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L'étude de cas ZMSH: le premier fournisseur de saphirs synthétiques de haute qualité
L'étude de cas ZMSH: le premier fournisseur de saphirs synthétiques de haute qualité     Introduction au projetZMSH est un nom de premier plan dans l'industrie des pierres précieuses synthétiques, fournissant une large gamme de saphirs de haute qualité et aux couleurs vives.Notre offre comprend une large palette de couleurs comme le bleu royal, rouge vif, jaune, rose, rose-orange, violet et plusieurs tons verts, y compris l'émeraude et le vert olive.La ZMSH est devenue un partenaire privilégié pour les entreprises qui ont besoin deDes pierres précieuses synthétiques durables. Des pierres précieuses synthétiquesAu cœur de la gamme de produits de ZMSH sont des saphirs synthétiques qui imitent la brillance et la qualité des pierres précieuses naturelles tout en offrant de nombreux avantages.Ces saphirs sont soigneusement fabriqués pour obtenir une consistance de couleur exceptionnelle et une durabilité, ce qui en fait une alternative supérieure aux pierres naturelles. Les bienfaits du saphir synthétique Une cohérence inégaléeNos saphirs fabriqués en laboratoire sont produits dans des conditions contrôlées, ce qui garantit une qualité impeccable.sans les variations de couleur et de clarté souvent observées dans les pierres précieuses extraites. Sélection de couleurs: ZMSH offre une gamme diversifiée de couleurs, y compris bleu royal, rouge rubis, et des tons plus doux comme rose et rose-orange.adaptés aux exigences spécifiques des clientsCette flexibilité dans la personnalisation des couleurs et des tons rend nos saphirs parfaits pour un large éventail de conceptions et d'utilisations industrielles. Des prix abordables: Les saphirs cultivés en laboratoire offrent une alternative moins coûteuse sans sacrifier l'attrait visuel ou l'intégrité structurelle.Ils offrent une excellente valeur pour les clients qui ont besoin de pierres précieuses de haute qualité à une fraction du coût des pierres naturelles, ce qui les rend idéales à la fois pour les produits de luxe et les applications pratiques. Saine pour l'environnement et pour l'éthique: En optant pour des pierres précieuses synthétiques, les clients peuvent éviter les dommages environnementaux et les préoccupations éthiques souvent associées à l'extraction traditionnelle de pierres précieuses.Les saphirs synthétiques de ZMSH sont créés de manière écologique, offrant un choix durable et responsable. Forte et polyvalente: Les saphirs synthétiques ont la même dureté que leurs homologues naturels, ce qui les rend idéaux pour une variété d'utilisations, des bijoux haut de gamme aux applications industrielles.Avec une dureté de 9 sur l'échelle de Mohs, ces pierres précieuses assurent une durabilité durable dans tous les contextes   ConclusionZMSH se consacre à la fourniture de saphirs synthétiques de couleur de premier ordre, offrant aux clients une gamme de solutions de pierres précieuses personnalisables, rentables et durables.Que vous cherchiez du bleu royal pour des accessoires élégants, vert émeraude pour les composants industriels, ou toute autre couleur frappante, ZMSH fournit des pierres précieuses qui combinent beauté, consistance et résistance.Notre expertise dans la production de saphirs synthétiques nous permet de répondre aux besoins de diverses industries, assurant une qualité fiable et des pratiques éthiques dans chaque commande.
