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Détails des produits

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Sic substrat
Created with Pixso. Wafer SiC semi-isolant de haute pureté HPSI à base de carbure de silicium pour appareils électriques et RF

Wafer SiC semi-isolant de haute pureté HPSI à base de carbure de silicium pour appareils électriques et RF

Nom De Marque: ZMSH
Numéro De Modèle: Plaquette SiC HPSI
MOQ: Par cas
Prix: Fluctuate with current market
Délai De Livraison: 2-4 semaines
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Chine
Lieu d'origine:
Shanghai
taper:
Semi-isolant
Finition de surface:
SSP/DSP, CMP/MP
Applications:
HEMT GaN, MOSFET SiC, amplificateurs RF
Détails d'emballage:
Dans une boîte à cassettes ou dans des conteneurs de plaquettes individuelles
Capacité d'approvisionnement:
1000 pièces/mois
Mettre en évidence:

Wafer SiC à haute pureté pour appareils électriques

,

substrate SiC semi-isolant pour appareils RF

,

Wafer Silicon Carbide HPSI avec garantie

Description de produit

 

Description du produit

 

 

 

Les plaquettes SiC semi-isolantes de haute pureté (HPSI) sont des substrats avancés en carbure de silicium monocristallin conçus pour l'électronique de puissance, les dispositifs RF et haute fréquence. Ils offrent d'excellentsconductivité thermique, hautrésistivité, fortstabilité chimique, et supérieurdureté mécanique. Idéales comme substrat pour les HEMT GaN, les MOSFET SiC et d'autres applications haute puissance et haute fréquence, les tranches HPSI garantissent des fuites minimales, une dissipation thermique efficace et des performances stables des appareils dans des environnements exigeants.

 

 

 

                              Wafer SiC semi-isolant de haute pureté HPSI à base de carbure de silicium pour appareils électriques et RF 0                             Wafer SiC semi-isolant de haute pureté HPSI à base de carbure de silicium pour appareils électriques et RF 1

 

 

 

 

 

 

 


 

 

 

Principales fonctionnalités

Wafer SiC semi-isolant de haute pureté HPSI à base de carbure de silicium pour appareils électriques et RF 2

 

 

 

  • Performances électriques: La haute résistivité réduit les fuites et les canaux parasites, idéal comme substrat pour les appareils électriques.

  • Performance thermique: Conductivité thermique élevée (~4,9 W/cm·K) pour une dissipation thermique efficace dans les appareils haute puissance et haute fréquence.

 

  • Stabilité chimique: Forte inertie chimique, résistance aux hautes températures et à l’oxydation.

 

  • Propriétés mécaniques: Dureté élevée, résistance à l’usure et structure de treillis stable.

 

 

 

 

 

 


 

 

 

Principales applications

 

 

 

  • Substrats de dispositifs à semi-conducteurs de puissance (par exemple, GaN HEMT, SiC MOSFET)

 

  • Appareils de communication haute fréquence et amplificateurs RF

 

  • Dispositifs micro-ondes et radar nécessitant une résistivité élevée et une faible capacité parasite

 

  • Electronique dans des environnements extrêmes : haute température, haute tension et fort rayonnement

 

 

 

 


 

 

 

 

 

Personnalisation

 

 

 

 

Nous proposons une confection géométrique polyvalente. Nous pouvons ajuster l'épaisseur des tranches et proposer diverses orientations de chutes, allant des inclinaisons standard de 4° aux coupes dans l'axe, pour correspondre à votre recette de croissance épitaxiale. Nous proposons également différentes options de dopage, ajustant les niveaux de résistivité pour prendre en charge à la fois la conductivité de type N pour les modules de puissance EV et les structures semi-isolantes pour les applications RF haute fréquence. En ajustant nos cycles de croissance, nous nous efforçons de fournir la cohérence électrique requise pour des appareils stables et performants.

 

 

 

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FAQ

 

 

Qu'est-ce qui caractérise le carbure de silicium semi-isolant ?

Ce matériau présente une résistivité électrique extrêmement élevée, minimisant efficacement les fuites de courant parasite dans les applications haute fréquence et haute tension.

Des spécifications personnalisées sont-elles disponibles ?

Oui, nous prenons en charge les spécifications personnalisées, notamment la concentration de dopage, les paramètres dimensionnels et les caractéristiques de surface pour les produits Prime et Research Grade.

Qu'est-ce qui différencie Prime Grade de Dummy Grade ?

Les plaquettes Prime Grade présentent une densité de défauts minimale adaptée à la fabrication de dispositifs actifs, tandis que Dummy Grade offre des solutions économiques pour les tests de processus et l'étalonnage des équipements.

Comment les produits sont-ils emballés pour l’expédition ?

Chaque plaquette est soumise à un scellage sous vide individuel à l'aide de matériaux compatibles avec les salles blanches afin de garantir l'intégrité de la surface pendant le transport.

Quels sont les délais de livraison standards ?

Les commandes de spécifications standard sont généralement expédiées dans un délai de 2 à 4 semaines, tandis que les exigences personnalisées nécessitent généralement 4 à 6 semaines pour être exécutées.