcsec="">
XRD FWHM de (10-12) < 1000="" arcsec="">
Superficie utilisable > 80%
Polonais Norme : SSP
Option : DSP
Paquet Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des cassettes de 25pcs ou de conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote. ou cassettes simples.

Autre classent 5x5mm aslike, 10x10mm, 2inch, 3inch peut également être adapté aux besoins du client. 

 

Au sujet de notre équipe

    ZMKJ place dans la ville de Changhaï, qui est la meilleure ville de la Chine,

et notre usine est fondée dans la ville de Wuxi en 2014, mais dans le matériel de semi-conducteur,

ayez la bonne expérience pour presque 10years.
   Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats et verre optique custiomized parts.components très utilisés dans l'électronique, l'optique, l'optoélectronique et beaucoup d'autres domaines. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits et services adaptés aux besoins du client pour leurs projets de R&D.
     C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par nos bons reputatiaons.


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Coordonnées
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Personne à contacter: Wang

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