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L'étude de cas ZMSH: le premier fournisseur de saphirs synthétiques de haute qualité
L'étude de cas ZMSH: le premier fournisseur de saphirs synthétiques de haute qualité     Introduction au projetZMSH est un nom de premier plan dans l'industrie des pierres précieuses synthétiques, fournissant une large gamme de saphirs de haute qualité et aux couleurs vives.Notre offre comprend une large palette de couleurs comme le bleu royal, rouge vif, jaune, rose, rose-orange, violet et plusieurs tons verts, y compris l'émeraude et le vert olive.La ZMSH est devenue un partenaire privilégié pour les entreprises qui ont besoin deDes pierres précieuses synthétiques durables. Des pierres précieuses synthétiquesAu cœur de la gamme de produits de ZMSH sont des saphirs synthétiques qui imitent la brillance et la qualité des pierres précieuses naturelles tout en offrant de nombreux avantages.Ces saphirs sont soigneusement fabriqués pour obtenir une consistance de couleur exceptionnelle et une durabilité, ce qui en fait une alternative supérieure aux pierres naturelles. Les bienfaits du saphir synthétique Une cohérence inégaléeNos saphirs fabriqués en laboratoire sont produits dans des conditions contrôlées, ce qui garantit une qualité impeccable.sans les variations de couleur et de clarté souvent observées dans les pierres précieuses extraites. Sélection de couleurs: ZMSH offre une gamme diversifiée de couleurs, y compris bleu royal, rouge rubis, et des tons plus doux comme rose et rose-orange.adaptés aux exigences spécifiques des clientsCette flexibilité dans la personnalisation des couleurs et des tons rend nos saphirs parfaits pour un large éventail de conceptions et d'utilisations industrielles. Des prix abordables: Les saphirs cultivés en laboratoire offrent une alternative moins coûteuse sans sacrifier l'attrait visuel ou l'intégrité structurelle.Ils offrent une excellente valeur pour les clients qui ont besoin de pierres précieuses de haute qualité à une fraction du coût des pierres naturelles, ce qui les rend idéales à la fois pour les produits de luxe et les applications pratiques. Saine pour l'environnement et pour l'éthique: En optant pour des pierres précieuses synthétiques, les clients peuvent éviter les dommages environnementaux et les préoccupations éthiques souvent associées à l'extraction traditionnelle de pierres précieuses.Les saphirs synthétiques de ZMSH sont créés de manière écologique, offrant un choix durable et responsable. Forte et polyvalente: Les saphirs synthétiques ont la même dureté que leurs homologues naturels, ce qui les rend idéaux pour une variété d'utilisations, des bijoux haut de gamme aux applications industrielles.Avec une dureté de 9 sur l'échelle de Mohs, ces pierres précieuses assurent une durabilité durable dans tous les contextes   ConclusionZMSH se consacre à la fourniture de saphirs synthétiques de couleur de premier ordre, offrant aux clients une gamme de solutions de pierres précieuses personnalisables, rentables et durables.Que vous cherchiez du bleu royal pour des accessoires élégants, vert émeraude pour les composants industriels, ou toute autre couleur frappante, ZMSH fournit des pierres précieuses qui combinent beauté, consistance et résistance.Notre expertise dans la production de saphirs synthétiques nous permet de répondre aux besoins de diverses industries, assurant une qualité fiable et des pratiques éthiques dans chaque commande.