Étude de cas: La percée de ZMSH avec le nouveau substrat 4H/6H-P 3C-N SiC
Introduction au projet ZMSH a toujours été à l'avant-garde de l'innovation en matière de plaquettes et de substrats en carbure de silicium (SiC), connue pour ses performances élevées6H-SiCet4H-SiCEn réponse à la demande croissante de matériaux plus performants dans les applications à haute puissance et à haute fréquence,ZMSH a élargi son offre de produits avec l'introduction de la4H/6H-P 3C-N SiCCe nouveau produit représente un bond technologique important en combinant lesSiC de type poly 4H/6Hdes substrats avec des caractéristiques innovantes3C-N SiCLes films offrent un nouveau niveau de performance et d'efficacité pour les appareils de nouvelle génération. Résumé des produits existants: Substrats 6H-SiC et 4H-SiC Principales caractéristiques Structure cristalline: Le 6H-SiC et le 4H-SiC possèdent des structures cristallines hexagonales.considérant que le 4H-SiC possède une mobilité électronique plus élevée et une bande passante plus large de 3.2 eV, ce qui le rend adapté aux applications à haute fréquence et à haute puissance. Conductivité électrique: Disponible en version N et en version semi-isolante, ce qui permet une flexibilité pour les différents besoins du dispositif. Conductivité thermique: Ces substrats présentent des conductivités thermiques allant de 3,2 à 4,9 W/cm·K, ce qui est essentiel pour dissiper la chaleur dans des environnements à haute température. Résistance mécanique: Les substrats présentent une dureté de Mohs de 9.2, offrant robustesse et durabilité pour une utilisation dans des applications exigeantes. Utilisations typiques: couramment utilisé dans l'électronique de puissance, les appareils à haute fréquence et les environnements nécessitant une résistance aux températures élevées et aux rayonnements. Les défisPendant que6H-SiCet4H-SiCIls rencontrent certaines limitations dans des scénarios spécifiques à haute puissance, haute température et haute fréquence.La réduction de l'écart de bande et la réduction de l'écart de bande limitent leur efficacité pour les applications de nouvelle génération.Le marché exige de plus en plus des matériaux avec des performances améliorées et moins de défauts pour assurer une plus grande efficacité opérationnelle. Nouvelles innovations en matière de produits: Substrats de SiC 4H/6H-P 3C-N Pour surmonter les limites de ses anciens substrats SiC, ZMSH a développé le4H/6H-P 3C-N SiCCe nouveau produit tire parti decroissance épitaxienned'une épaisseur n'excédant pas 10 mmSubstrats de polytype 4H/6H, offrant des propriétés électroniques et mécaniques améliorées. Les principales améliorations technologiques Polytypes et intégration de filmsLe3C-SiCles films sont cultivés par épitaxie en utilisantdépôt de vapeur chimique (CVD)surSubstrats de 4H/6H, ce qui réduit considérablement le déséquilibre du réseau et la densité des défauts, ce qui améliore l'intégrité du matériau. Mobilité améliorée des électronsLe3C-SiCLe film offre une mobilité électronique supérieure par rapport à laSubstrats de 4H/6H, ce qui le rend idéal pour les applications à haute fréquence. Amélioration de la tension de rupture: Les essais indiquent que le nouveau substrat offre une tension de rupture nettement plus élevée, ce qui le rend plus adapté aux applications à forte consommation d'énergie. Réduction des défauts: Les techniques de croissance optimisées minimisent les défauts et les dislocations des cristaux, assurant ainsi une stabilité à long terme dans des environnements difficiles. Capacités optoélectroniques: Le film 3C-SiC présente également des caractéristiques optoélectroniques uniques, particulièrement utiles pour les détecteurs ultraviolets et diverses autres applications optoélectroniques. Avantages du nouveau substrat 4H/6H-P 3C-N SiC Mobilité électronique et résistance à la décomposition plus élevéesLe3C-N SiCLe film assure une stabilité et une efficacité supérieures dans les appareils à haute puissance et à haute fréquence, ce qui se traduit par une durée de vie plus longue et des performances plus élevées. Amélioration de la conductivité thermique et de la stabilité: Avec des capacités de dissipation de chaleur améliorées et une stabilité à température élevée (plus de 1000°C), le substrat est bien adapté aux applications à haute température. Applications optoélectroniques étendues: Les propriétés optoélectroniques du substrat élargissent son champ d'application, le rendant idéal pour les capteurs ultraviolets et autres appareils optoélectroniques avancés. Augmentation de la durabilité chimique: Le nouveau substrat présente une plus grande résistance à la corrosion chimique et à l'oxydation, ce qui est essentiel pour une utilisation dans des environnements industriels difficiles. Domaines d'application Le4H/6H-P 3C-N SiCLe substrat est idéal pour un large éventail d'applications de pointe en raison de ses propriétés électriques, thermiques et optoélectroniques avancées: Électronique de puissance: Sa tension de rupture supérieure et sa gestion thermique en font le substrat de choix pour les appareils de haute puissance tels que:Les MOSFET,Les IGBT, etDiodes de Schottky. Appareils à RF et à micro-ondes: La grande mobilité des électrons assure des performances exceptionnelles en haute fréquenceRFetappareils à micro-ondes. Détecteurs ultraviolets et optoélectronique: Les propriétés optoélectroniques de3C-SiCle rendre particulièrement adapté auxDétection UVet divers capteurs optoélectroniques. Conclusion et recommandation du produit Le lancement de la ZMSH4H/6H-P 3C-N SiCCe produit innovant, avec sa mobilité électronique améliorée, sa densité de défaut réduite,et une amélioration de la tension de rupture, est bien placée pour répondre aux demandes croissantes des marchés de la puissance, de la fréquence et de l'optoélectronique.Sa stabilité à long terme dans des conditions extrêmes en fait également un choix très fiable pour une gamme d'applications. La ZMSH encourage ses clients à adopter les4H/6H-P 3C-N SiCle substrat pour tirer parti de ses capacités de performance de pointe.Ce produit répond non seulement aux exigences strictes des appareils de nouvelle génération, mais aide également les clients à obtenir un avantage concurrentiel sur un marché en évolution rapide.   Recommandation de produit   Substrate SiC de type N de 3C de 4 pouces Substrate de carbure de silicium épais de 350um de qualité primaire de qualité factice       - supporter les personnalisés avec des illustrations de design   - un cristal cube (3C SiC), fabriqué à partir de monocristal SiC   - Haute dureté, dureté de Mohs atteint 9.2, juste derrière le diamant.   - une excellente conductivité thermique, adaptée aux environnements à haute température.   - des caractéristiques de large bande passante, adaptées aux appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance.
