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L'étude de cas ZMSH: le premier fournisseur de saphirs synthétiques de haute qualité
L'étude de cas ZMSH: le premier fournisseur de saphirs synthétiques de haute qualité     Introduction au projetZMSH est un nom de premier plan dans l'industrie des pierres précieuses synthétiques, fournissant une large gamme de saphirs de haute qualité et aux couleurs vives.Notre offre comprend une large palette de couleurs comme le bleu royal, rouge vif, jaune, rose, rose-orange, violet et plusieurs tons verts, y compris l'émeraude et le vert olive.La ZMSH est devenue un partenaire privilégié pour les entreprises qui ont besoin deDes pierres précieuses synthétiques durables. Des pierres précieuses synthétiquesAu cœur de la gamme de produits de ZMSH sont des saphirs synthétiques qui imitent la brillance et la qualité des pierres précieuses naturelles tout en offrant de nombreux avantages.Ces saphirs sont soigneusement fabriqués pour obtenir une consistance de couleur exceptionnelle et une durabilité, ce qui en fait une alternative supérieure aux pierres naturelles. Les bienfaits du saphir synthétique Une cohérence inégaléeNos saphirs fabriqués en laboratoire sont produits dans des conditions contrôlées, ce qui garantit une qualité impeccable.sans les variations de couleur et de clarté souvent observées dans les pierres précieuses extraites. Sélection de couleurs: ZMSH offre une gamme diversifiée de couleurs, y compris bleu royal, rouge rubis, et des tons plus doux comme rose et rose-orange.adaptés aux exigences spécifiques des clientsCette flexibilité dans la personnalisation des couleurs et des tons rend nos saphirs parfaits pour un large éventail de conceptions et d'utilisations industrielles. Des prix abordables: Les saphirs cultivés en laboratoire offrent une alternative moins coûteuse sans sacrifier l'attrait visuel ou l'intégrité structurelle.Ils offrent une excellente valeur pour les clients qui ont besoin de pierres précieuses de haute qualité à une fraction du coût des pierres naturelles, ce qui les rend idéales à la fois pour les produits de luxe et les applications pratiques. Saine pour l'environnement et pour l'éthique: En optant pour des pierres précieuses synthétiques, les clients peuvent éviter les dommages environnementaux et les préoccupations éthiques souvent associées à l'extraction traditionnelle de pierres précieuses.Les saphirs synthétiques de ZMSH sont créés de manière écologique, offrant un choix durable et responsable. Forte et polyvalente: Les saphirs synthétiques ont la même dureté que leurs homologues naturels, ce qui les rend idéaux pour une variété d'utilisations, des bijoux haut de gamme aux applications industrielles.Avec une dureté de 9 sur l'échelle de Mohs, ces pierres précieuses assurent une durabilité durable dans tous les contextes   ConclusionZMSH se consacre à la fourniture de saphirs synthétiques de couleur de premier ordre, offrant aux clients une gamme de solutions de pierres précieuses personnalisables, rentables et durables.Que vous cherchiez du bleu royal pour des accessoires élégants, vert émeraude pour les composants industriels, ou toute autre couleur frappante, ZMSH fournit des pierres précieuses qui combinent beauté, consistance et résistance.Notre expertise dans la production de saphirs synthétiques nous permet de répondre aux besoins de diverses industries, assurant une qualité fiable et des pratiques éthiques dans chaque commande.