Étude de cas: La percée de ZMSH avec le nouveau substrat 4H/6H-P 3C-N SiC
Introduction au projet ZMSH a toujours été à l'avant-garde de l'innovation en matière de plaquettes et de substrats en carbure de silicium (SiC), connue pour ses performances élevées6H-SiCet4H-SiCEn réponse à la demande croissante de matériaux plus performants dans les applications à haute puissance et à haute fréquence,ZMSH a élargi son offre de produits avec l'introduction de la4H/6H-P 3C-N SiCCe nouveau produit représente un bond technologique important en combinant lesSiC de type poly 4H/6Hdes substrats avec des caractéristiques innovantes3C-N SiCLes films offrent un nouveau niveau de performance et d'efficacité pour les appareils de nouvelle génération. Résumé des produits existants: Substrats 6H-SiC et 4H-SiC Principales caractéristiques Structure cristalline: Le 6H-SiC et le 4H-SiC possèdent des structures cristallines hexagonales.considérant que le 4H-SiC possède une mobilité électronique plus élevée et une bande passante plus large de 3.2 eV, ce qui le rend adapté aux applications à haute fréquence et à haute puissance. Conductivité électrique: Disponible en version N et en version semi-isolante, ce qui permet une flexibilité pour les différents besoins du dispositif. Conductivité thermique: Ces substrats présentent des conductivités thermiques allant de 3,2 à 4,9 W/cm·K, ce qui est essentiel pour dissiper la chaleur dans des environnements à haute température. Résistance mécanique: Les substrats présentent une dureté de Mohs de 9.2, offrant robustesse et durabilité pour une utilisation dans des applications exigeantes. Utilisations typiques: couramment utilisé dans l'électronique de puissance, les appareils à haute fréquence et les environnements nécessitant une résistance aux températures élevées et aux rayonnements. Les défisPendant que6H-SiCet4H-SiCIls rencontrent certaines limitations dans des scénarios spécifiques à haute puissance, haute température et haute fréquence.La réduction de l'écart de bande et la réduction de l'écart de bande limitent leur efficacité pour les applications de nouvelle génération.Le marché exige de plus en plus des matériaux avec des performances améliorées et moins de défauts pour assurer une plus grande efficacité opérationnelle. Nouvelles innovations en matière de produits: Substrats de SiC 4H/6H-P 3C-N Pour surmonter les limites de ses anciens substrats SiC, ZMSH a développé le4H/6H-P 3C-N SiCCe nouveau produit tire parti decroissance épitaxienned'une épaisseur n'excédant pas 10 mmSubstrats de polytype 4H/6H, offrant des propriétés électroniques et mécaniques améliorées. Les principales améliorations technologiques Polytypes et intégration de filmsLe3C-SiCles films sont cultivés par épitaxie en utilisantdépôt de vapeur chimique (CVD)surSubstrats de 4H/6H, ce qui réduit considérablement le déséquilibre du réseau et la densité des défauts, ce qui améliore l'intégrité du matériau. Mobilité améliorée des électronsLe3C-SiCLe film offre une mobilité électronique supérieure par rapport à laSubstrats de 4H/6H, ce qui le rend idéal pour les applications à haute fréquence. Amélioration de la tension de rupture: Les essais indiquent que le nouveau substrat offre une tension de rupture nettement plus élevée, ce qui le rend plus adapté aux applications à forte consommation d'énergie. Réduction des défauts: Les techniques de croissance optimisées minimisent les défauts et les dislocations des cristaux, assurant ainsi une stabilité à long terme dans des environnements difficiles. Capacités optoélectroniques: Le film 3C-SiC présente également des caractéristiques optoélectroniques uniques, particulièrement utiles pour les détecteurs ultraviolets et diverses autres applications optoélectroniques. Avantages du nouveau substrat 4H/6H-P 3C-N SiC Mobilité électronique et résistance à la décomposition plus élevéesLe3C-N SiCLe film assure une stabilité et une efficacité supérieures dans les appareils à haute puissance et à haute fréquence, ce qui se traduit par une durée de vie plus longue et des performances plus élevées. Amélioration de la conductivité thermique et de la stabilité: Avec des capacités de dissipation de chaleur améliorées et une stabilité