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Gaufrette de nitrure de gallium

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Gaufrette de nitrure de gallium

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La Chine gaufrettes de 4Inch 6INCH GaN-sur-SI GaN-sur-SIC Epi pour l'application de rf usine

gaufrettes de 4Inch 6INCH GaN-sur-SI GaN-sur-SIC Epi pour l'application de rf

Les écouteurs à puce de 8 pouces, 12 pouces et 6 pouces pour les micro-LED 8 pouces 100 mm 150 mm 200 mm 300 mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS pour une application électrique Wafer épitaxial GaN (GaN EPI sur le silicium... Lire la suite
2023-12-12 15:57:26
La Chine 8INCH 12INCH 6INCH GaN-Sur-SI EPI-WAFERS pour l'application de la puissance rf LED usine

8INCH 12INCH 6INCH GaN-Sur-SI EPI-WAFERS pour l'application de la puissance rf LED

8 pouces 12 pouces 6 pouces GAN-ON-SI EPI-WAFERS pour pour la puissance RF LED Wafer épitaxial GaN (GaN EPI sur le silicium)Le nitrure de gallium (GaN) a été largement utilisé dans les appareils électriques et ... Lire la suite
2023-12-12 15:44:05
La Chine 10x10mm 10x15mm 001 Substrate GaO de l'oxyde de gallium Mg dopant Ga2O3 Wafer de nitrure de gallium usine

10x10mm 10x15mm 001 Substrate GaO de l'oxyde de gallium Mg dopant Ga2O3 Wafer de nitrure de gallium

dopage de magnésium de substrat de Gao d'oxyde du gallium 001 de 10x15mm structure de pli monoclinal de substrat d'oxyde de gallium de 10x10mm--------------------------------------------------------------------... Lire la suite
2025-02-06 09:58:17
La Chine N-GaAs Substrate VCSEL Epiwafer 6 pouces Gallium Arsenide Wafer 2 pouces < 100> < 110> Pour les appareils optoélectroniques usine

N-GaAs Substrate VCSEL Epiwafer 6 pouces Gallium Arsenide Wafer 2 pouces < 100> < 110> Pour les appareils optoélectroniques

2 pouces de substrat d'arsenure de N-gallium, 2 pouces de substrat de N-GaAs, 4 pouces de substrat de N-GaAs,plaquettes à semi-conducteurs, Wafer épitaxial au laser à l' arsenure de N-gallium Caractéristiques ... Lire la suite
2024-09-10 15:33:00
La Chine N-GaAs substrat VCSEL épi-plaque d&#039;orientation GaAs de 6 pouces 100 111 longueur d&#039;onde 940nm pour Gigabit Ethernet usine

N-GaAs substrat VCSEL épi-plaque d'orientation GaAs de 6 pouces 100 111 longueur d'onde 940nm pour Gigabit Ethernet

N-GaAs substrat VCSEL épi-plaque d'orientation GaAs de 6 pouces 100 111 longueur d'onde 940nm pour Gigabit Ethernet Le résumé de l'épi-wafer VCSEL de substrat N-GaAs LeEpiwafer VCSEL à N-GaAs (arsenide de ... Lire la suite
2024-09-10 15:33:00
La Chine Pièces en saphir personnalisées joints de montre en saphir Al2O3 pur Haute dureté pour le marché de l&#039;horlogerie haut de gamme usine

Pièces en saphir personnalisées joints de montre en saphir Al2O3 pur Haute dureté pour le marché de l'horlogerie haut de gamme

Un joint optique en saphir, un verre monocristallin Al2O3, un verre optique en saphir,Al2O3 monocristallin étanchéité, Optique Saphir,Al2O3 joints de montres à cristal unique, joints de montres optiques par le ... Lire la suite
2024-08-23 16:30:29
La Chine 4 pouces GaN-sur-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 pouces 8 pouces Dureté 9,0 Mohs Pour la puissance RF LED usine

4 pouces GaN-sur-Si Wafers Gallium Nitride Wafer Epi-wafer 6 pouces 8 pouces Dureté 9,0 Mohs Pour la puissance RF LED

GaN sur une plaque composée de Si, une plaque de Si, une plaque de silicium, une plaque de silicium, GaN sur un substrat de Si, un substrat de carbure de silicium, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, une couche de ... Lire la suite
2024-08-23 14:05:10
La Chine 4&#039;&#039; 200nm AlScN sur les plaquettes de silicium SSP DSP Substrats épitaxiaux pour les appareils LED usine

4'' 200nm AlScN sur les plaquettes de silicium SSP DSP Substrats épitaxiaux pour les appareils LED

Modèle AlScN de 4'' 200 nm sur les substrats épitaxiaux en silicium SSP DSP pour les appareils à LED Caractéristiques: Le nitrure de scandium d'aluminium (AlScN) sur le silicium fait référence au dépôt d'un ... Lire la suite
2024-02-05 13:17:55
La Chine 4&#039; 6&#039; AIN sur les substrats de silicium SSP DSP Wafers semi-conducteurs 100nm 200nm couche usine

4' 6' AIN sur les substrats de silicium SSP DSP Wafers semi-conducteurs 100nm 200nm couche

4' 6' AIN sur les substrats de silicium SSP DSP Wafers semi-conducteurs 100nm 200nm couche Définition: Le nitrure d'aluminium sur les gaufres de silicium est un nouveau type de matériau semi-conducteur qui ... Lire la suite
2024-01-10 10:11:09
La Chine GaN-SUR-silicium de gaufrette de nitrure de gallium de 300mm pour la puissance LED micro usine

GaN-SUR-silicium de gaufrette de nitrure de gallium de 300mm pour la puissance LED micro

8 pouces 12 pouces 6 pouces GAN-ON-SI EPI-WAFERS pour pour l'application de micro-LED RF de puissance 8 pouces 100 mm 150 mm 200 mm 300 mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS pour une application électrique Wafer épitaxial ... Lire la suite
2023-12-12 16:15:06
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