Maison
>
PRODUITS
>
Gaufrette de phosphure d'indium
>
|
| Lieu d'origine | LA CHINE |
| Nom de marque | zmkj |
| Numéro de modèle | InP-3INCH |
gaufrette semi-isolante d'INP de phosphure d'indium 4inch pour la diode laser de LD, gaufrette de semi-conducteur, gaufrette d'INP 3inch, substrats d'INP du monocristal wafer2inch 3inch 4inch pour l'application de LD, gaufrette de semi-conducteur, gaufrette d'INP, gaufrette de monocristal
L'INP présentent
| Monocristal d'INP | |
|
|
|
la croissance (méthode modifiée de Czochralski) est employée pour tirer un simple cristal par un liquide borique d'oxyde encapsulant à partir d'une graine. Le dopant (Fe, S, Sn ou Zn) est ajouté au creuset avec le polycrystal. La haute pression est appliquée à l'intérieur de la chambre pour empêcher la décomposition de la société de l'indium Phosphide.he a développé un processus pour rapporter la pureté entièrement stoechiométrique et grande et le bas monocristal d'INP de densité de dislocation. à une technologie thermique de cloison en liaison avec un numérique modélisation des états thermiques de croissance. le tCZ est un rentable technologie mûre avec la reproductibilité de haute qualité du boule au boule |
|
Spécifications
Le Fe a enduit l'INP
Caractéristiques semi-isolantes d'INP
| Méthode de croissance | VGF |
| Dopant | Fer (Fe) |
| Forme de gaufrette | Rond (diamètre : 2", 3", ET 4") |
| Orientation extérieure | (100) ±0.5° |
Orientations de *Other peut-être disponibles sur demande
| Résistivité (Ω.cm) | ≥0.5 × 107 |
| Mobilité (cm2/V.S) | ≥ 1 000 |
| Densité de lancement gravure à l'eau forte (cm2) | 1,500-5,000 |
| Diamètre de gaufrette (millimètres) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Épaisseur (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| CHAÎNE (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| DE (millimètres) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| DE/SI (millimètres) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
Note : D'autres caractéristiques peut-être disponibles sur demande
n- et INP de type p
Caractéristiques semi-conductrices d'INP
| Méthode de croissance | VGF |
| Dopant | de type n : S, Sn ET non dopé ; de type p : Zn |
| Forme de gaufrette | Rond (diamètre : 2", 3", ET 4") |
| Orientation extérieure | (100) ±0.5° |
Orientations de *Other peut-être disponibles sur demande
| Dopant | S et Sn (de type n) | Non dopé (de type n) | Zn (de type p) |
| Concentration en transporteur (cm-3) | (0.8-8) × 1018 | × 1015 (de 1-10) | (0.8-8) ×1018 |
| Mobilité (cm2/V.S.) | × 103 (de 1-2.5) | × 103 (de 3-5) | 50-100 |
| Densité de lancement gravure à l'eau forte (cm2) | 100-5,000 | ≤ 5000 | ≤ 500 |
| Diamètre de gaufrette (millimètres) | 50.8±0.3 | 76.2±0.3 | 100±0.3 |
| Épaisseur (µm) | 350±25 | 625±25 | 625±25 |
| TTV [P/P] (µm) | ≤ 10 | ≤ 10 | ≤ 10 |
| TTV [P/E] (µm) | ≤ 10 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| CHAÎNE (µm) | ≤ 15 | ≤ 15 | ≤ 15 |
| DE (millimètres) | 17±1 | 22±1 | 32.5±1 |
| DE/SI (millimètres) | 7±1 | 12±1 | 18±1 |
| Polish* | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P | E/E, P/E, P/P |
*E=Etched, P=Polished
Note : D'autres caractéristiques peut-être disponibles sur demande
| Traitement de gaufrette d'INP | |
|
|
| Chaque lingot est coupé en gaufrettes qui sont enroulées, poli et surface préparée pour l'épitaxie. Le processus global est détaillé ci-dessous. | |
|
|
| Spécifications et identification plates | L'orientation est indiquée sur les gaufrettes par deux appartements (longtemps plats pour l'orientation, le petit appartement pour l'identification). Habituellement la norme d'E.J. (entre l'Europe et le Japon) est employée. La configuration plate alternative (États-Unis) est en grande partie employée pour Ø 4" des gaufrettes. |
|
|
| Orientation du boule | Des gaufrettes précises (100) ou misoriented sont offertes. |
|
|
| Exactitude de l'orientation de DE | En réponse aux besoins de l'industrie optoélectronique, nous gaufrettes d'offres avec l'excellente exactitude du de l'orientation : < 0=""> |
|
|
| Profil de bord | Il y a deux Spéc. communes : bord chimique traitant ou traitant mécanique de bord (avec une broyeur de bord). |
|
|
| Polonais | Des gaufrettes sont polies au moyen d'un processus produit-mécanique ayant pour résultat une surface plate et sans dommage. nous fournit les deux (avec l'arrière enroulé et gravé à l'eau-forte) gaufrettes polies polies et du côté simple du côté double. |
|
|
| Préparation de la surface et emballage finaux | Les gaufrettes passent par beaucoup d'étapes chimiques pour éliminer l'oxyde produit pendant le polissage et pour créer une surface propre avec la couche stable et uniforme d'oxyde qui est prête pour la croissance épitaxiale - la surface epiready et celle ramène des oligoéléments à extrêmement - les niveaux bas. Après inspection finale, les gaufrettes sont empaquetées d'une manière dont maintient la propreté extérieure. Les instructions spécifiques pour le retrait d'oxyde sont disponibles pour tous les types de technologies épitaxiales (MOCVD, MBE). |
|
|
| Base de données | En tant qu'élément de notre programme à régulation de processus/total statistique de gestion de la qualité, la base de données étendue enregistrant les propriétés électriques et mécaniques pour chaque lingot aussi bien qu'analyse en cristal de qualité et extérieure des gaufrettes sont disponible. À chaque étape de la fabrication, le produit est inspecté avant le dépassement à la prochaine étape pour maintenir un haut niveau de la cohérence de qualité de la gaufrette à la gaufrette et du boule au boule. |
Paquet et livraison
FAQ :
Q : Quel est votre MOQ et délai de livraison ?
: (1) pour l'inventaire, le MOQ est 5 PCs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10-30 PCs.
(3) pour les produits adaptés aux besoins du client, le délai de livraison dans 10days, taille custiomzed pour 2-3weeks
Contactez-nous à tout moment
