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La Chine Dispositif électronique à haute puissance de type épingle à fond plat distributeur
Dispositif électronique à haute puissance de type épingle à fond plat

Gaufrette de phosphure d'indium

(34)
La Chine Dispositif électronique à haute puissance de type épingle à fond plat usine

Dispositif électronique à haute puissance de type épingle à fond plat
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Résumé de cSubstrate de dissipateur de chaleur supérieur Dispositif électronique à haute puissance de type épingle à fond plat Le substrat de dissipateur de chaleur en cuivre est un élément dissipateur de ... Lire la suite
2025-04-14 17:37:13
La Chine En tant qu'arsenure d'indium2 pouces 3 pouces 4 pouces Substrate monocristallin N/P Type de semiconducteur Épaisseur de gaufre 300-800um usine

En tant qu'arsenure d'indium2 pouces 3 pouces 4 pouces Substrate monocristallin N/P Type de semiconducteur Épaisseur de gaufre 300-800um
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Description du produit En tant qu'arsenure d'indium2 pouces 3 pouces 4 pouces Substrate monocristallin N/P Type de semiconducteur Épaisseur de gaufre 300-800um L'indium InAs ou indium arsenide monolithique est ... Lire la suite
2024-12-05 11:57:01
La Chine Substrate de germanium GE Fenêtres plates Lentilles optiques Applications d'imagerie thermique et spectroscopie infrarouge Haute dureté usine

Substrate de germanium GE Fenêtres plates Lentilles optiques Applications d'imagerie thermique et spectroscopie infrarouge Haute dureté
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Description du produit Substrate de germanium GE Fenêtres plates Lentilles optiques Applications d'imagerie thermique et spectroscopie infrarouge Haute dureté La fenêtre de germanium (Ge) est un matériau ... Lire la suite
2024-11-18 10:47:17
La Chine Substrats de semi-conducteurs à base de plaquettes de gégermanium <111> Concentrer les formes de taille personnalisées du CPV photovoltaïque usine

Substrats de semi-conducteurs à base de plaquettes de gégermanium <111> Concentrer les formes de taille personnalisées du CPV photovoltaïque
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Description du produit Substrats de semi-conducteurs à base de plaques de germanium < 111> concentrant des CPV photovoltaïques Le germanium de haute pureté est dopé avec des éléments trivalents (par exemple, ... Lire la suite
2024-11-18 10:47:17
La Chine Oxyde de magnésium Pureté 95% MgO Film Substrate 5x5 10x10 20x20 Épaisseur 0,5 mm 1,0 mm Orientation &lt;001&gt; &lt;110&gt; &lt;111&gt; usine

Oxyde de magnésium Pureté 95% MgO Film Substrate 5x5 10x10 20x20 Épaisseur 0,5 mm 1,0 mm Orientation <001> <110> <111>
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Purification de l'oxyde de magnésium 95% film de substrat 5x5 10x10 20x20 épaisseur 0,5 mm orientation 1,0 mm Description du produit: L'oxyde de magnésium (MgO) monocristallin de substrat à film mince est un ... Lire la suite
2024-11-18 10:47:16
La Chine InP Wafer épitaxial laser Wafer phosphure d&#039;indium DFB/EML Wafer expitaxial pour la détection intelligente usine

InP Wafer épitaxial laser Wafer phosphure d'indium DFB/EML Wafer expitaxial pour la détection intelligente
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Wafer épitaxial de 2 pouces semi-isolant à base de phosphure d'indium InP pour diode laser LD, wafer épitaxial semi-conducteur, wafer InP de 3 pouces, wafer monocristallin 2 pouces 3 pouces 4 pouces sous-strats ... Lire la suite
2024-09-10 15:33:01
La Chine InAs Wafer Dopé Zn 2 pouces Indium Arsenide Wafer Dia 50mm Épaisseur 500um &lt;100&gt; Personnalisé usine

InAs Wafer Dopé Zn 2 pouces Indium Arsenide Wafer Dia 50mm Épaisseur 500um <100> Personnalisé
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Wafer épitaxial InAs de 2 pouces pour une diode laser LD, wafer épitaxial semi-conducteur, wafer InAs-Zn de 3 pouces,Plaquettes monocristallines InAs de 2 pouces 3 pouces 4 pouces InAs-Zn sous-strats pour une ... Lire la suite
2024-09-10 15:33:00
La Chine Wafer DFB N-InP substrat épiwafer couche active InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pouces pour le capteur de gaz usine

Wafer DFB N-InP substrat épiwafer couche active InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pouces pour le capteur de gaz
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Wafer DFB N-InP substrat épiwafer couche active InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pouces pour le capteur de gaz Rapport de l'épi-plaque de substrat N-InP de la plaque DFB Une plaque à rétroaction distribuée (DFB) sur un ... Lire la suite
2024-09-10 15:33:00
La Chine DFB Epiwafer InP Substrate Méthode MOCVD 2 4 6 pouces Longueur d&#039;onde de fonctionnement 1,3 μm, 1,55 μm usine

DFB Epiwafer InP Substrate Méthode MOCVD 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement 1,3 μm, 1,55 μm
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DFB Epiwafer InP sous-strate MOCVD méthode 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement: 1,3 μm, 1,55 μm Rapport sur le substrat InP de l'épivaire DFB Les épiwafers sur des substrats à phosphure d'indium (InP... Lire la suite
2024-09-10 15:33:00
La Chine FP Epiwafer InP couche de contact du substrat InGaAsP Dia 2 3 4 pouces Pour la bande de longueur d&#039;onde OCT 1,3um usine

FP Epiwafer InP couche de contact du substrat InGaAsP Dia 2 3 4 pouces Pour la bande de longueur d'onde OCT 1,3um
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FP épi-wafer InP couche de contact de substrat InGaAsP Dia 2 3 4 pouces pour la bande de longueur d'onde OCT 1,3um Résumé du substrat InP de l'épi-plaquette FP Les épi-plaquettes Fabry-Perot (FP) sur des ... Lire la suite
2024-09-10 15:33:00
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Sic substrat

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2 pouces 6H - semi consommation de puissance faible de gaufrette de carbure de silicium pour le détecteur

sic carbure de silicium du lingot 4inch épaisseur de 5 - de 15mm pour des semi-conducteurs

Dureté de la lentille 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de gaufrette sic polie par 4H-SEMI pour le matériel de dispositif

Gaufrette de saphir

Orientation faite sur commande de Special de Windows en verre de saphir de gaufrette de semi-conducteur/saphir

Wafer en saphir Épaisseur 0,43 mm Composants en saphir Taille et orientation personnalisées

Verre cristal carré de gaufrette de saphir/saphir 10x10mm 5x5mm pour la lentille optique

2°Off C - saphir synthétique Epi en verre d'axe - substrats prêts 2 po. de diamètre 50.8mm

Gaufrette de nitrure de gallium

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2inch 4inch GaN Gallium Nitride Substrates Template libre pour mené

Calibre de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sur la gaufrette d'AlN-Sur-saphir d'EPI-gaufrette de saphir

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