InP FP epiwafer InP substrat n/p type 2 3 4 pouces avec une épaisseur de 350-650um pour le travail des réseaux optiques

InP FP epiwafer InP substrat n/p type 2 3 4 pouces avec une épaisseur de 350-650um pour le travail des réseaux optiques

Le point de vue d'ensemble de l'épipavé InP

L'épiwafer à phosphure d'indium (InP) est un matériau clé utilisé dans les appareils optoélectroniques avancés, en particulier les diodes laser Fabry-Perot (FP).Les épi-wafers InP sont constitués de couches cultivées par épitaxie sur un substrat InP., conçus pour des applications hautes performances dans les télécommunications, les centres de données et les technologies de détection.

Les lasers FP basés sur InP sont essentiels pour la communication par fibre optique, car ils permettent la transmission de données à courte et moyenne portée dans des systèmes tels que les réseaux optiques passifs (PON) et le multiplexage par division d'onde (WDM).Leurs longueurs d'onde d'émission, généralement autour de 1,3 μm et 1,55 μm, s'alignent avec les fenêtres à faible perte des fibres optiques, ce qui les rend idéales pour la transmission à grande vitesse et sur de longues distances.

Ces wafers trouvent également des applications dans les interconnexions de données à grande vitesse dans les centres de données, où la performance rentable et stable des lasers FP est essentielle.Les lasers FP basés sur l'inP sont utilisés dans la surveillance de l'environnement et la détection des gaz industriels, où ils peuvent détecter des gaz tels que le CO2 et le CH4 en raison de leur émission précise dans les bandes d'absorption infrarouge.

Dans le domaine médical, les épi-plaquettes InP contribuent aux systèmes de tomographie par cohérence optique (TOC), offrant des capacités d'imagerie non invasives.Leur intégration dans les circuits photoniques et leur utilisation potentielle dans les technologies aérospatiales et de défense, tels que le LIDAR et la communication par satellite, soulignent leur polyvalence.

Dans l'ensemble, les épi-plaquettes InP sont essentielles pour permettre une large gamme de dispositifs optiques et électroniques en raison de leurs excellentes propriétés électriques et optiques, en particulier dans la plage de 1,3 μm à 1.Plage de longueur d'onde de 55 μm.

Structure de l'épineutique InP

Résultat du test PL Mapping de l'épipavé InP

Les photos de l'épi-wafer

Fiche de caractéristiques et de données clés de l'épipavé InP

Les Epiwafers à phosphure d'indium (InP) se distinguent par leurs excellentes propriétés électriques et optiques, ce qui les rend essentiels pour les appareils optoélectroniques haute performance.Vous trouverez ci-dessous un aperçu des principales propriétés qui définissent les épi-plaquettes InP:

1La structure cristalline et la constante de réseau

• Structure cristalline: InP a une structure cristalline de mélange de zinc.
• Constante de la grille: 5,869 Å. La correspondance quasi parfaite de la grille avec des matériaux tels que l'InGaAs et l'InGaAsP permet la croissance de couches épitaxiales de haute qualité,réduire au minimum les défauts tels que les dislocations et la déformation.

2. Distance de bande et longueur d'onde d'émission

• Bandgap: InP a un bandgap direct de 1,344 eV à 300 K, ce qui correspond à une longueur d'onde d'émission d'environ 0,92 μm.
• Plage d'émission des épi-ondes: Les couches épitaxiennes cultivées sur l'InP permettent généralement le fonctionnement du dispositif dans la plage de longueur d'onde de 1,3 μm à 1,55 μm, idéale pour les systèmes de communication optique.

3Mobilité élevée des électrons

• InP présente une grande mobilité électronique (5400 cm2/V·s), ce qui se traduit par un transport électronique rapide,le rendant adapté à des applications à haute fréquence et à haute vitesse telles que les télécommunications et les circuits photoniques intégrés.

4Conductivité thermique

• Conductivité thermique: InP a une conductivité thermique d'environ 0,68 W/cm·K à température ambiante.il est suffisant pour dissiper la chaleur dans de nombreux appareils optoélectroniques, en particulier avec une bonne gestion thermique.

5Transparence optique

• InP est transparent aux longueurs d'onde supérieures à sa bande passante, ce qui permet une émission et une transmission efficaces de photons dans la gamme infrarouge, en particulier dans les longueurs d'onde critiques des télécommunications (1,3 μm et 1.55 μm).