à température élevée (plus de 1000°C), le substrat est bien adapté aux applications à haute température. Applications optoélectroniques étendues: Les propriétés optoélectroniques du substrat élargissent son champ d'application, le rendant idéal pour les capteurs ultraviolets et autres appareils optoélectroniques avancés. Augmentation de la durabilité chimique: Le nouveau substrat présente une plus grande résistance à la corrosion chimique et à l'oxydation, ce qui est essentiel pour une utilisation dans des environnements industriels difficiles. Domaines d'application Le4H/6H-P 3C-N SiCLe substrat est idéal pour un large éventail d'applications de pointe en raison de ses propriétés électriques, thermiques et optoélectroniques avancées: Électronique de puissance: Sa tension de rupture supérieure et sa gestion thermique en font le substrat de choix pour les appareils de haute puissance tels que:Les MOSFET,Les IGBT, etDiodes de Schottky. Appareils à RF et à micro-ondes: La grande mobilité des électrons assure des performances exceptionnelles en haute fréquenceRFetappareils à micro-ondes. Détecteurs ultraviolets et optoélectronique: Les propriétés optoélectroniques de3C-SiCle rendre particulièrement adapté auxDétection UVet divers capteurs optoélectroniques. Conclusion et recommandation du produit Le lancement de la ZMSH4H/6H-P 3C-N SiCCe produit innovant, avec sa mobilité électronique améliorée, sa densité de défaut réduite,et une amélioration de la tension de rupture, est bien placée pour répondre aux demandes croissantes des marchés de la puissance, de la fréquence et de l'optoélectronique.Sa stabilité à long terme dans des conditions extrêmes en fait également un choix très fiable pour une gamme d'applications. La ZMSH encourage ses clients à adopter les4H/6H-P 3C-N SiCle substrat pour tirer parti de ses capacités de performance de pointe.Ce produit répond non seulement aux exigences strictes des appareils de nouvelle génération, mais aide également les clients à obtenir un avantage concurrentiel sur un marché en évolution rapide.   Recommandation de produit   Substrate SiC de type N de 3C de 4 pouces Substrate de carbure de silicium épais de 350um de qualité primaire de qualité factice       - supporter les personnalisés avec des illustrations de design   - un cristal cube (3C SiC), fabriqué à partir de monocristal SiC   - Haute dureté, dureté de Mohs atteint 9.2, juste derrière le diamant.   - une excellente conductivité thermique, adaptée aux environnements à haute température.   - des caractéristiques de large bande passante, adaptées aux appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance.
Vue d'ensemble des céramiques avancées utilisées dans les équipements semi-conducteurs
Aperçu complet des céramiques avancées utilisées dans les équipements de semi-conducteurs   Les composants céramiques de précision sont des éléments essentiels dans les équipements de base pour les principaux processus de fabrication de semi-conducteurs tels que la photolithographie, la gravure, le dépôt de couches minces, l'implantation ionique et le CMP. Ces pièces — y compris les roulements, les rails de guidage, les revêtements de chambre, les porte-plaquettes électrostatiques et les bras robotiques — sont particulièrement critiques à l'intérieur des chambres de traitement, où elles assurent des fonctions telles que le support, la protection et le contrôle du débit. Cet article fournit un aperçu systématique de la manière dont les céramiques de précision sont appliquées dans les principaux équipements de fabrication de semi-conducteurs.       Processus Front-End : Céramiques de précision dans les équipements de fabrication de plaquettes 1. Équipement de photolithographie   Pour garantir une grande précision de traitement dans les systèmes de photolithographie avancés, une large gamme de composants céramiques avec une excellente multifonctionnalité, une stabilité structurelle, une résistance thermique et une précision dimensionnelle est utilisée. Ceux-ci incluent les porte-plaquettes électrostatiques, les porte-plaquettes à vide, les blocs, les bases magnétiques refroidies par eau, les réflecteurs, les rails de guidage, les plateaux et les porte-masques.   