Étude de cas: La percée de ZMSH avec le nouveau substrat 4H/6H-P 3C-N SiC
Introduction au projet ZMSH a toujours été à l'avant-garde de l'innovation en matière de plaquettes et de substrats en carbure de silicium (SiC), connue pour ses performances élevées6H-SiCet4H-SiCEn réponse à la demande croissante de matériaux plus performants dans les applications à haute puissance et à haute fréquence,ZMSH a élargi son offre de produits avec l'introduction de la4H/6H-P 3C-N SiCCe nouveau produit représente un bond technologique important en combinant lesSiC de type poly 4H/6Hdes substrats avec des caractéristiques innovantes3C-N SiCLes films offrent un nouveau niveau de performance et d'efficacité pour les appareils de nouvelle génération. Résumé des produits existants: Substrats 6H-SiC et 4H-SiC Principales caractéristiques Structure cristalline: Le 6H-SiC et le 4H-SiC possèdent des structures cristallines hexagonales.considérant que le 4H-SiC possède une mobilité électronique plus élevée et une bande passante plus large de 3.2 eV, ce qui le rend adapté aux applications à haute fréquence et à haute puissance. Conductivité électrique: Disponible en version N et en version semi-isolante, ce qui permet une flexibilité pour les différents besoins du dispositif. Conductivité thermique: Ces substrats présentent des conductivités thermiques allant de 3,2 à 4,9 W/cm·K, ce qui est essentiel pour dissiper la chaleur dans des environnements à haute température. Résistance mécanique: Les substrats présentent une dureté de Mohs de 9.2, offrant robustesse et durabilité pour une utilisation dans des applications exigeantes. Utilisations typiques: couramment utilisé dans l'électronique de puissance, les appareils à haute fréquence et les environnements nécessitant une résistance aux températures élevées et aux rayonnements. Les défisPendant que6H-SiCet4H-SiCIls rencontrent certaines limitations dans des scénarios spécifiques à haute puissance, haute température et haute fréquence.La réduction de l'écart de bande et la réduction de l'écart de bande limitent leur efficacité pour les applications de nouvelle génération.Le marché exige de plus en plus des matériaux avec des performances améliorées et moins de défauts pour assurer une plus grande efficacité opérationnelle. Nouvelles innovations en matière de produits: Substrats de SiC 4H/6H-P 3C-N Pour surmonter les limites de ses anciens substrats SiC, ZMSH a développé le4H/6H-P 3C-N SiCCe nouveau produit tire parti decroissance épitaxienned'une épaisseur n'excédant pas 10 mmSubstrats de polytype 4H/6H, offrant des propriétés électroniques et mécaniques améliorées. Les principales améliorations technologiques Polytypes et intégration de filmsLe3C-SiCles films sont cultivés par épitaxie en utilisantdépôt de vapeur chimique (CVD)surSubstrats de 4H/6H, ce qui réduit considérablement le déséquilibre du réseau et la densité des défauts, ce qui améliore l'intégrité du matériau. Mobilité améliorée des électronsLe3C-SiCLe film offre une mobilité électronique supérieure par rapport à laSubstrats de 4H/6H, ce qui le rend idéal pour les applications à haute fréquence. Amélioration de la tension de rupture: Les essais indiquent que le nouveau substrat offre une tension de rupture nettement plus élevée, ce qui le rend plus adapté aux applications à forte consommation d'énergie. Réduction des défauts: Les techniques de croissance optimisées minimisent les défauts et les dislocations des cristaux, assurant ainsi une stabilité à long terme dans des environnements difficiles. Capacités optoélectroniques: Le film 3C-SiC présente également des caractéristiques optoélectroniques uniques, particulièrement utiles pour les détecteurs ultraviolets et diverses autres applications optoélectroniques. Avantages du nouveau substrat 4H/6H-P 3C-N SiC Mobilité électronique et résistance à la décomposition plus élevéesLe3C-N SiCLe film assure une stabilité et une efficacité supérieures dans les appareils à haute puissance et à haute fréquence, ce qui se traduit par une durée de vie plus longue et des performances plus élevées. Amélioration de la conductivité thermique et de la stabilité: Avec des capacités de dissipation de chaleur améliorées et une stabilité à température élevée (plus de 1000°C), le substrat est bien adapté aux applications à haute température. Applications optoélectroniques étendues: Les propriétés optoélectroniques du substrat élargissent son champ d'application, le rendant idéal pour les capteurs ultraviolets et autres appareils optoélectroniques avancés. Augmentation de la durabilité chimique: Le nouveau substrat présente une plus grande résistance à la corrosion chimique et à l'oxydation, ce qui est essentiel pour une utilisation dans des environnements industriels difficiles. Domaines d'application Le4H/6H-P 3C-N SiCLe substrat est idéal pour un large éventail d'applications de pointe en raison de ses propriétés électriques, thermiques et optoélectroniques avancées: Électronique de puissance: Sa tension de rupture supérieure et sa gestion thermique en font le substrat de choix pour les appareils de haute puissance tels que:Les MOSFET,Les IGBT, etDiodes de Schottky. Appareils à RF et à micro-ondes: La grande mobilité des électrons assure des performances exceptionnelles en haute fréquenceRFetappareils à micro-ondes. Détecteurs ultraviolets et optoélectronique: Les propriétés optoélectroniques de3C-SiCle rendre particulièrement adapté auxDétection UVet divers capteurs optoélectroniques. Conclusion et recommandation du produit Le lancement de la ZMSH4H/6H-P 3C-N SiCCe produit innovant, avec sa mobilité électronique améliorée, sa densité de défaut réduite,et une amélioration de la tension de rupture, est bien placée pour répondre aux demandes croissantes des marchés de la puissance, de la fréquence et de l'optoélectronique.Sa stabilité à long terme dans des conditions extrêmes en fait également un choix très fiable pour une gamme d'applications. La ZMSH encourage ses clients à adopter les4H/6H-P 3C-N SiCle substrat pour tirer parti de ses capacités de performance de pointe.Ce produit répond non seulement aux exigences strictes des appareils de nouvelle génération, mais aide également les clients à obtenir un avantage concurrentiel sur un marché en évolution rapide.   Recommandation de produit   Substrate SiC de type N de 3C de 4 pouces Substrate de carbure de silicium épais de 350um de qualité primaire de qualité factice       - supporter les personnalisés avec des illustrations de design   - un cristal cube (3C SiC), fabriqué à partir de monocristal SiC   - Haute dureté, dureté de Mohs atteint 9.2, juste derrière le diamant.   - une excellente conductivité thermique, adaptée aux environnements à haute température.   - des caractéristiques de large bande passante, adaptées aux appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance.
