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structure de pli monoclinal de substrat d'oxyde de gallium de 10x10mm
  • structure de pli monoclinal de substrat d'oxyde de gallium de 10x10mm

structure de pli monoclinal de substrat d'oxyde de gallium de 10x10mm

Lieu d'origine LA CHINE
Nom de marque zmsh
Certification ROHS
Numéro de modèle Gaufrette de 6INCH GaAs
Détails de produit
Matériel:
Monocristal GaAs
Industrie:
gaufrette de semicondutor pour le LD ou menée
Application:
le substrat de semi-conducteur, a mené la puce, vitrail optique, substrats de dispositif
Méthode:
LA CZ
Taille:
2inch~6inch
Épaisseur:
0.425mm
surface:
CMP/gravé à l'eau-forte
enduit:
SI-enduit
MOQ:
10PCS
catégorie:
catégorie de recherches/catégorie factice
Surligner: 

Type gaufrettes de P de GaAs

,

Type gaufrettes de N de GaAs

,

Gaufrette 2inch d'arséniure de gallium

Description de produit

structure de pli monoclinal de substrat d'oxyde de gallium de 10x10mm


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Le cristal équilibré d'oxyde de gallium a une structure de monoclinal avec deux avions de décolleté (100) et (001). En ce qui concerne le processus de croissance, il est plus facile se développer le processus de croissance (des 100) cristaux cristallins d'oxyde de gallium de phase, alors que le processus de croissance (des 001) cristaux exige extrêmement haut à régulation de processus. Dans les mêmes conditions de traitement, la qualité extérieure et le rendement (des 001) surfaces sont meilleurs, et (les 100) surfaces sont facilement fendues et cassées, la rendant difficile de réaliser le traitement efficace et élevé de qualité extérieure. Du côté d'application, (les 001) oxydes en cristal principal de gallium de phase sont plus appropriés pour l'usage des dispositifs de semi-conducteur de puissance, ainsi il est difficile de commander la croissance (des 001) cristaux en cristal principal d'oxyde de gallium de phase, mais il a la grande valeur industrielle, ou il n'a pas le processus de croissance (des 001) oxydes en cristal principal de grande taille de gallium de phase, côté d'application du marché d'oxyde de gallium sera extrêmement difficile de favoriser le processus.

 

Application : Matériaux larges de semi-conducteur de bandgap


Avant de présenter l'oxyde de gallium (Ga2O3), laissez-moi présenter un autre terme : matériaux larges de semi-conducteur d'espace de bande.

La largeur d'espace de bande est un paramètre caractéristique important de semi-conducteur. Selon la structure de bande différente des matériaux de semi-conducteur, des matériaux de semi-conducteur peuvent être divisés en deux types : espace de bande large et espace à bande étroite. Si la largeur d'espace de bande du matériel de semi-conducteur est moins que 2.3eV, ce s'appelle un semi-conducteur à bande étroite d'espace. Si la largeur d'espace de bande du matériel de semi-conducteur est supérieur ou égal à 2.3eV, ce s'appelle un semi-conducteur à large bande d'espace. Plus la largeur de bandgap d'un matériel de semi-conducteur est grande, plus l'énergie requise pour ses électrons à la transition à la bande de conduction est grande, et ainsi plus la température et est haute la tension que le matériel peut résister, c.-à-d., moins il est de devenir un conducteur facile.

Les matériaux larges de semi-conducteur d'espace de bande sont très appropriés à la production de la tenue aux rayonnements, la haute fréquence, la puissance élevée et les appareils électroniques intégrés à haute densité, qui ont la bonne tenue aux rayonnements et la stabilité chimique, la vitesse et la conduction thermique de glissement des électrons saturée élevée, les excellentes propriétés électriques et d'autres caractéristiques. Ces dernières années, on s'attend à ce que les matériaux larges se développants rapidement de semi-conducteur d'espace de bande ont de larges perspectives d'application dans l'éclairage de semi-conducteur, une nouvelle génération de communication mobile, la grille futée, le transit de rail ultra-rapide, les nouveaux véhicules d'énergie, l'électronique grand public et d'autres domaines, et deviennent les nouveaux matériaux principaux soutenant le développement d'information, d'énergie, de transport, de défense nationale et d'autres industries. La recherche et développement de technologie connexe des matériaux de semi-conducteur de large-Gap devient une nouvelle montagne stratégique dans l'industrie globale de semi-conducteur.

 
Détail de spécifications
 
Orientation 100 100 100
Dopage UID Magnésium Fe
paramètre électrique
1×1017~3×1018cm-3
≥1010Ω·cm
≥1010Ω·cm
arcseconde
≤150 ≤150 ≤150
densité de dislocation cm2 <1×105 cm2 <1×105 cm2 <1×105

 

 


AU SUJET DE NOTRE ZMKJ

ZMKJ place dans la ville de Changhaï, qui est la meilleure ville de la Chine, et notre usine est fondée
dans la ville de Wuxi en 2014. Nous nous spécialisons en transformant un grand choix de matériaux en gaufrettes, substrats
et custiomized parts.components en verre optique très utilisé dans l'électronique, optique,
optoélectronique et beaucoup d'autres champs. Nous également avions travaillé étroitement avec beaucoup de domestiques
et les universités, les instituts de recherche et les sociétés d'outre-mer, fournissent les produits adaptés aux besoins du client
et services pour leurs projets de R&D.
 
 
 
Emballage – Logistcs
Les soucis de Worldhawk détaille chaque du paquet, nettoyage, antistatique, traitement de choc.
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FAQ –
Q : Que pouvez-vous assurer la logistique et le coût ?
(1) nous acceptons DHL, Fedex, TNT, UPS, SME, SF et par le GOUSSET
 et état de salaire du dépôt de 50%, 50% avant la livraison.
 
Q : Quel est le délai de livraison ?
Pour l'inventaire : la livraison est 5 jours ouvrables après ordre.
Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 ou 3 semaines de travail après ordre.
 

Q : Quel est le MOQ ?
(1) pour l'inventaire, le MOQ est 5pcs.
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10pcs-30pcs.
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Nous pouvons fournir le rapport de détail pour nos produits.

 

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