substrats semi-isolants de la pureté 4inch de Substrateshigh de carbure de silicium de la grande pureté 4H sic, substrats de carbure de silicium 4inch pour des substrats du semi-conducteur 4inch sic, substrats de carbure de silicium pour le semconductor, gaufrettes de monocristal sic, sic lingots pour la gemme
Au sujet sic du cristal
Le carbure de silicium (sic), également connu sous le nom de carborundum /k ɑːrbəˈrʌndəm/, est un semi-conducteur contenant le silicium et le carbone avec la formule chimique sic. Il se produit en nature comme moissanite minéral extrêmement rare. La poudre synthétique de carbure de silicium a été fabriquée en série depuis 1893 pour l'usage comme abrasif. Des grains du carbure de silicium peuvent être collés ensemble par l'agglomération pour former la céramique très dure qui sont très utilisés dans les applications exigeant la résistance élevée, telle que des freins de voiture, des embrayages de voiture et des plats en céramique dans des gilets à l'épreuve des balles. Des applications électroniques du carbure de silicium telles que les diodes électroluminescentes (LEDs) et les détecteurs dans les radios tôt ont été la première fois démontrées vers 1907. Sic est employé dans les dispositifs de l'électronique de semi-conducteur qui fonctionnent aux hautes températures ou aux tensions élevées, ou chacun des deux. De grands monocristaux de carbure de silicium peuvent être développés par la méthode de Lely ; ils peuvent être coupés en gemmes connues sous le nom de moissanite synthétique. Le carbure de silicium avec la superficie élevée peut être produit à partir de SiO2 contenu en matière végétale.
Applications des substrats et des gaufrettes sic en cristal
Les crytsals de carbure de silicium (sic) ont les propriétés physiques et électroniques uniques. Des dispositifs basés de carbure de silicium ont été utilisés pour les applciations optoélectroniques, à hautes températures, résistants aux radiations à ondes courtes. Les appareils électroniques de haute puissance et à haute fréquence faits avec sic sont supérieurs au SI et aux dispositifs basés par GaAs. Sont ci-dessous quelques applications populaires sic des substrats.
Dépôt de nitrure d'III-V
Couches épitaxiales de GaN, d'AlxGa1-xN et d'InyGa1-yN sur sic le substrat ou le substrat de saphir.
L'épitaxie de nitrure de gallium sur sic des calibres sont employées pour fabriquer les diodes électroluminescentes bleues (LED bleue) et et les détecteurs photoélectriques UV aveugles presque solaires
Dispositifs optoélectroniques
Les dispositifs sic basés ont la basse disparité de trellis avec des couches épitaxiales d'III-nitrure. Ils ont la conduction thermique élevée et peuvent être employés pour la surveillance des processus de combustion et pour toutes sortes d'UV-détection.
les dispositifs de semi-conducteur basés sur SIC peuvent fonctionner sous les environnements très hostiles, tels que la haute température, la puissance élevée, et les états élevés de rayonnement.
Dispositifs de puissance élevée
A sic les propriétés suivantes :
Énergie large Bandgap
Champ électrique élevé de panne
Vitesse de dérive élevée de saturation
Conduction thermique élevée
Sic est employé pour la fabrication des dispositifs très à haute tension et de haute puissance tels que des diodes, des transitors de puissance, et des dispositifs d'hyperfréquences à grande puissance. Comparé aux SI-dispositifs conventionnels, les dispositifs de puissance basés sur SIC ont des tensions plus élevées plus rapides de vitesse de commutation, résistances parasites inférieures, plus de petite taille, en raison exigé moins de refroidissement de la capacité à hautes températures.
A sic une conduction thermique plus élevée que la signification de GaAs ou de SI que sic les dispositifs peuvent théoriquement actionner aux densités de puissance plus élevée que la GaAs ou le SI. Une conduction thermique plus élevée combinée avec le bandgap large et un champ critique élevé donnent sic à des semi-conducteurs un avantage quand la puissance élevée est une caractéristique souhaitable principale de dispositif.
