Envoyer le message
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Courrier : eric_wang@zmsh-materials.com Téléphone : 86-1580-1942596
Maison > PRODUITS > Gaufrette LiNbO3 >
LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y
  • LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y
  • LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y
  • LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y

LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y

Lieu d'origine La Chine
Nom de marque zmkj
Numéro de modèle LT-001
Détails de produit
Matériaux:
Monocristal de LT LN
Industrie:
la gaufrette de semi-conducteur, a vu la gaufrette, gaufrette optique
Application:
5G, dispositif de SCIE, verre optique,
Couleur:
jaune, rouge, noir
Taille:
4inch
orientation:
Terrain communal de Y-42°
Surligner: 

gaufrette de 4inch LiTaO3

,

Gaufrettes de LT Lithium Tantalate Thin

,

Gaufrette du semi-conducteur LiNbO3

Description de produit

LT Thin Films Wafers 42°Y des gaufrettes LN de LiTaO3 LiNbO3

 

Gaufrette de LT et de LN

 

Le principe de base des dispositifs de SCIE est la génération des vagues extérieures élastiques des signaux électriques et de leur reconversion. Le matériel de substrat est un cristal piézoélectrique un tel quartz (SiO2), tantalate de lithium (LiTaO3) ou niobate de lithium (LiNbO3). Ce sont des matériaux de monocristal, qui sont coupés après le processus de croissance avec une orientation définie à une gaufrette. NQW a produit cette gaufrette pour la fabrication de SCIE et les centres de R&D. Veuillez trouver au-dessous des conditions typiques de spécifications.

 

 

 

Application

 

Principalement utilisé dans domaines photoélectriques et autres

 

 

 

Spécifications

  • Gaufrette size4 " 6" 4" 6"
  • Diamètre (millimètre) 100,0 ± 0,2 du ± 0.2150.0 du ± 0.2100.0 du ± 0.2150.0
  • Épaisseur (μm) 350 ± 20 du ± 20200/350 du ± 20200/350 du ± 20500
  • Y tourné par Orientation128º axis128º a tourné Y Y tourné par axis36-50º axis36-50º a tourné l'axe des ordonnées
  • Appartement d'orientation (millimètre) 32,5 ± 1,0 du ± 1.047.5 du ± 1.032.5 du ± 1.047.5
  • NTV (μm) ≦4≦4≦4≦4
  • PLNTV (≦0.5μm, taille 5mm) (%) de site 100100100100
  • Sori (μm) ≦50≦50≦50≦75/≦50
  • Surface : Avant sidePolishedPolishedPolishedPolished
  • Surface : De retour sideLapped
  • (CHROMATOGRAPHIE GAZEUSE #2000) enroulé
  • (CHROMATOGRAPHIE GAZEUSE #2000) enroulé
  • (GC#1000) enroulé
  • (GC#2000/GC#1000)

 

 

Affichage de produit

 

LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y 0

LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y 1

 

 

Produits connexes

Gaufrette de GaAs

LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y 2

Gaufrette de GE

LiTaO3 LiNbO3 Wafers LN LT Thin Films Wafers 42°Y 3

FAQ

Q. Avez-vous des actions de gaufrette ou de lingots ?

oui, 3inch aslike, gaufrettes communes de substrats de la taille 4inch sont en stock.


Q. Où votre société est localisée ?
Notre société située à Changhaï, Chine. l'usine est dans la ville de Wuxi.

Q. combien de temps prendra pour obtenir les produits ?
Généralement il prendra 1~4 semaines pour traiter et puis livraison.

Il est de dépendre de la quantité et de la taille des produits.

 

Q : Que diriez-vous de du terme et de la livraison de salaire ?

T/T 50%deposit et partie gauche avant la livraison par le GOUSSET.

 

 

Contactez-nous à tout moment

86-1580-1942596
Rm5-616, No.851, avenue de Dianshanhu, région de Qingpu, ville de Changhaï, CHINE
Envoyez-votre enquête directement nous