Principaux composants céramiques : Porte-plaquettes électrostatiques, table de mouvement   Matériaux principaux :Porte-plaquettes électrostatiques : Alumine (Al₂O₃), Nitrure de silicium (Si₃N₄), Tables de mouvement : Céramiques de cordiérite, carbure de silicium (SiC)   Défis techniques : Conception de structure complexe, contrôle des matières premières et frittage, gestion de la température et usinage de haute précision. Le système de matériaux des tables de mouvement de lithographie est crucial pour obtenir une grande précision et une grande vitesse de balayage. Les matériaux doivent présenter une rigidité spécifique élevée et une faible dilatation thermique pour résister aux mouvements à grande vitesse avec une distorsion minimale — améliorant ainsi le débit et maintenant la précision.       2. Équipement de gravure   La gravure est essentielle pour transférer les motifs de circuits du masque à la plaquette. Les principaux composants céramiques utilisés dans les outils de gravure comprennent la chambre, la fenêtre de visualisation, la plaque de distribution de gaz, les buses, les bagues isolantes, les plaques de recouvrement, les bagues de focalisation et les porte-plaquettes électrostatiques. Principaux composants céramiques : Porte-plaquettes électrostatiques, bague de focalisation, plaque de distribution de gaz   Principaux matériaux céramiques : Quartz, SiC, AlN, Al₂O₃, Si₃N₄, Y₂O₃     Chambre de gravure : Avec la réduction des géométries des dispositifs, des contrôles de contamination plus stricts sont requis. Les céramiques sont préférées aux métaux pour éviter la contamination par les particules et les ions métalliques.     Exigences matérielles : Haute pureté, contamination métallique minimale Chimiquement inerte, en particulier aux gaz de gravure à base d'halogène Haute densité, porosité minimale Grain fin, faible teneur en joints de grains Bonne usinabilité mécanique Propriétés électriques ou thermiques spécifiques si nécessaire   Plaque de distribution de gaz : Composées de centaines ou de milliers de micro-trous percés avec précision, ces plaques distribuent uniformément les gaz de traitement, assurant un dépôt/gravure constant.   Défis : Les exigences en matière d'uniformité du diamètre des trous et de parois intérieures sans bavures sont extrêmement élevées. Même de légers écarts peuvent entraîner une variation de l'épaisseur du film et une perte de rendement.   Matériaux principaux : SiC CVD, alumine, nitrure de silicium   Bague de focalisation : Conçue pour équilibrer l'uniformité du plasma et correspondre à la conductivité de la plaquette de silicium. Comparé au silicium conducteur traditionnel (qui réagit avec le plasma de fluor pour former du SiF₄ volatil), le SiC offre une conductivité similaire et une résistance supérieure au plasma, permettant une durée de vie plus longue.   Matériau : Carbure de silicium (SiC) ​       3. Équipement de dépôt de couches minces (CVD / PVD)     Dans les systèmes CVD et PVD, les principales pièces céramiques comprennent les porte-plaquettes électrostatiques, les plaques de distribution de gaz, les résistances et les revêtements de chambre. Principaux composants céramiques : Porte-plaquettes électrostatiques, résistance céramique   Matériaux principaux : Résistances : Nitrure d'aluminium (AlN), alumine (Al₂O₃)   Résistance céramique : Un composant essentiel situé à l'intérieur de la chambre de traitement, directement en contact avec la plaquette. Il supporte la plaquette et assure des températures de traitement uniformes et stables sur toute sa surface. ​   Processus Back-End : Céramiques de précision dans les équipements d'emballage et de test       1. CMP (Polissage Chimico-Mécanique) L'équipement CMP utilise des plaques de polissage en céramique, des bras de manipulation, des plates-formes d'alignement et des porte-plaquettes à vide pour une planarisation de surface de haute précision.   2. Équipement de découpe et d'emballage de plaquettes Principaux composants céramiques : Lames de découpe : Composites diamant-céramique, vitesse de coupe ~300 mm/s, écaillage des bords

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Comment le stress se développe-t-il dans les matériaux en quartz ?