Actuellement le carbure de silicium (sic) est très utilisé pour la puissance élevée MMICapplications. Sic est également employé comme substrat pour la croissance épitaxiale de GaN pour encore des dispositifs de la puissance plus élevée MMIC
Dispositifs à hautes températures
Puisqu'a sic une conduction thermique élevée, absorbe sic la chaleur plus rapidement que d'autres matériaux de semi-conducteur. Ceci permet sic à des dispositifs d'être actionnés aux niveaux de puissance extrêmement élevée et absorbe toujours un grand nombre de chaleur excédentaire produite des dispositifs.
Dispositifs de puissance à haute fréquence
l'électronique basée sur SIC de micro-onde sont employées pour des communications et rad sans fil
2. taille de substrats
caractéristiques de substrat de carbure de silicium de 4 po. de diamètre 4H-semi
PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
Catégorie de production |
Catégorie de recherches |
Catégorie factice |
Diamètre |
100,0 millimètre +0.0/-0.5millimètre |
||
Orientation extérieure |
{0001} ±0.2° |
||
Orientation plate primaire |
<11->20> ̊ du ± 5,0 |
||
Orientation plate secondaire |
onde entretenue de 90,0 ̊ de ̊ primaire du ± 5,0, silicium récepteur |
||
Longueur plate primaire |
32,5 millimètres ±2.0 millimètre |
||
Longueur plate secondaire |
18,0 millimètres ±2.0 millimètre |
||
Bord de gaufrette |
Chanfrein |
||
Densité de Micropipe |
cm2 de ≤5 micropipes/ |
cm2du ≤10micropipes/ |
cm2 de ≤50 micropipes/ |
Régions de Polytype par la lumière à haute intensité |
Aucun n'a laissé |
secteurdu ≤10% |
|
Résistivité |
≥1E7 Ω·cm |
(secteur 75%) ≥1E7 Ω·cm |
|
Épaisseur |
350,0 μm de μm du ± 25,0 de μm ou 500,0 de ± 25,0 de μm |
||
TTV |
≦10μm |
μmdu ≦15 |
|
Arc (valeur absolue) |
μmdu ≦25 |
μmdu ≦30 |
|
Chaîne |
μmdu ≦45 |
||
Finition extérieure |
Double polonais de côté, CMP de visage de SI (polissage de produit chimique) |
||
Aspérité |
Visage Ra≤0.5 nanomètre du CMP SI |
NON-DÉTERMINÉ |
|
Fissures par la lumière à haute intensité |
Aucun n'a laissé |
||
Puces/creux de bord par l'éclairage diffus |
Aucun n'a laissé |
Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres |
Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres |
Secteur utilisable total |
≥90% |
≥80% |
NON-DÉTERMINÉ |
L'autre taille
caractéristiques de substrat de carbure de silicium de 3 po. de diamètre 4H
PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
Catégorie de production |
Catégorie de recherches |
Catégorie factice |
Diamètre |
76,2 millimètres ±0.38 millimètre |
||
Orientation extérieure |
{0001} ±0.2° |
||
Orientation plate primaire |
<11->20> ̊ du ± 5,0 |
||
Orientation plate secondaire |
onde entretenue de 90,0 ̊ de ̊ primaire du ± 5,0, silicium récepteur |
||
Longueur plate primaire |
22,0 millimètres ±2.0 millimètre |
||
Longueur plate secondaire |
11,0 millimètres ±1.5mm |
||
Bord de gaufrette |
Chanfrein |
||
Densité de Micropipe |
cm2 de ≤5 micropipes/ |
cm2du ≤10micropipes/ |
cm2 de ≤50 micropipes/ |
Régions de Polytype par la lumière à haute intensité |
Aucun n'a laissé |