Les lunettes AR au carbure de silicium débutaient!
Le 26 septembre, selon le micro-message officiel de West Lake Science and Technology, by West Lake University and its incubation enterprise Mu De Wei Na led the research of the "extreme thin and thin silicon carbide AR diffraction optical waveguide" scientific and technological achievements in September 24Il ressemble à des lunettes de soleil ordinaires, mais comparé aux lunettes AR traditionnelles, il est plus mince et plus léger.avec un poids unique de seulement 20,7 grammes et une épaisseur de seulement 0,55 mm.                Selon les rapports, dans les lunettes optiques traditionnelles à diffraction AR,l'accumulation de chaleur générée par la machine optique de projection et l'unité de détection et de calcul fera entrer l'appareil dans la protection contre la surchauffeContrairement à la méthode traditionnelle de dissipation de chaleur des jambes de miroir, ces lunettes AR au carbure de silicium utilisent la nature du matériau lui-même,grâce à une conception spéciale, utilisent de manière innovante la lentille pour la dissipation de chaleur, améliorant considérablement l'efficacité de la dissipation de chaleur.     En outre, afin d'obtenir un affichage en couleur, les verres AR traditionnels doivent généralement utiliser plusieurs couches de verre à indice de réfraction élevé pour conduire la lumière,ce qui conduit à des lentilles épaisses et inconfortablesLes lunettes AR au carbure de silicium n'ont besoin que d'un guide d'onde pour présenter une image en couleur avec un grand champ de vision.   Il convient de mentionner que Meta a lancé ses premières véritables lunettes AR, Orion, le 25 septembre.et disposent de lentilles en carbure de silicium et d'un micro-affichage Micro LED.     Analyse de TrendForce Consulting, conception optique des lunettes AR d'Orion en utilisant un guide d'onde optique par diffraction en carbure de silicium, combiné à la technologie LEDoS couleur à trois tranches de JBD,peut atteindre jusqu'à 70 degrés de champ de vision (FOV).        

2024

09/29

Technologie de croissance à cristal unique de SiC
Technologie de croissance à cristal unique de SiC     Sous pression normale, il n'y a pas de phase liquide SiC avec un rapport stéchiométrique de Si   est égal à 1:1Par conséquent, la méthode utilisant la fusion comme matière première, couramment utilisée pour la croissance des cristaux de silicium, ne peut pas être appliquée à la croissance des cristaux de SiC en vrac.Le transport physique de vapeur) est employé.Dans ce processus, la poudre de SiC est utilisée comme matière première, placée dans un creuset de graphite avec un substrat de SiC comme cristal de graine,et un gradient de température est établi avec le côté de la poudre de SiC légèrement plus chaudLa température globale est ensuite maintenue entre 2000°C et 2500°C. La méthode de sublimation utilisant des cristaux de graines de SiC est désormais appelée la méthode Lely modifiée,qui est largement utilisé pour la production de substrats SiC.   La figure 1 montre un schéma schématique de la croissance des cristaux de SiC en utilisant la méthode Lely modifiée.,Les atomes fournis se déplacent à travers la surface du cristal de graine et sont incorporés dans les positions où le cristal se forme,ainsi la croissance en vrac des cristaux simples de SiCUne atmosphère inerte, typiquement argon à basse pression, est utilisée et de l'azote est introduit lors du dopage de type n.   La méthode de sublimation est actuellement largement utilisée pour la préparation de cristaux simples de SiC.comparativement à la méthode utilisant le liquide fondu comme matière première pour la croissance de cristaux simples de SiBien que la qualité s'améliore progressivement, les cristaux contiennent encore de nombreuses dislocations et autres problèmes. En plus de la sublimation,Des tentatives ont également été faites pour préparer des cristaux simples de SiC en vrac à l'aide de méthodes telles que la croissance en phase liquide à travers une solution ou le dépôt de vapeur chimique à haute température (CVD)La figure 2 montre un schéma schématique de la méthode de croissance en phase