Comment le stress se développe-t-il dans les matériaux en quartz ?
Comment le stress se développe-t-il dans les matériaux de quartz?     1.Stress thermique pendant le refroidissement (cause principale) Le verre au quartz développe une contrainte interne lorsqu'il est exposé à des températures non uniformes.le verre au quartz présente une structure atomique spécifique qui est la plus "adaptable" ou stable dans ces conditions thermiquesL'espacement entre les atomes change avec la température, ce qui est connu sous le nom d'expansion thermique.   Le stress survient généralement lorsque les régions plus chaudes tentent de s'étendre mais sont limitées par les zones plus froides environnantes.les contraintes de compressionSi la température est suffisamment élevée pour ramollir le verre au quartz, la contrainte peut être atténuée.si le refroidissement est trop rapide, la viscosité du matériau augmente trop rapidement et la structure atomique ne peut pas s'adapter à temps à la chute de température.les contraintes de traction, ce qui est plus susceptible de causer des dommages structurels.   La tension augmente progressivement à mesure que la température baisse et peut atteindre des niveaux élevés après la fin du refroidissement.10^4,6 équilibre, la température est désignée par le termepoint de contrainteÀ ce stade, la viscosité est trop élevée pour que la relaxation du stress se produise.     NormalementDéformé           2.Stress dû à la transition de phase et au relâchement structurel   Relaxation structurelle méta-stable: à l'état fondu, le quartz présente une disposition atomique très désordonnée.en raison de la viscosité élevée de l'état vitreux, le mouvement atomique est limité, laissant la structure dans un étatétat méta-stableCela génèrestress de relaxation, qui peut être libérée lentement au fil du temps (comme observé dans levieillissementle phénomène dans les lunettes).   Tendance à la cristallisation microscopique: Si le quartz fondu est maintenu à des températures spécifiques (par exemple, près de latempérature de dévitrificationLa plupart des cas de décoloration sont observés dans les zones où les dépôts sont plus élevés que dans les autres zones.les microcrystals de cristobaliteLe déséquilibre de volume entre les phases cristallines et amorphes peut induire descontrainte de transition de phase.       3.Charges extérieures et actions mécaniques 1) Stress induit lors de l'usinage Le traitement mécanique comme la découpe, le broyage et le polissage peut introduiredistorsion du réseau de surface, ce qui entraîne:contraintes d'usinagePar exemple, la coupe avec une meule génère une chaleur localisée et une pression mécanique au bord, ce qui conduit à une concentration de contraintes.Des techniques incorrectes lors du forage ou de la fente peuvent créer des encoches qui agissent comme desles sites d'initiation des fissures.   2) Stress de charge dans les environnements de service Lorsqu'il est utilisé comme matériau de construction, le quartz fondu peut portercharges mécaniquescomme la pression ou la flexion, générantles contraintes macroscopiquesPar exemple, les récipients de quartz contenant des substances lourdes développent des contraintes de flexion.       4.Choc thermique et changements soudains de température 1) Stress instantané dû au chauffage ou au refroidissement rapides Bien que le quartz fondu ait un coefficient de dilatation thermique extrêmement faible (~ 0,5 × 10−6 °C),changements de température rapides(par exemple, le chauffage à haute température ou l'immersion dans de l'eau glacée) peut entraîner une expansion ou une contraction thermique localisée, provoquant desune contrainte thermique instantanéeLes ustensiles de verre de laboratoire en quartz peuvent se fracturer sous de tels chocs thermiques. 2) Fluctuations cycliques de température Sousenvironnements thermiques cycliques à long terme(par exemple, revêtements de fours ou fenêtres optiques à haute température), une expansion et une contraction thermiques répétées peuvent s'accumulerstress lié à la fatigue, accélérant le vieillissement et la fissuration des matériaux.           5.Effets chimiques et couplage de contraintes 1) Stress de corrosion et de dissolution Lorsque le quartz fondu entre en contact avecsolutions alcalines fortes(par exemple, NaOH) ougaz acides à haute température(par exemple, HF), sa surface peut être exposée à descorrosion ou dissolution chimique, perturbant l'uniformité structurelle et provoquantstress chimiqueL' attaque alcaline peut provoquer des changements de volume de surface ou de formemicro-fissures. 