secteurdu ≤10% |
|
Résistivité |
≥1E7 Ω·cm |
(secteur 75%) ≥1E7 Ω·cm |
|
Épaisseur |
350,0 μm de μm du ± 25,0 de μm ou 500,0 de ± 25,0 de μm |
||
TTV |
μm ≤10 |
μm ≤15 |
|
Arc (valeur absolue) |
μm ≤15 |
μm ≤25 |
|
Chaîne |
μm ≤35 |
||
Finition extérieure |
Double polonais de côté, CMP de visage de SI (polissage de produit chimique) |
||
Aspérité |
Visage Ra≤0.5 nanomètre du CMP SI |
NON-DÉTERMINÉ |
|
Fissures par la lumière à haute intensité |
Aucun n'a laissé |
||
Puces/creux de bord par l'éclairage diffus |
Aucun n'a laissé |
Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres |
Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres |
Secteur utilisable total |
>90% |
>80% |
NON-DÉTERMINÉ |
le *The d'autres caractéristiques peut être adapté aux besoins du client selon les exigences de client
caractéristiques de substrat de carbure de silicium de 2 po. de diamètre 4H
PROPRIÉTÉ DE SUBSTRAT |
Catégorie de production |
Catégorie de recherches |
Catégorie factice |
Diamètre |
50,8 millimètres ±0.38 millimètre |
||
Orientation extérieure |
{0001} ±0.2° |
||
Orientation plate primaire |
<11->20> ̊ du ± 5,0 |
||
Orientation plate secondaire |
onde entretenue de 90,0 ̊ de ̊ primaire du ± 5,0, silicium récepteur |
||
Longueur plate primaire |
16,0 millimètres ±1.65 millimètre |
||
Longueur plate secondaire |
8,0 millimètres ±1.65 millimètre |
||
Bord de gaufrette |
Chanfrein |
||
Densité de Micropipe |
cm2 de ≤5 micropipes/ |
cm2du ≤10micropipes/ |
cm2 de ≤50 micropipes/ |
Régions de Polytype par la lumière à haute intensité |
Aucun n'a laissé |
secteurdu ≤10% |
|
Résistivité |
≥1E7 Ω·cm |
(secteur 75%) ≥1E7 Ω·cm |
|
Épaisseur |
350,0 μm de μm du ± 25,0 de μm ou 500,0 de ± 25,0 de μm |
||
TTV |
μm ≤10 |
μm ≤15 |
|
Arc (valeur absolue) |
μm ≤10 |
μm ≤15 |
|
Chaîne |
μmdu ≤25 |
||
Finition extérieure |
Double polonais de côté, CMP de visage de SI (polissage de produit chimique) |
||
Aspérité |
Visage Ra≤0.5 nanomètre du CMP SI |
NON-DÉTERMINÉ |
|
Fissures par la lumière à haute intensité |
Aucun n'a laissé |
||
Puces/creux de bord par l'éclairage diffus |
Aucun n'a laissé |
Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres |
Qty.2<> largeur et profondeur de 1,0 millimètres |
Secteur utilisable total |
≥90% |
≥80% |
NON-DÉTERMINÉ |
3.pictures
FAQ :
Q : Quelle est la manière de l'expédition et du coût ?
A : (1) nous acceptons DHL, Fedex, SME etc.
(2) si vous avez votre propre compte exprès, il est grand. Sinon, nous pourrions vous aider à les embarquer.
Le fret est conforme le règlement réel ou par le GOUSSET.
Q : Comment payer ?
A : 100%T/T, Paypal,
Q : Quel est votre MOQ et délai de livraison ?
A : (1) pour l'inventaire, le MOQ est 2pcs dans 10days
(2) pour les produits adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10pcs vers le haut d'in10-20days.
Q : Est-ce que je peux adapter les produits aux besoins du client basés sur mon besoin ?
A : Oui, nous pouvons adapter le matériel, les caractéristiques et la forme aux besoins du client, épaisseur, taille, surface.
Contactez-nous à tout moment