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gaufrette transparente non dopée factice de la pureté 4h-semi de carbure de silicium de catégorie de recherches de production grande sic

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gaufrette transparente non dopée factice de la pureté 4h-semi de carbure de silicium de catégorie de recherches de production grande sic

gaufrette transparente non dopée factice de la pureté 4h-semi de carbure de silicium de catégorie de recherches de production grande sic
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Image Grand :  gaufrette transparente non dopée factice de la pureté 4h-semi de carbure de silicium de catégorie de recherches de production grande sic

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: zmkj
Numéro de modèle: 4inch--pureté semi grande
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1pcs
Prix: by required
Détails d'emballage: Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des cassettes de conteneurs sim
Délai de livraison: 15 jours
Capacité d'approvisionnement: 100pcs/months

gaufrette transparente non dopée factice de la pureté 4h-semi de carbure de silicium de catégorie de recherches de production grande sic

description de
Matériel: sic cristal Industrie: gaufrette de semi-conducteur
Application: semi-conducteur, mené, dispositif, l'électronique de puissance, 5G Couleur: bleu, vert, blanc
Type: 4H, 6H, A ENDUIT, aucune pureté enduite et grande
Surligner:

substrat de carbure de silicium

,

sic substrat

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Au sujet sic du cristal

Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum /k ɑːrbəˈrʌndəm/, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Il se produit en nature comme moissanite minéral extrêmement rare. La poudre synthétique de carbure de silicium a été fabriquée en série depuis 1893 pour l'usage comme abrasif. Des grains du carbure de silicium peuvent être collés ensemble par l'agglomération pour former la céramique très dure qui sont très utilisés dans les applications exigeant la résistance élevée, telle que des freins de voiture, des embrayages de voiture et des plats en céramique dans des gilets à l'épreuve des balles. Des applications électroniques du carbure de silicium telles que les diodes électroluminescentes (LEDs) et les détecteurs dans les radios tôt ont été la première fois démontrées vers 1907. Sic est employé dans les dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou chacun des deux. De grands monocristaux de carbure de silicium peuvent être développés par la méthode de Lely ; ils peuvent être coupés en gemmes connues sous le nom de moissanite synthétique. Le carbure de silicium avec la superficie élevée peut être produit à partir de SiO2 contenu en matière végétale.

 

Applications des substrats et des gaufrettes sic en cristal

Les crytsals de carbure de silicium (sic) ont les propriétés physiques et électroniques uniques. Des dispositifs basés de carbure de silicium ont été utilisés pour les applciations optoélectroniques, à hautes températures, résistants aux radiations à ondes courtes. Les appareils électroniques de haute puissance et à haute fréquence faits avec sic sont supérieurs au SI et aux dispositifs basés par GaAs. Sont ci-dessous quelques applications populaires sic des substrats.

 

Dépôt de nitrure d'III-V

Couches épitaxiales de GaN, d'AlxGa1-xN et d'InyGa1-yN sur sic le substrat ou le substrat de saphir.

L'épitaxie de nitrure de gallium sur sic des calibres sont employées pour fabriquer les diodes électroluminescentes bleues (LED bleue) et et les détecteurs photoélectriques UV aveugles presque solaires

 

Dispositifs optoélectroniques

Les dispositifs sic basés ont la basse disparité de trellis avec des couches épitaxiales d'III-nitrure. Ils ont la conduction thermique élevée et peuvent être employés pour la surveillance des processus de combustion et pour toutes sortes d'UV-détection.

les dispositifs de semi-conducteur basés sur SIC peuvent fonctionner sous les environnements très hostiles, tels que la haute température, la puissance élevée, et les états élevés de rayonnement.