Comment le stress se développe-t-il dans les matériaux en quartz ?     1. Contrainte thermique pendant le refroidissement (cause principale) Le verre de quartz développe une contrainte interne lorsqu'il est exposé à des températures non uniformes. À une température donnée, le verre de quartz présente une structure atomique spécifique qui est la plus "adaptée" ou stable dans ces conditions thermiques. L'espacement entre les atomes change avec la température—c'est ce qu'on appelle la dilatation thermique. Lorsque le verre de quartz subit un chauffage ou un refroidissement inégal, une dilatation différentielle se produit.   Le stress apparaît généralement lorsque les régions les plus chaudes tentent de se dilater mais sont contraintes par les zones environnantes plus froides. Cela entraîne une contrainte de compression, qui n'endommage généralement pas le produit. Si la température est suffisamment élevée pour ramollir le verre de quartz, la contrainte peut être relâchée. Cependant, si le processus de refroidissement est trop rapide, la viscosité du matériau augmente trop rapidement et la structure atomique ne peut pas s'ajuster à temps pour s'adapter à la baisse de température. Cela conduit à la formation d'une contrainte de traction, qui est plus susceptible de causer des dommages structurels.   Le stress augmente progressivement à mesure que la température baisse et peut atteindre des niveaux élevés après la fin du refroidissement. En fait, lorsque la viscosité du verre de quartz dépasse 10^4.6 poises, la température est appelée le point de striction—à ce stade, la viscosité est trop élevée pour que la relaxation des contraintes se produise.     Normal>Déformé>           2. Contrainte due à la transition de phase et à la relaxation structurelle   Relaxation structurelle métastable: À l'état fondu, le quartz présente un arrangement atomique très désordonné. Pendant le refroidissement, les atomes tentent de passer à une configuration plus stable. Cependant, en raison de la forte viscosité de l'état vitreux, le mouvement atomique est limité, laissant la structure dans un état métastable. Cela génère une contrainte de relaxation, qui peut être lentement libérée au fil du temps (comme observé dans le phénomène de vieillissement dans les verres).   Tendance à la cristallisation microscopique: Si le quartz fondu est maintenu dans des plages de température spécifiques (par exemple, près de la température de dévitrification), une cristallisation microscopique peut se produire (par exemple, précipitation de microcristaux de cristobalite). L'inadéquation de volume entre les phases cristallines et amorphes peut induire une contrainte de transition de phase.       3. Charges externes et actions mécaniques 1) Contrainte induite pendant l'usinage Le traitement mécanique tel que la coupe, le meulage et le polissage peut introduire une distorsion du réseau de surface, entraînant une contrainte d'usinage. Par exemple, la coupe avec une meule génère de la chaleur localisée et une pression mécanique au bord, ce qui entraîne une concentration de contraintes. Des techniques inappropriées lors du perçage ou du rainurage peuvent créer des entailles qui agissent comme des sites d'amorçage de fissures.   2) Contrainte de charge dans les environnements de service Lorsqu'il est utilisé comme matériau de construction, le quartz fondu peut supporter des charges mécaniques telles que la pression ou la flexion, générant une contrainte macroscopique. Par exemple, les récipients en quartz contenant des substances lourdes développent une contrainte de flexion.       4. Choc thermique et changements de température soudains 1) Contrainte instantanée due au chauffage ou au refroidissement rapides Bien que le quartz fondu ait un coefficient de dilatation thermique extrêmement faible (~0,5×10⁻⁶/°C), les changements de température rapides (par exemple, le chauffage de la température ambiante à des températures élevées ou l'immersion dans de l'eau glacée) peuvent entraîner une dilatation ou une contraction thermique localisée, provoquant une contrainte thermique instantanée. La verrerie de laboratoire en quartz peut se fracturer sous de tels chocs thermiques. 2) Fluctuations cycliques de température Dans des environnements thermiques cycliques à long terme (par exemple, les revêtements de four ou les fenêtres optiques à haute température), les dilatations et contractions thermiques répétées peuvent accumuler une contrainte de fatigue, accélérant le vieillissement et la fissuration du matériau.           