6Le dopage et la conductivité

• Dopage de type n et de type p: InP peut être dopé avec des donneurs (par exemple, soufre) ou des accepteurs (par exemple, zinc), offrant une flexibilité dans la création de régions de type n et de type p nécessaires à divers dispositifs semi-conducteurs.
• Haute conductivité: les couches de contact fortement dopées cultivées sur des substrats InP assurent des contacts ohmiques à faible résistance, améliorant l'efficacité de l'injection de courant dans des dispositifs tels que les lasers FP.

7. Faible densité de défauts

• Les inP Epiwafers présentent une faible densité de défauts, ce qui est crucial pour les appareils à haute performance.

En résumé, les propriétés des épi-wafers InP, telles qu'une grande mobilité électronique, une faible densité de défaut, une correspondance de réseau et un fonctionnement efficace dans les longueurs d'onde critiques de télécommunications,Ils sont indispensables dans l'optoélectronique moderne., notamment dans les applications de communication et de détection à grande vitesse.

Application de l'épipavé InP

Les épiwafers à base de phosphure d'indium (InP) sont essentiels dans plusieurs domaines technologiques avancés en raison de leurs excellentes propriétés optoélectroniques.

1.Communication par fibre optique

• Diodes laser (lasers FP ou DFB): Les épi-wafers inP sont utilisés pour fabriquer des lasers Fabry-Perot (FP) et Distribued Feedback (DFB), qui fonctionnent à des longueurs d'onde de 1,3 μm et 1,55 μm.Ces longueurs d'onde s'alignent sur les fenêtres de transmission à faible perte des fibres optiques, ce qui les rend idéales pour la communication de données à longue distance.
• Détecteurs de photodétecteurs: InP Les épi-wafers sont également utilisés pour fabriquer des photodétecteurs destinés à recevoir des signaux optiques dans des systèmes de fibres optiques.

2.Les interconnexions des centres de données

• Les lasers et détecteurs basés sur InP sont utilisés dans des modules optiques qui permettent des interconnexions à haute vitesse et à faible latence dans les centres de données, améliorant ainsi les performances globales du réseau.

3.Détection optique et détection de gaz

• Capteurs de gaz: Les épi-wafers inP sont utilisés pour fabriquer des lasers fonctionnant dans la gamme infrarouge, adaptés aux applications de détection des gaz (par exemple, CO2, CH4) dans le domaine de la surveillance industrielle, environnementale et de la sécurité.
• Tomographie de cohérence optique (TOC): Les sources lumineuses basées sur l'inP sont cruciales pour les technologies d'imagerie médicale telles que la TCO, qui sont utilisées pour le diagnostic non invasif dans les soins de santé.

4.Circuits intégrés photoniques (PIC)

• InP Epiwafers sont des matériaux de base pour les circuits intégrés photoniques qui combinent plusieurs fonctions photoniques (par exemple, lasers, modulateurs,et détecteurs) sur une seule puce pour les applications de communication à grande vitesse, le traitement des signaux, et l'informatique quantique.

5.LIDAR (détection et mesure de la lumière)

• Les lasers basés sur InP sont utilisés dans les systèmes LIDAR pour les véhicules autonomes, la cartographie aérienne et diverses applications de défense.sources lumineuses fiables générées à partir d'épi-wafers InP pour les mesures de distance et de vitesse.

6.Communication par satellite et dans l'espace

• Les lasers InP et les photodétecteurs jouent un rôle crucial dans les communications par satellite et les applications aérospatiales, en permettant une transmission sécurisée et à grande vitesse de données sur de grandes distances.

7.Défense et aérospatiale

• Les Epiwafers InP sont utilisés dans les systèmes de défense avancés tels que les radars à grande vitesse, le guidage de missiles et les systèmes de communication sécurisés, où une performance fiable et haute fréquence est essentielle.

Ces applications mettent en évidence la polyvalence et l'importance des épi-wafers InP dans les appareils optoélectroniques et photoniques modernes.

Questions et réponses

Que sont les épi-plaquettes InP?

Épi-plaquettes à base d'indium phosphure (InP)sont des plaquettes semi-conducteurs composées d'un substrat InP avec une ou plusieurs couches de divers matériaux (tels que les InGaAs, InGaAsP ou AlInAs) cultivées par voie épitaxienne.Ces couches sont déposées avec précision sur le substrat InP pour créer des structures de dispositifs spécifiques adaptées aux applications optoélectroniques haute performance.