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Sic substrat
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| Lieu d'origine | porcelaine |
| Nom de marque | zmkj |
| Numéro de modèle | grande pureté 4h-semi non dopé |
Gaufrettes DSP de la grande pureté HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10mm 5x5mm sic
ZMSH offre sic la gaufrette et l'épitaxie : Sic la gaufrette est le matériel large de semi-conducteur de bandgap de troisième génération avec l'excellente représentation. Elle a les avantages du bandgap large, de la conduction thermique élevée, du champ électrique de panne élevée, de la température intrinsèque élevée, de la tenue aux rayonnements, de la bonne stabilité chimique et du taux élevé de dérive de saturation d'électron. Sic la gaufrette a également de grandes perspectives d'application dans l'espace, le transit de rail, la production d'électricité photovoltaïque, le transport d'énergie, les nouveaux véhicules d'énergie et d'autres domaines, et apportera les changements révolutionnaires à la technologie de l'électronique de puissance. Le visage de SI ou le visage de C est CMP en tant que catégorie epi-prête, emballée par le gaz d'azote, chaque gaufrette est dans un conteneur de gaufrette, au-dessous de pièce propre de la classe 100.
sic les gaufrettes Epi-prêtes a le type de N ou semi-isolant, son polytype sont 4H ou 6H dans différentes classes de qualité, la densité de Micropipe (MPD) : Libre, <5>
2. les substrats classent de la norme
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spécifications de substrat de carbure de silicium de 4 po. de diamètre (sic) |
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| Catégorie | Catégorie zéro de MPD | Catégorie de production | Catégorie de recherches | Catégorie factice | |||||
| Diamètre | 76,2 mm±0.3 millimètre ou 100±0.5mm ; | ||||||||
| Épaisseur | 500±25um | ||||||||
| Orientation de gaufrette | 0° outre (0001) d'axe | ||||||||
| Densité de Micropipe | cm2 ≤1 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤50 | |||||
| Résistivité | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E7 Ω·cm | ||||||||
| Appartement primaire et longueur | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 millimètre | ||||||||
| Longueur plate secondaire | 18.0mm±2.0 millimètre | ||||||||
| Orientation plate secondaire | Silicium récepteur : Onde entretenue de 90°. de ±5.0° plat principal | ||||||||
| Exclusion de bord | 3 millimètres | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| Rugosité | Ra≤1 polonais nanomètre, CMP Ra≤0.5 nanomètre | ||||||||
| Fissures par la lumière de forte intensité | Aucun | 1 laissé, ≤2 millimètre | ≤ cumulatif 10mm, length≤2mm simple de longueur | ||||||
| Plats de sortilège par la lumière de forte intensité | Secteur cumulatif ≤1% | Secteur cumulatif ≤1% | Secteur cumulatif ≤3% | ||||||
| Régions de Polytype par la lumière de forte intensité | Aucun | Secteur cumulatif ≤2% | Secteur cumulatif ≤5% | ||||||
Sic gaufrette et lingots 2-6inch et toute autre taille adaptée aux besoins du client peut également être fourni.
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