5. Effets chimiques et couplage des contraintes 1) Corrosion et contrainte de dissolution Lorsque le quartz fondu entre en contact avec des solutions alcalines fortes (par exemple, NaOH) ou des gaz acides à haute température (par exemple, HF), sa surface peut subir une corrosion chimique ou une dissolution, perturbant l'uniformité structurelle et provoquant une contrainte chimique. L'attaque alcaline peut provoquer des changements de volume de surface ou former des microfissures. 2) Contrainte induite par CVD Dans les procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD), le revêtement de quartz avec des matériaux comme le SiC peut introduire une contrainte interfaciale en raison des désaccords des coefficients de dilatation thermique ou des modules élastiques entre le film et le substrat. Lors du refroidissement, une telle contrainte peut provoquer une délamination du film ou une fissuration du substrat.     6. Défauts internes et impuretés 1) Bulles et impuretés incorporées Pendant la fusion, des bulles de gaz résiduelles ou des impuretés (par exemple, des ions métalliques ou des particules non fondues) peuvent être piégées dans le quartz fondu. La différence de propriétés physiques (par exemple, le coefficient de dilatation thermique ou le module) entre ces inclusions et le verre environnant peut entraîner une concentration de contraintes localisée, augmentant le risque de formation de fissures autour des bulles sous charge. 2) Microfissures et défauts structurels Les impuretés dans les matières premières ou les défauts de fusion peuvent entraîner des microfissures dans le quartz. Lorsqu'il est soumis à des charges externes ou à des fluctuations de température, la concentration de contraintes aux extrémités des fissures peut s'intensifier, accélérant la propagation des fissures et compromettant finalement l'intégrité du matériau.  

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07/02

Analyse complète des paramètres des plaquettes de silicium: des principes fondamentaux aux applications
Analyse approfondie des paramètres des plaquettes de silicium : des fondamentaux aux applications       I. Introduction   Les plaquettes de silicium sont la pierre angulaire de l'industrie des semi-conducteurs, largement utilisées dans la fabrication de puces, le photovoltaïque, les MEMS (systèmes micro-électro-mécaniques), et bien plus encore. Leurs performances ont un impact direct sur le rendement, la stabilité et l'efficacité des produits finaux. Par conséquent, la compréhension des paramètres des plaquettes de silicium est essentielle pour les professionnels des domaines connexes. Cet article fournit un aperçu détaillé des caractéristiques des plaquettes de silicium, notamment la structure cristalline, les dimensions géométriques, la qualité de surface, les propriétés électriques, les performances mécaniques et les applications pratiques.       Fabrication de plaquettes de semi-conducteurs       II. Concepts de base et classification des plaquettes de silicium   1. Définition des plaquettes de silicium   Les plaquettes de silicium sont de fines tranches de silicium monocristallin produites par des procédés de découpe, de meulage et de polissage. Généralement circulaires, elles sont utilisées dans les circuits intégrés (CI), les capteurs, les dispositifs optoélectroniques, etc. En fonction des méthodes de fabrication et des applications, les plaquettes de silicium sont classées comme suit :   · Plaquettes CZ (Czochralski) : Silicium monocristallin de haute pureté et uniforme pour les CI de précision.   · Plaquettes FZ (Float-Zone) : Faible densité de dislocations, idéal pour les puces de nœuds avancés.   · Plaquettes multicristallines : Rentables pour la production de masse (par exemple, les cellules solaires).   · Substrats en saphir : Non-silicium mais utilisés dans les LED en raison de leur dureté et de leur stabilité thermique élevées.       Plaquettes de silicium 8 pouces de ZMSH       III. Paramètres clés des plaquettes de silicium   1. Dimensions géométriques   · Épaisseur : Varie de 200μm à 750μm (tolérance de ±2μm). Les plaquettes ultra-minces peuvent être

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