2) Le stress provoqué par les maladies cardiovasculaires Dansdépôt de vapeur chimique (CVD)procédés de revêtement du quartz avec des matériaux tels queSiCpeut introduireles contraintes interfacialesEn cas de refroidissement, ces contraintes peuvent provoquer des déformations de l'appareil, notamment en raison d'un décalage des coefficients de dilatation thermique ou du module élastique entre le film et le substrat.délamination de film ou fissuration de substrat.     6.Les défauts et les impuretés internes 1) Boules et impuretés incrustées Au cours de la fusion, les résidusboules de gazoules impuretésLa différence entre les propriétés physiques (par exemple, les ions métalliques ou les particules non fondues) peut être piégée dans le quartz fondu.Le coefficient de dilatation thermique (ou module) entre ces inclusions et le verre environnant peut entraînerconcentration de contrainte localisée, augmentant le risque deformation de fissures autour des bullessous charge. 2) Micro-fissures et défauts structurels Des impuretés dans les matières premières ou des défauts de fusion peuvent entraînermicro-fissureslorsqu'ils sont soumis à des charges externes ou à des fluctuations de température,concentration de contrainte à l'extrémité de la fissurepeut s'intensifier, accélérerpropagation des fissureset finalement compromettre l'intégrité du matériau.   Nos produits Je suis désolée.    

2025

07/02

Vue d'ensemble des céramiques avancées utilisées dans les équipements semi-conducteurs
Aperçu complet des céramiques avancées utilisées dans les équipements de semi-conducteurs   Les composants céramiques de précision sont des éléments essentiels dans les équipements de base pour les principaux processus de fabrication de semi-conducteurs tels que la photolithographie, la gravure, le dépôt de couches minces, l'implantation ionique et le CMP. Ces pièces—notamment les roulements, les rails de guidage, les revêtements de chambre, les porte-plaquettes électrostatiques et les bras robotiques—sont particulièrement critiques à l'intérieur des chambres de traitement, où elles assurent des fonctions telles que le support, la protection et le contrôle du débit. Cet article fournit un aperçu systématique de la manière dont les céramiques de précision sont appliquées dans les principaux équipements de fabrication de semi-conducteurs.       Processus Front-End : Céramiques de précision dans les équipements de fabrication de plaquettes 1. Équipement de photolithographie   Pour garantir une grande précision de traitement dans les systèmes de photolithographie avancés, une large gamme de composants céramiques avec une excellente multifonctionnalité, une stabilité structurelle, une résistance thermique et une précision dimensionnelle est utilisée. Ceux-ci incluent les porte-plaquettes électrostatiques, les porte-plaquettes à vide, les blocs, les bases magnétiques refroidies à l'eau, les réflecteurs, les rails de guidage, les plateaux et les porte-masques.   Principaux composants céramiques : Porte-plaquette électrostatique, table de mouvement   Matériaux principaux :Porte-plaquettes électrostatiques : Alumine (Al₂O₃), Nitrure de silicium (Si₃N₄), Tables de mouvement : Céramiques de cordiérite, carbure de silicium (SiC)   Défis techniques : Conception de structure complexe, contrôle des matières premières et frittage, gestion de la température et usinage de haute précision. Le système de matériaux des tables de mouvement de lithographie est crucial pour obtenir une grande précision et une grande vitesse de balayage. Les matériaux doivent présenter une rigidité spécifique élevée et une faible dilatation thermique pour résister aux mouvements à grande vitesse avec une distorsion minimale—améliorant ainsi le débit et maintenant la précision.       