liquide pour les monocristaux de SiC. Premièrement, en ce qui concerne la méthode de croissance en phase liquide, la solubilité du carbone dans un solvant au silicium est très faible.des éléments tels que Ti et Cr sont ajoutés au solvant pour augmenter la solubilité du carboneLe carbone est fourni par un creuset de graphite, et le cristal unique de SiC se développe à la surface du cristal de graine à une température légèrement inférieure.La température de croissance est généralement réglée entre 1500°C et 2000°CIl a été rapporté que le taux de croissance peut atteindre plusieurs centaines de micromètres par heure. L'avantage de la méthode de croissance en phase liquide pour le SiC est que, lors de la croissance des cristaux le long de la direction [0001], les dislocations s'étendant dans la direction [0001] peuvent être pliées dans la direction verticale,Les balayant hors du cristal à travers les parois latérales.Les dislocations de vis s'étendant le long de la direction [0001] sont densément présentes dans les cristaux de SiC existants et sont une source de courant de fuite dans les appareilsLa densité des dislocations de vis est significativement réduite dans les cristaux de SiC préparés par la méthode de croissance en phase liquide. Les défis dans la croissance des solutions comprennent l'augmentation du taux de croissance, l'extension de la longueur des cristaux cultivés et l'amélioration de la morphologie de surface des cristaux. La déposition chimique de vapeur à haute température (CVD) de la croissance des cristaux simples de SiC implique l'utilisation de SiH4 comme source de silicium et de C3H8 comme source de carbone dans une atmosphère d'hydrogène à basse pression,d'une teneur en silicium de 1,5% ou plus et d'une teneur en silicium de 1,5% ou plus, mais pas plus de 0,5%Les gaz bruts introduits dans le four de croissance se décomposent en molécules telles que le SiC2 et le Si2C dans la zone de décomposition entourée par une paroi chaude, et ces dernières sont transportées à la surface du cristal de semence,où le SiC monocristallin est cultivé. Les avantages de la méthode CVD à haute température comprennent la possibilité d'utiliser des gaz bruts de haute pureté, et en contrôlant le débit du gaz, le rapport C/Si dans la phase gazeuse peut être contrôlé avec précision,qui est un paramètre de croissance important qui affecte la densité de défautDans le cas de la croissance du SiC en vrac, un taux de croissance relativement rapide, supérieur à 1 mm/h, peut être atteint.les inconvénients de la méthode CVD à haute température comprennent l'accumulation importante de sous-produits de réaction à l'intérieur du four de croissance et des tuyaux d'échappement.En outre, les réactions en phase gazeuse génèrent des particules dans le flux de gaz, qui peuvent devenir des impuretés dans le cristal. La méthode CVD à haute température présente un grand potentiel pour produire des cristaux de SiC en vrac de haute qualité.une productivité plus élevée, et une densité de dislocation inférieure à la méthode de sublimation. En outre, la méthode RAF (Repeated A-Face) est considérée comme une technique basée sur la sublimation qui produit des cristaux de SiC en vrac avec moins de défauts.un cristal de graine coupé perpendiculairement à la direction [0001] est prélevé sur un cristal cultivé le long de la direction [0001]Ensuite, un autre cristal de graine est coupé perpendiculairement à cette nouvelle direction de croissance, et d'autres cristaux simples de SiC sont cultivés.les dislocations sont balayées hors du cristal, résultant en des cristaux de SiC en vrac avec moins de défauts.La densité de dislocation des cristaux de SiC préparés selon la méthode RAF est indiquée comme étant de 1 à 2 ordres de grandeur inférieure à celle des cristaux de SiC standard..       ZMSH Solution pour plaquette SiC     2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces Wafer à carbure de silicium Wafers à silicone   Une gaufre SiC est un matériau semi-conducteur qui possède d'excellentes propriétés électriques et thermiques.En plus de sa résistance thermique élevée, il présente également une dureté très élevée.  

