Détails de produit
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: zmkj
Numéro de modèle: 4inch--N, 4H-semi
Conditions de paiement et d'expédition
Quantité de commande min: 1pcs
Prix: by required
Détails d'emballage: Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des cassettes de conteneurs sim
Délai de livraison: 10-20days
Capacité d'approvisionnement: 100pcs/months
Matériel: |
sic cristal |
Industrie: |
gaufrette de semi-conducteur |
Application: |
semi-conducteur, mené, dispositif, l'électronique de puissance, 5G |
Couleur: |
bleu, vert, blanc |
Type: |
4H, 6H, A ENDUIT, aucune pureté enduite et grande |
Matériel: |
sic cristal |
Industrie: |
gaufrette de semi-conducteur |
Application: |
semi-conducteur, mené, dispositif, l'électronique de puissance, 5G |
Couleur: |
bleu, vert, blanc |
Type: |
4H, 6H, A ENDUIT, aucune pureté enduite et grande |
type de production de catégorie de catégorie substrats FACTICES sic, substrats de 4inch dia100m 4H-N de carbure de silicium pour le dispositif de semi-conducteur,
Domaines d'application
diodes de Schottky d'appareils électroniques de 1 puissance à haute fréquence et élevée,
JFET, BJT, PiN, diodes, IGBT, transistor MOSFET
2 dispositifs optoélectroniques : principalement utilisé en GaN/matériel sic bleu de substrat de LED (GaN/sic) LED
Advantagement
• Basse disparité de trellis
• Conduction thermique élevée
• Consommation de puissance faible
• Excellentes caractéristiques passagères
• Espace de bande élevé
Carborundum sic en cristal de gaufrette de substrat de carbure de silicium
PROPRIÉTÉS MATÉRIELLES DE CARBURE DE SILICIUM
| Nom de produit : | Substrat en cristal de carbure de silicium (sic) | ||||||||||||||||||||||||
| Description de produit : | 2-6inch | ||||||||||||||||||||||||
| Paramètres techniques : |
|
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| Caractéristiques : | 6H 4H de type n dia2 semi-isolant de type n « x0.33mm, dia2 » x0.43mm, dia2 ' x1mmt, jet simple de 10x10mm, de 10x5mm ou double jet, Ra <10a> | ||||||||||||||||||||||||
| Emballage standard : | sac 1000 pièce propre, 100 propre ou emballage simple de boîte |
2. les substrats classent de la norme
|
spécifications de substrat de carbure de silicium de 4 po. de diamètre (sic) |
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| Catégorie | Catégorie zéro de MPD | Catégorie de production | Catégorie de recherches | Catégorie factice | |||||
| Diamètre | 100,0 mm±0.5 millimètre | ||||||||
| Épaisseur | 350 μm±25μm (l'épaisseur 200-500um est également correcte) | ||||||||
| Orientation de gaufrette | Outre de l'axe : 4.0° vers <1120> ±0.5° pour 4H-N/4H-SI sur l'axe : <0001> ±0.5° pour 6H-N/6H-SI/4H-N/4H-SI | ||||||||
| Densité de Micropipe | cm2 ≤1 | cm2 ≤5 | cm2 ≤15 | cm2 ≤50 | |||||
| Résistivité | 4H-N | 0.015~0.028 Ω•cm | |||||||
| 6H-N | 0.02~0.1 Ω•cm | ||||||||
| 4/6H-SI | ≥1E5 Ω·cm | ||||||||
| Appartement primaire et longueur | {10-10} ±5.0°, 32,5 mm±2.0 millimètre | ||||||||
| Longueur plate secondaire | 18.0mm±2.0 millimètre | ||||||||
| Orientation plate secondaire | Silicium récepteur : Onde entretenue de 90°. de ±5.0° plat principal | ||||||||
| Exclusion de bord | 3 millimètres | ||||||||
| TTV/Bow /Warp | ≤15μm/≤25μm/≤40μm | ||||||||
| Rugosité | Ra≤1 polonais nanomètre, CMP Ra≤0.5 nanomètre | ||||||||
| Fissures par la lumière de forte intensité | Aucun | 1 laissé, ≤2 millimètre | ≤ cumulatif 10mm, length≤2mm simple de longueur | ||||||
| Plats de sortilège par la lumière de forte intensité | Secteur cumulatif ≤1% | Secteur cumulatif ≤1% | Secteur cumulatif ≤3% | ||||||
| Régions de Polytype par la lumière de forte intensité | Aucun | Secteur cumulatif ≤2% | Secteur cumulatif ≤5% | ||||||
| Éraflures par la lumière de forte intensité | 3 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | 5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer | ||||||
| puce de bord | Aucun | 3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun | 5 laissés, ≤1 millimètre chacun | ||||||
| Contamination par la lumière de forte intensité | Aucun | ||||||||
Sic gaufrette et lingots 2-6inch et toute autre taille adaptée aux besoins du client peut également être fourni.
3.Pictures des produits de la livraison avant
La livraison et paquet
