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type substrats de la méthode P de croissance de 6Inch VGF des gaufrettes GaAs de GaAs
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Lieu d'origine LA CHINE
Nom de marque zmsh
Certification ROHS
Numéro de modèle Gaufrette de 6INCH GaAs
Détails de produit
Matériel:
Monocristal GaAs
Industrie:
gaufrette de semicondutor pour le LD ou menée
application:
le substrat de semi-conducteur, a mené la puce, vitrail optique, substrats de dispositif
Méthode:
LA CZ
Taille:
2inch~6inch
Épaisseur:
0.425mm
Surface:
CMP/gravé à l'eau-forte
dopé:
SI-enduit
MOQ:
10pcs
Catégorie:
catégorie de recherches/catégorie factice
Surligner: 

Type gaufrette de P d'arséniure de gallium

,

gaufrettes de 6inch GaAs

,

Gaufrettes du semi-conducteur GaAs

Description de produit

type substrats de la méthode P de croissance de 6inch VGF des gaufrettes GaAs de GaAs


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Gaufrette de GaAs

 

Les gaufrettes GaAs de substrat des gaufrettes GaAs de substrat des gaufrettes GaAs de GaAs est un matériel de semi-conducteur avec les propriétés supérieures de la migration à haute fréquence et élevée d'électron, de la représentation élevée d'électron, du bas bruit salivaire et de la qualité linéaire. Il est très utilisé dans les industries d'optoélectronique et de microélectronique. Dans l'industrie d'optoélectronique, des gaufrettes de substrat de GaAs peuvent être employées pour fabriquer LED (tube luminescent), LD (jardin léger de enseignement), dispositifs photovoltaïques, etc. Dans le domaine de l'industrie de la microélectronique, il peut être employé pour faire MESFET (tube de cuir d'effet de gisement de semi-conducteur en métal), HEMT (haut transistor de mobilité des électrons), HBT (transistor bipolaire d'hétérojonction), IC, diode à micro-ondes, dispositif de hall, etc.

 

Application
Diode à micro-ondes, diode de Gunn, varactor, etc.
Transistors à micro-ondes : transistor à effet de champ (FET), haut transistor de mobilité des électrons (HEMT), transistor bipolaire d'hétérojonction (HBT), etc.
Circuit intégré : circuit intégré monolithique à micro-ondes (MMIC), circuit intégré ultra-haut de vitesse (circuit intégré à très grande vitesse), etc.
Élément de hall
 
Détail de spécifications
 
GaAs (arséniure de gallium) pour des applications de LED
Article Caractéristiques Remarques
Type de conduction SC/n-type  
Méthode de croissance VGF  
Dopant Silicium  
Gaufrette Diamter 2, 3 et 4 pouces Lingot ou comme-coupe disponible
Crystal Orientation (100) 2°/6°/15° outre de (110) L'autre misorientation disponible
DE EJ ou les USA  
Concentration en transporteur (0.4~2.5) E18/cm3  
Résistivité à la droite (1.5~9) E-3 Ohm.cm  
Mobilité 1500~3000 cm2/V.sec  
Gravure à l'eau forte Pit Density <500>  
Inscription de laser sur demande  
Finition extérieure P/E ou P/P  
Épaisseur 220~350um  
Épitaxie prête Oui  
Paquet Conteneur ou cassette simple de gaufrette  

 

 

Affichage de produit

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AU SUJET DE NOTRE ZMKJ

ZMKJ place dans la ville de Changhaï, qui est la meilleure ville de la Chine, et notre usine est fondée
dans la ville de Wuxi en 2014. Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats
et custiomized parts.components en verre optique très utilisé dans l'électronique, optique,
optoélectronique et beaucoup d'autres champs. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques
et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits adaptés aux besoins du client
et services pour leurs projets de R&D.
C'est notre vision à maintenir de bonnes relations de coopération avec nos tous les clients par notre
bons reputatiaons. ainsi nous pouvons également fournir quelques autres substrats de matériaux comme goût : Sic gaufrette
 
 
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Emballage – Logistcs
Les soucis de Worldhawk détaille chaque du paquet, nettoyage, antistatique, traitement de choc.
Selon la quantité et la forme du produit, nous prendrons un processus de empaquetage différent !
type substrats de la méthode P de croissance de 6Inch VGF des gaufrettes GaAs de GaAs 2type substrats de la méthode P de croissance de 6Inch VGF des gaufrettes GaAs de GaAs 3
FAQ –
Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, TNT, UPS, SME, SF et par le GOUSSET
 et état de salaire du dépôt de 50%, 50% avant la livraison.
 
Q : Quel est le délai de livraison ?
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou 3 semaines de travail après ordre.
 

Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 5pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10pcs-30pcs.
Q : Avez-vous le rapport d'inspection pour le matériel ?
Nous pouvons fournir le rapport de détail pour nos produits.

 

Étiquettes:

gaufrette d'arséniure d'indium,

gaufrette de GaAs,

substrat laalo3

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