2024

09/20

Une percée dans les micro-LED rouges AlGaInP sans défaut réalisée par gravure chimique humide
La technologie de gravure à l'eau de Vertical est prête pour la production de masse de micro-LED rouges AlGaInP   La société américaine de R&D Vertical a annoncé que sa technologie de gravure à l'humidité est maintenant prête pour la production en série de micro-LED rouges AlGaInP.Un obstacle majeur à la commercialisation des écrans micro-LED haute résolution est la réduction de la taille des puces LED tout en maintenant l'efficacité, les micro-LED rouges étant particulièrement sensibles aux baisses d'efficacité par rapport à leurs homologues bleus et verts.   La principale cause de cette diminution de l'efficacité réside dans les défauts des parois latérales créés lors de la gravure à sec à base de plasma.Les efforts ont donc été largement axés sur l'atténuation des dommages par des techniques de post-écorchage à sec telles que le traitement chimique.Cependant, ces méthodes n'offrent qu'une récupération partielle et sont moins efficaces pour les minuscules puces requises pour les écrans haute résolution.où les défauts de paroi latérale peuvent pénétrer profondément dans la puce, dépassant parfois sa taille.   Pour cette raison, la recherche de méthodes de gravure "sans défaut" est en cours depuis des années.mais ses caractéristiques isotropes peuvent entraîner une sous-cotation indésirable, ce qui le rend impropre à la gravure de petites puces comme les micro-LED.   Cependant, Vertical, une entreprise basée à San Francisco spécialisée dans les technologies LED et d'affichage, a récemment fait une percée significative.La société a développé un procédé de gravure chimique humide sans défaut pour les micro-LED rouges AlGaInP, spécifiquement axée sur les défis de la gravure sur planche.   Le PDG Mike Yoo a déclaré que Vertical est prêt à mettre à l'échelle cette technologie de gravure humide pour la production de masse,accélération de l'adoption commerciale des écrans micro-LED pour des applications allant des grands écrans aux écrans à vue directe.     Comparer les défauts des parois latérales dans les gravures humides et sèches   Pour mieux comprendre l'impact des défauts des parois latérales, Vertical a comparé les micro-LED rouges AlGaInP gravés humides et secs à l'aide d'une analyse de cathodoluminescence (CL).un faisceau d'électrons génère des paires de trous électroniques à l'intérieur de la surface de la micro-LED, et la recombinaison radiative dans le cristal non endommagé produit des images d'émission lumineuses. Les images et les spectres CL révèlent un contraste frappant entre les deux méthodes de gravure.avec une surface d'émission plus de trois fois supérieure à celle des LED à séchage, selon Mike Yoo.   Notamment, la profondeur de pénétration des défauts des parois latérales pour les micro-LED gravés à sec est d'environ 7 μm, tandis que la profondeur pour les micro-LED gravés à l'humidité est presque inexistante, mesurant moins de 0,2 μm.,Les résultats de CL suggèrent qu'il y a peu, voire pas, de micro-LEDs de couleur rouge qui sont utilisés pour les LEDs de couleur rouge.défauts de paroi latérale présents dans les micro-LED rouges AlGaInP gravés à l'humidité.         Chez ZMSH, vous pouvez en obtenir plus avec nos produits haut de gamme, nous proposons des plaquettes DFB avec des substrats N-InP, avec des couches actives d'InGaAlAs/InGaAsP, disponibles en 2, 4 et 6 pouces,spécialement conçus pour les applications de capteurs de gazNous fournissons également des épi-plaquettes InP FP de haute qualité avec des substrats InP de type n/p, disponibles en 2, 3 et 4 pouces, avec des épaisseurs allant de 350 à 650 μm,idéal pour les applications de réseaux optiquesNos produits sont conçus pour répondre aux exigences précises des technologies avancées, assurant des performances fiables et des options de personnalisation.     Wafer DFB N-InP substrat épiwafer couche active InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pouces pour le capteur de gaz   Une plaque à rétroaction distribuée (DFB) sur un substrat à phosphure d'indium de type n (N-InP) est un matériau critique utilisé dans la production de diodes laser DFB hautes performances.Ces lasers sont essentiels pour les applications nécessitant un mode uniqueLes lasers DFB fonctionnent généralement dans les plages de longueurs d'onde de 1,3 μm et 1,55 μm.qui sont optimaux pour la communication par fibre optique en raison de la transmission à faible perte dans les fibres optiques.   (Cliquez sur l'image pour plus de détails)   InP FP epiwafer InP substrat n/p type 2 3 4 pouces avec une épaisseur de 350-650um pour le travail des réseaux optiques   L'épiwafer à phosphure d'indium (InP) est un matériau clé utilisé dans les appareils optoélectroniques avancés, en particulier les diodes laser Fabry-Perot (FP).Les épi-wafers InP sont constitués de couches cultivées par épitaxie sur un substrat InP., conçus pour des applications hautes performances dans les télécommunications, les centres de données et les technologies de détection. (Cliquez sur l'image pour plus de détails)        

2024

09/06