 

Dispositifs de puissance élevée

A sic les propriétés suivantes :

Énergie large Bandgap

Champ électrique élevé de panne

Vitesse de dérive élevée de saturation

Conduction thermique élevée

Sic est employé pour la fabrication des dispositifs très à haute tension et de haute puissance tels que des diodes, des transitors de puissance, et des dispositifs d'hyperfréquences à grande puissance. Comparé aux SI-dispositifs conventionnels, les dispositifs de puissance basés sur SIC ont des tensions plus élevées plus rapides de vitesse de commutation, résistances parasites inférieures, plus de petite taille, en raison exigé moins de refroidissement de la capacité à hautes températures.

A sic une conduction thermique plus élevée que la signification de GaAs ou de SI que sic les dispositifs peuvent théoriquement actionner aux densités de puissance plus élevée que la GaAs ou le SI. Une conduction thermique plus élevée combinée avec le bandgap large et un champ critique élevé donnent sic à des semi-conducteurs un avantage quand la puissance élevée est une caractéristique souhaitable principale de dispositif.

Actuellement le carbure de silicium (sic) est très utilisé pour la puissance élevée MMICapplications. Sic est également employé comme substrat pour la croissance épitaxiale de GaN pour encore des dispositifs de la puissance plus élevée MMIC

 

Dispositifs à hautes températures

Puisqu'a sic une conduction thermique élevée, absorbe sic la chaleur plus rapidement que d'autres matériaux de semi-conducteur. Ceci permet sic à des dispositifs d'être actionnés aux niveaux de puissance extrêmement élevée et absorbe toujours un grand nombre de chaleur excédentaire produite des dispositifs.

 

Dispositifs de puissance à haute fréquence

l'électronique basée sur SIC de micro-onde sont employées pour des communications et rad sans fil

 

2. taille de substrats

caractéristiques de substrat de carbure de silicium de 4 po. de diamètre 4H-semi

PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT

Catégorie de production

Catégorie de recherches

Catégorie factice

Diamètre

100,0 millimètre +0.0/-0.5millimètre

Orientation extérieure

{0001} ±0.2°

Orientation plate primaire

<11->20> ̊ du ± 5,0

Orientation plate secondaire

onde entretenue de 90,0 ̊ de ̊ primaire du ± 5,0, silicium récepteur

Longueur plate primaire

32,5 millimètres ±2.0 millimètre

Longueur plate secondaire

18,0 millimètres ±2.0 millimètre

Bord de gaufrette

Chanfrein

Densité de Micropipe

cm2 de ≤5 micropipes/

cm2du ≤10micropipes/

cm2 de ≤50 micropipes/

Régions de Polytype par la lumière à haute intensité

Aucun n'a laissé

secteurdu ≤10%

Résistivité

≥1E7 Ω·cm

(secteur 75%) ≥1E7 Ω·cm

Épaisseur

350,0 μm de μm du ± 25,0 de μm ou 500,0 de ± 25,0 de μm

TTV

10μm

μmdu 15

Arc (valeur absolue)

μmdu 25

μmdu 30

Chaîne

μmdu 45

Finition extérieure

Double polonais de côté, CMP de visage de SI (polissage de produit chimique)

Aspérité

Visage Ra≤0.5 nanomètre du CMP SI

NON-DÉTERMINÉ

Fissures par la lumière à haute intensité

Aucun n'a laissé

Puces/creux de bord par l'éclairage diffus

Aucun n'a laissé

Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres

Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres

Secteur utilisable total

≥90%

≥80%

NON-DÉTERMINÉ

 

