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InP Wafer épitaxial laser Wafer phosphure d'indium DFB/EML Wafer expitaxial pour la détection intelligente

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InAs Wafer Dopé Zn 2 pouces Indium Arsenide Wafer Dia 50mm Épaisseur 500um <100> Personnalisé

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Wafer DFB N-InP substrat épiwafer couche active InGaAlAs/InGaAsP 2 4 6 pouces pour le capteur de gaz

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DFB Epiwafer InP Substrate Méthode MOCVD 2 4 6 pouces Longueur d'onde de fonctionnement 1,3 μm, 1,55 μm

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FP Epiwafer InP couche de contact du substrat InGaAsP Dia 2 3 4 pouces Pour la bande de longueur d'onde OCT 1,3um

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InP FP epiwafer InP substrat n/p type 2 3 4 pouces avec une épaisseur de 350-650um pour le travail des réseaux optiques

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Épaisseur de la gaufre MgO de 2 pouces 500um Orientation<100> Cristal d'oxyde de magnésium Cristal personnalisé

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