2. Équipement de gravure   La gravure est essentielle pour transférer les motifs de circuits du masque à la plaquette. Les principaux composants céramiques utilisés dans les outils de gravure comprennent la chambre, la fenêtre d'observation, la plaque de distribution de gaz, les buses, les bagues isolantes, les plaques de recouvrement, les bagues de focalisation et les porte-plaquettes électrostatiques. Principaux composants céramiques : Porte-plaquette électrostatique, bague de focalisation, plaque de distribution de gaz   Principaux matériaux céramiques : Quartz, SiC, AlN, Al₂O₃, Si₃N₄, Y₂O₃     Chambre de gravure : Avec la réduction des géométries des dispositifs, des contrôles de contamination plus stricts sont requis. Les céramiques sont préférées aux métaux pour éviter la contamination par les particules et les ions métalliques.     Exigences matérielles : Haute pureté, contamination métallique minimale Chimiquement inerte, en particulier aux gaz de gravure à base d'halogène Haute densité, porosité minimale Grain fin, faible teneur en joints de grains Bonne usinabilité mécanique Propriétés électriques ou thermiques spécifiques si nécessaire   Plaque de distribution de gaz : Composées de centaines ou de milliers de micro-trous percés avec précision, ces plaques distribuent uniformément les gaz de traitement, assurant un dépôt/gravure constant.   Défis : Les exigences en matière d'uniformité du diamètre des trous et de parois intérieures sans bavures sont extrêmement élevées. Même de légers écarts peuvent entraîner une variation de l'épaisseur du film et une perte de rendement.   Matériaux principaux : SiC CVD, alumine, nitrure de silicium   Bague de focalisation : Conçue pour équilibrer l'uniformité du plasma et correspondre à la conductivité de la plaquette de silicium. Comparé au silicium conducteur traditionnel (qui réagit avec le plasma de fluor pour former du SiF₄ volatil), le SiC offre une conductivité similaire et une résistance supérieure au plasma, permettant une durée de vie plus longue.   Matériau : Carbure de silicium (SiC) ​       3. Équipement de dépôt de couches minces (CVD / PVD)     Dans les systèmes CVD et PVD, les principales pièces céramiques comprennent les porte-plaquettes électrostatiques, les plaques de distribution de gaz, les résistances et les revêtements de chambre. Principaux composants céramiques : Porte-plaquette électrostatique, résistance céramique   Matériaux principaux : Résistances : Nitrure d'aluminium (AlN), alumine (Al₂O₃)   Résistance céramique : Un composant essentiel situé à l'intérieur de la chambre de traitement, directement en contact avec la plaquette. Il supporte la plaquette et assure des températures de traitement uniformes et stables sur toute sa surface. ​   Processus Back-End : Céramiques de précision dans les équipements d'emballage et de test       1. CMP (Polissage Chimico-Mécanique) L'équipement CMP utilise des plaques de polissage en céramique, des bras de manipulation, des plates-formes d'alignement et des porte-plaquettes à vide pour une planarisation de surface de haute précision.   2. Équipement de découpe et d'emballage de plaquettes Principaux composants céramiques : Lames de découpe : Composites diamant-céramique, vitesse de coupe ~300 mm/s, écaillage des bords

2025

07/02

Points clés dans la préparation de monocristaux de carbure de silicium de haute qualité
Méthodes de préparation des monocristaux de SiC : focus sur la méthode PVT   Les principales méthodes de préparation des monocristaux de carbure de silicium (SiC) comprennent le transport physique en phase vapeur (PVT), la croissance par solution avec ensemencement supérieur (TSSG) et le dépôt chimique en phase vapeur à haute température (HT-CVD). Parmi celles-ci, la méthode PVT est la plus largement adoptée dans la production industrielle en raison de la simplicité de son équipement, de sa facilité de contrôle, du coût relativement faible de l'équipement et des dépenses d'exploitation.     Technologies clés dans la croissance PVT des cristaux de SiC Schéma de la structure de croissance PVT       Les considérations clés pour la croissance des cristaux de SiC en utilisant la méthode du transport physique en phase vapeur (PVT) comprennent :   Pureté des matériaux en graphite dans le champ thermique La teneur en impuretés des pièces en graphite doit être inférieure à 5×10⁻⁶, et la teneur en impuretés dans le feutre isolant doit être inférieure à 10×10⁻⁶. Les concentrations de bore (B) et d'aluminium (Al) doivent être inférieures à 0,1×10⁻⁶.   Sélection correcte de la polarité du cristal de semence La face C (0001) est adaptée à la croissance des cristaux 4H-SiC. La face Si (0001) est adaptée à la croissance des cristaux 6H-SiC.   