Introduction au projet
ZMSH a toujours été à l'avant-garde de l'innovation en matière de plaquettes et de substrats en carbure de silicium (SiC), connue pour ses performances élevées6H-SiCet4H-SiCEn réponse à la demande croissante de matériaux plus performants dans les applications à haute puissance et à haute fréquence,ZMSH a élargi son offre de produits avec l'introduction de la4H/6H-P 3C-N SiCCe nouveau produit représente un bond technologique important en combinant lesSiC de type poly 4H/6Hdes substrats avec des caractéristiques innovantes3C-N SiCLes films offrent un nouveau niveau de performance et d'efficacité pour les appareils de nouvelle génération.
Résumé des produits existants: Substrats 6H-SiC et 4H-SiC
Principales caractéristiques
- Structure cristalline: Le 6H-SiC et le 4H-SiC possèdent des structures cristallines hexagonales.considérant que le 4H-SiC possède une mobilité électronique plus élevée et une bande passante plus large de 3.2 eV, ce qui le rend adapté aux applications à haute fréquence et à haute puissance.
- Conductivité électrique: Disponible en version N et en version semi-isolante, ce qui permet une flexibilité pour les différents besoins du dispositif.
- Conductivité thermique: Ces substrats présentent des conductivités thermiques allant de 3,2 à 4,9 W/cm·K, ce qui est essentiel pour dissiper la chaleur dans des environnements à haute température.
- Résistance mécanique: Les substrats présentent une dureté de Mohs de 9.2, offrant robustesse et durabilité pour une utilisation dans des applications exigeantes.
- Utilisations typiques: couramment utilisé dans l'électronique de puissance, les appareils à haute fréquence et les environnements nécessitant une résistance aux températures élevées et aux rayonnements.
Les défisPendant que6H-SiCet4H-SiCIls rencontrent certaines limitations dans des scénarios spécifiques à haute puissance, haute température et haute fréquence.La réduction de l'écart de bande et la réduction de l'écart de bande limitent leur efficacité pour les applications de nouvelle génération.Le marché exige de plus en plus des matériaux avec des performances améliorées et moins de défauts pour assurer une plus grande efficacité opérationnelle.
Nouvelles innovations en matière de produits: Substrats de SiC 4H/6H-P 3C-N
Pour surmonter les limites de ses anciens substrats SiC, ZMSH a développé le4H/6H-P 3C-N SiCCe nouveau produit tire parti decroissance épitaxienned'une épaisseur n'excédant pas 10 mmSubstrats de polytype 4H/6H, offrant des propriétés électroniques et mécaniques améliorées.
Les principales améliorations technologiques
- Polytypes et intégration de filmsLe3C-SiCles films sont cultivés par épitaxie en utilisantdépôt de vapeur chimique (CVD)surSubstrats de 4H/6H, ce qui réduit considérablement le déséquilibre du réseau et la densité des défauts, ce qui améliore l'intégrité du matériau.
- Mobilité améliorée des électronsLe3C-SiCLe film offre une mobilité électronique supérieure par rapport à laSubstrats de 4H/6H, ce qui le rend idéal pour les applications à haute fréquence.
- Amélioration de la tension de rupture: Les essais indiquent que le nouveau substrat offre une tension de rupture nettement plus élevée, ce qui le rend plus adapté aux applications à forte consommation d'énergie.
- Réduction des défauts: Les techniques de croissance optimisées minimisent les défauts et les dislocations des cristaux, assurant ainsi une stabilité à long terme dans des environnements difficiles.
- Capacités optoélectroniques: Le film 3C-SiC présente également des caractéristiques optoélectroniques uniques, particulièrement utiles pour les détecteurs ultraviolets et diverses autres applications optoélectroniques.
Avantages du nouveau substrat 4H/6H-P 3C-N SiC
- Mobilité électronique et résistance à la décomposition plus élevéesLe3C-N SiCLe film assure une stabilité et une efficacité supérieures dans les appareils à haute puissance et à haute fréquence, ce qui se traduit par une durée de vie plus longue et des performances plus élevées.
- Amélioration de la conductivité thermique et de la stabilité: Avec des capacités de dissipation de chaleur améliorées et une stabilité à température élevée (plus de 1000°C), le substrat est bien adapté aux applications à haute température.
- Applications optoélectroniques étendues: Les propriétés optoélectroniques du substrat élargissent son champ d'application, le rendant idéal pour les capteurs ultraviolets et autres appareils optoélectroniques avancés.
- Augmentation de la durabilité chimique: Le nouveau substrat présente une plus grande résistance à la corrosion chimique et à l'oxydation, ce qui est essentiel pour une utilisation dans des environnements industriels difficiles.
Domaines d'application
Le4H/6H-P 3C-N SiCLe substrat est idéal pour un large éventail d'applications de pointe en raison de ses propriétés électriques, thermiques et optoélectroniques avancées:
- Électronique de puissance: Sa tension de rupture supérieure et sa gestion thermique en font le substrat de choix pour les appareils de haute puissance tels que:Les MOSFET,Les IGBT, etDiodes de Schottky.
- Appareils à RF et à micro-ondes: La grande mobilité des électrons assure des performances exceptionnelles en haute fréquenceRFetappareils à micro-ondes.
- Détecteurs ultraviolets et optoélectronique: Les propriétés optoélectroniques de3C-SiCle rendre particulièrement adapté auxDétection UVet divers capteurs optoélectroniques.
Conclusion et recommandation du produit
Le lancement de la ZMSH4H/6H-P 3C-N SiCCe produit innovant, avec sa mobilité électronique améliorée, sa densité de défaut réduite,et une amélioration de la tension de rupture, est bien placée pour répondre aux demandes croissantes des marchés de la puissance, de la fréquence et de l'optoélectronique.Sa stabilité à long terme dans des conditions extrêmes en fait également un choix très fiable pour une gamme d'applications.
La ZMSH encourage ses clients à adopter les4H/6H-P 3C-N SiCle substrat pour tirer parti de ses capacités de performance de pointe.Ce produit répond non seulement aux exigences strictes des appareils de nouvelle génération, mais aide également les clients à obtenir un avantage concurrentiel sur un marché en évolution rapide.
Recommandation de produit
Substrate SiC de type N de 3C de 4 pouces Substrate de carbure de silicium épais de 350um de qualité primaire de qualité factice
- supporter les personnalisés avec des illustrations de design
- un cristal cube (3C SiC), fabriqué à partir de monocristal SiC
- Haute dureté, dureté de Mohs atteint 9.2, juste derrière le diamant.
- une excellente conductivité thermique, adaptée aux environnements à haute température.
- des caractéristiques de large bande passante, adaptées aux appareils électroniques à haute fréquence et à haute puissance.