L'autre taille 

caractéristiques de substrat de carbure de silicium de 3 po. de diamètre 4H

PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT

Catégorie de production

Catégorie de recherches

Catégorie factice

Diamètre

76,2 millimètres ±0.38 millimètre

Orientation extérieure

{0001} ±0.2°

Orientation plate primaire

<11->20> ̊ du ± 5,0

Orientation plate secondaire

onde entretenue de 90,0 ̊ de ̊ primaire du ± 5,0, silicium récepteur

Longueur plate primaire

22,0 millimètres ±2.0 millimètre

Longueur plate secondaire

11,0 millimètres ±1.5mm

Bord de gaufrette

Chanfrein

Densité de Micropipe

cm2 de ≤5 micropipes/

cm2du ≤10micropipes/

cm2 de ≤50 micropipes/

Régions de Polytype par la lumière à haute intensité

Aucun n'a laissé

secteurdu ≤10%

Résistivité

≥1E7 Ω·cm

(secteur 75%) ≥1E7 Ω·cm

Épaisseur

350,0 μm de μm du ± 25,0 de μm ou 500,0 de ± 25,0 de μm

TTV

μm ≤10

μm ≤15

Arc (valeur absolue)

μm ≤15

μm ≤25

Chaîne

μm ≤35

Finition extérieure

Double polonais de côté, CMP de visage de SI (polissage de produit chimique)

Aspérité

Visage Ra≤0.5 nanomètre du CMP SI

NON-DÉTERMINÉ

Fissures par la lumière à haute intensité

Aucun n'a laissé

Puces/creux de bord par l'éclairage diffus

Aucun n'a laissé

Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres

Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres

Secteur utilisable total

>90%

>80%

NON-DÉTERMINÉ

le *The d'autres caractéristiques peut être adapté aux besoins du client selon les exigences de client

 

caractéristiques de substrat de carbure de silicium de 2 po. de diamètre 4H

PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT

Catégorie de production

Catégorie de recherches

Catégorie factice

Diamètre

50,8 millimètres ±0.38 millimètre

Orientation extérieure

{0001} ±0.2°

Orientation plate primaire

<11->20> ̊ du ± 5,0

Orientation plate secondaire

onde entretenue de 90,0 ̊ de ̊ primaire du ± 5,0, silicium récepteur

Longueur plate primaire

16,0 millimètres ±1.65 millimètre

Longueur plate secondaire

8,0 millimètres ±1.65 millimètre

Bord de gaufrette

Chanfrein

Densité de Micropipe

cm2 de ≤5 micropipes/

cm2du ≤10micropipes/

cm2 de ≤50 micropipes/

Régions de Polytype par la lumière à haute intensité

Aucun n'a laissé

secteurdu ≤10%

Résistivité

≥1E7 Ω·cm

(secteur 75%) ≥1E7 Ω·cm

Épaisseur

350,0 μm de μm du ± 25,0 de μm ou 500,0 de ± 25,0 de μm

TTV

μm ≤10

μm ≤15

Arc (valeur absolue)

μm ≤10

μm ≤15

Chaîne

μmdu ≤25

Finition extérieure

Double polonais de côté, CMP de visage de SI (polissage de produit chimique)

Aspérité

Visage Ra≤0.5 nanomètre du CMP SI

NON-DÉTERMINÉ

Fissures par la lumière à haute intensité

Aucun n'a laissé

Puces/creux de bord par l'éclairage diffus

page2image63440

Aucun n'a laissé

Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres

Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres

Secteur utilisable total

≥90%

≥80%

NON-DÉTERMINÉ

3.pictures

 

 

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FAQ :                                                 

Q : Quelle est la manière de l'expédition et du coût ?

A : (1) nous acceptons DHL, Fedex, SME etc.

(2) si vous avez votre propre compte exprès, il est grand. Sinon, nous pourrions vous aider à les embarquer.

Le fret est conforme le règlement réel ou par le GOUSSET.

Q : Comment payer ?

A : 100%T/T, Paypal,

 

Q : Quel est votre MOQ et délai de livraison ?

A : (1) pour l'inventaire, le MOQ est 2pcs dans 10days

(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10pcs vers le haut d'in10-20days.

 

Q : Est-ce que je peux adapter les produits aux besoins du client basés sur mon besoin ?

A : Oui, nous pouvons adapter le matériel, les caractéristiques et la forme aux besoins du client, épaisseur, taille, surface.

 

Coordonnées
SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Personne à contacter: Wang

Téléphone: +8615801942596

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