Utilisation de cristaux de semence hors axe Les semences hors axe modifient la symétrie de croissance et aident à réduire la formation de défauts dans le cristal.   Bon processus de liaison des cristaux de semence Assure la stabilité mécanique et l'uniformité pendant le processus de croissance.   Interface de croissance stable pendant le processus Le maintien d'une interface solide-gaz stable est crucial pour la formation de cristaux de haute qualité.     Technologies critiques pour la croissance des cristaux de SiC   Technologie de dopage dans la poudre de SiC Le dopage au cérium (Ce) dans la poudre source favorise la croissance stable des cristaux 4H-SiC monophasés. Les avantages incluent une augmentation du taux de croissance, une amélioration du contrôle de l'orientation, une réduction des impuretés et des défauts, ainsi qu'une amélioration de la stabilité monophasée et de la qualité des cristaux. Il aide également à supprimer l'érosion du dos et améliore la monocristallinité.   Contrôle des gradients thermiques axiaux et radiaux Le gradient thermique axial affecte la stabilité des polytypes et l'efficacité de la croissance. De faibles gradients peuvent entraîner des polytypes indésirables et une réduction du transport de matière. Des gradients axiaux et radiaux appropriés assurent une croissance rapide et une qualité de cristal stable.   Contrôle des dislocations du plan basal (BPD) Les BPD sont causées par une contrainte de cisaillement dépassant la contrainte de cisaillement critique du SiC. Ces défauts se forment pendant les étapes de croissance et de refroidissement en raison de l'activation du système de glissement. La réduction des contraintes internes minimise la formation de BPD.   Contrôle du rapport de composition de la phase gazeuse Un rapport carbone/silicium plus élevé dans la phase gazeuse aide à supprimer la conversion des polytypes. Il réduit le grand empilement de marches, maintient les informations de la surface de croissance et améliore la stabilité des polytypes.   ​   Contrôle de la croissance à faible contrainte Les contraintes internes entraînent une flexion du réseau, des fissures du cristal et une augmentation des BPD, ce qui a un impact négatif sur l'épitaxie et les performances des dispositifs. Les principales stratégies de réduction des contraintes comprennent :   L'optimisation du champ thermique et des paramètres de processus pour se rapprocher de la croissance à l'équilibre.   La refonte de la structure du creuset pour permettre la dilatation libre du cristal.   L'ajustement des méthodes de liaison des semences, par exemple, en laissant un espace de 2 mm entre la semence et le support en graphite pour tenir compte des différences de dilatation thermique.   Le contrôle du recuit post-croissance, y compris le refroidissement in situ du four et les paramètres de recuit optimisés pour libérer les contraintes résiduelles.     Tendances de développement de la technologie de croissance des cristaux de SiC   À l'avenir, la croissance de monocristaux de SiC de haute qualité progressera dans les directions suivantes :   Taille de plaquette plus grande Le diamètre des plaquettes de SiC est passé de quelques millimètres à 6 pouces, 8 pouces, et même 12 pouces. Les plaquettes plus grandes améliorent l'efficacité de la production, réduisent les coûts et répondent aux exigences des dispositifs haute puissance.   Qualité supérieure Bien que la qualité des cristaux de SiC se soit considérablement améliorée, des défauts tels que les micropipes, les dislocations et les impuretés persistent. L'élimination de ces défauts est essentielle pour garantir les performances et la fiabilité des dispositifs.   Coût inférieur Le coût élevé actuel des cristaux de SiC limite leur adoption généralisée. Des réductions de coûts peuvent être obtenues grâce à l'optimisation des processus, à l'amélioration de l'efficacité et à des matières premières moins chères.     Conclusion : La croissance de monocristaux de SiC de haute qualité est un domaine clé de la recherche sur les matériaux semi-conducteurs. Grâce aux progrès technologiques continus, les techniques de croissance des cristaux de SiC évolueront davantage, jetant ainsi des bases solides pour son application dans l'électronique haute température, haute fréquence et haute puissance.   Nos produits :  

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