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Sic substrat

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Sic substrat

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La Chine Plaquette épitaxiale SiC 6 pouces ultra-haute tension 100–500 µm pour dispositifs MOSFET usine

Plaquette épitaxiale SiC 6 pouces ultra-haute tension 100–500 µm pour dispositifs MOSFET

Présentation principale de la plaquette épitaxiale SiC ultra-haute tension de 6 pouces Plaquette épitaxiale SiC ultra-haute tension de 6 pouces 100–500 μm pour dispositifs MOSFET Ce produit est une couche ... Lire la suite
2025-08-29 14:40:56
La Chine Fenêtres optiques carrées personnalisées en cristal de carbure de silicium Moissanite verte, haute dureté usine

Fenêtres optiques carrées personnalisées en cristal de carbure de silicium Moissanite verte, haute dureté

Vue d'ensemble de la fenêtre carrée en moissanite verte Fenêtres optiques carrées personnalisées Moissanite vert SiC Cristal Haute dureté La fenêtre carrée en moissanite verte est une plate-forme optique de ... Lire la suite
2025-08-28 11:15:32
La Chine Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant film de SiC de 100 à 150 mm SUR silicium usine

Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant film de SiC de 100 à 150 mm SUR silicium

Vue d'ensemble des plaquettes SICOI Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant film de SiC de 100 à 150 mm SUR silicium Catégorie de fonctionnalité Paramètres/Performance spécifiques ... Lire la suite
2025-08-14 11:19:19
La Chine 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrats 3C-N Type MOS Grade usine

2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrats 3C-N Type MOS Grade

Résumé des substrats 3C-SiC 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 5 × 5 mm 10 × 10 mm 4 H-SiC Substrats 3C-N Type MOS Grade Le substrat de carbure de silicium de type 3C-N (3C-SiC) est un matériau semi-conducteur ... Lire la suite
2025-08-14 11:19:17
La Chine Substrat 3C-SiC de type N, qualité produit pour les communications 5G usine

Substrat 3C-SiC de type N, qualité produit pour les communications 5G

Description du produit du substrat 3C-SiC Substrate 3C-SiC de type N Grade de produit pour les communications 5G ZMSH est spécialisée dans la R&D et la production de matériaux semi-conducteurs de troisième gén... Lire la suite
2025-08-14 11:19:16
La Chine Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline usine

Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline

Résumé Poudre de carbure de silicium (SiC) de haute pureté 99,9999% (6N) HPSI de type 100 μm Taille de particule SIC Croissance cristalline La poudre de carbure de silicium (SiC), en tant que matériau de base ... Lire la suite
2025-08-14 11:19:05
La Chine Substrate SiC 6 pouces 8 pouces 4H-SEMI pour lunettes AR de qualité optique usine

Substrate SiC 6 pouces 8 pouces 4H-SEMI pour lunettes AR de qualité optique

​​Présentation du substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces et 8 pouces​​ ​​Substrat SiC de type 4H-SEMI de qualité optique de 6 pouces et 8 pouces pour lunettes de réalité augmentée​​ Un substrat 4H-SiC de qualité ... Lire la suite
2025-08-08 11:34:11
La Chine Substrat SiC 6 pouces 4H-SEMI pour lunettes AR et appareils RF 5G usine

Substrat SiC 6 pouces 4H-SEMI pour lunettes AR et appareils RF 5G

​​Présentation du substrat SiC 4H-SEMI de 6 pouces​​ Substrat SiC de type 4H-SEMI de 6 pouces pour lunettes AR Le substrat en carbure de silicium (SiC) 4H-SEMI de 6 pouces est un matériau semi-conducteur à ... Lire la suite
2025-08-08 11:34:11
La Chine Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance usine

Substrat SiC de type 4H-N, plaquette de 10x10mm pour l'électronique de puissance

Le petit wafer SiC 10×10 est un produit semi-conducteur haute performance développé à partir du carbure de silicium (SiC), un matériau semi-conducteur de troisième génération. Fabriqué à l'aide des procédés de ... Lire la suite
2025-07-31 09:09:08
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