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Détails des produits

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Created with Pixso. Anneaux de silicium de précision (anneaux Si) pour systèmes de gravure au plasma à semi-conducteurs en silicium monocristallin et polycristallin

Anneaux de silicium de précision (anneaux Si) pour systèmes de gravure au plasma à semi-conducteurs en silicium monocristallin et polycristallin

Nom De Marque: ZMSH
MOQ: 10
Délai De Livraison: 2-4 semaines
Conditions De Paiement: T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shanghai, Chine
Matériel:
Silicium monocristallin / Silicium polycristallin
Pureté:
≥ 99,999 % (5N)
Diamètre maximum:
Jusqu'à 480 mm
Épaisseur:
Personnalisé (5 à 30 mm typique)
Résistivité (faible):
< 0,02 Ω·cm
Uniformité de la résistivité:
< 5 % (RRG)
Finition de surface:
Poli / Rodé / Meulé
Mettre en évidence:

Anneaux de silicium en silicium à cristal unique

,

Anneaux de silicium polykristallin

,

Anneaux de silicium à gravure de plasma

Description de produit

Anneaux de silicium de précision (anneaux Si) pour systèmes de gravure au plasma à semi-conducteurs en silicium monocristallin et polycristallin 0L'anneau de silicium de précision (Si Ring) est un composant consommable de qualité semi-conducteur utilisé dans les équipements de gravure au plasma, de dépôt et de traitement des plaquettes.ou anneau de doublure de chambre, aidant à contrôler la distribution du plasma, améliorer l'uniformité de gravure et protéger le matériel de la chambre du bombardement ionique direct.

Fabriqué à partir de silicium monocristallin de haute pureté ou de silicium polycristallin, l'anneau offre une excellente compatibilité avec les procédés de plaquettes de silicium.Cette correspondance intrinsèque des matériaux réduit le risque de contamination et assure des performances stables du processus dans les environnements de fabrication de semi-conducteurs.

Rôle des anneaux de silicium dans les chambres à plasma

Dans les systèmes de plasma semi-conducteurs (ICP, RIE, PECVD, CVD), les anneaux de silicium sont exposés à:

  • Champs plasmatiques à haute énergieAnneaux de silicium de précision (anneaux Si) pour systèmes de gravure au plasma à semi-conducteurs en silicium monocristallin et polycristallin 1
  • Les gaz à base de fluor (CF4, SF6, NF3)
  • Produits chimiques à base de chlore (Cl2, HBr)
  • Cycles thermiques et bombardement ionique

Dans ces conditions difficiles, les anneaux de silicium subissent progressivement une érosion contrôlée, ce qui explique pourquoi ils sont classés comme composants consommables critiques dans la fabrication de semi-conducteurs.

Leurs rôles principaux comprennent:

  • Stabilisation de la distribution du plasma près des bords des plaquettes
  • Amélioration de l'uniformité de la gravure et du contrôle des CD
  • Protection des murs et du matériel de la chambre
  • Maintenir la répétabilité des processus

Les principaux avantages des anneaux en silicium

Excellente compatibilité avec les procédés de silicium

Les anneaux de silicium sont naturellement compatibles avec les environnements de traitement des plaquettes de silicium, minimisant la contamination croisée et favorisant une production à haut rendement.

Solution de consommation rentable

Par rapport aux alternatives au SiC, les anneaux en silicium offrent:

  • Moins de coûts initiaux
  • Fabrication et usinage plus faciles
  • Cycles économiques de remplacement

Performance plasmatique stable

Le silicium de haute pureté assure un comportement électrique et matériel cohérent lors de l'exposition au plasma, favorisant des conditions de processus stables.

Options de matériaux flexibles

Disponible dans:

  • Silicium monocristallin (uniformité plus élevée, meilleure stabilité électrique)
  • Silicium polycristallin (efficace sur le plan des coûts, largement utilisé dans les procédés standard)

Machinerie de précision pour semi-conducteurs

Fabriqué avec des tolérances strictes pour assurer:

  • Contrôle des dimensions étroites (< 10 μm)
  • Intégration fiable des chambres
  • Comportement du plasma sur le bord de la gaufre

Spécifications techniques

Paramètre Spécification
Matériel Silicium monocristallin / Silicium polycristallin
La pureté ≥ 99,999% (5N)
Diamètre maximal Jusqu'à 480 mm
Épaisseur Personnalisé (typiquement 5 à 30 mm)
Résistance (faible) < 0,02 Ω·cm
Résistance (moyenne) 1 ¢ 4 Ω·cm
Résistance (haute) 70 ¢ 90 Ω·cm
Uniformité de résistance Résultats de l'analyse
Finition de surface Polie / Lapée / broyée
Roughness de la surface Ra ≤ 0,8 μm (polie vers le bas)
Précision de l'usinage < 10 μm
Plateur ≤ 30 μm (en fonction de la taille)
Conception du bord Chambre / rayon personnalisable
Norme de qualité Pas de fissures, de fissures ou de contamination

Applications dans le domaine des semi-conducteurs

Les anneaux de silicium sont largement utilisés dans:

  • Systèmes de gravure au plasma ICP et RIE
  • Équipement de dépôt de CVD et de PECVD
  • Ensembles d'anneaux de mise au point et d'anneaux de bord
  • Structures de revêtement de chambre et de protection
  • Systèmes de commande par plasma sur les bords des plaquettes

Ils conviennent particulièrement aux nœuds semi-conducteurs matures et intermédiaires où l'efficacité des coûts et la stabilité des performances sont des priorités clés.


Anneaux de silicium de précision (anneaux Si) pour systèmes de gravure au plasma à semi-conducteurs en silicium monocristallin et polycristallin 2


Rings de silicium monocristallin ou polycristallin

Caractéristique Silicium monocristallin Silicium polycristallin
L'uniformité Plus haut Modérée
Stabilité électrique C' est mieux. La norme
Coût Plus haut En bas
Faiblesse à l'usinage C' est bon! C' est très bien.
Utilisation typique Processus de haute précision Utilisation industrielle générale

Anneaux de silicium contre anneaux de silicium (guide de sélection)

Caractéristique Rings de silicium Rings à base de silicium
Coût En bas Plus haut
Résistance au plasma Modérée C' est excellent.
Durée de vie Plus court Plus longtemps
Difficulté d'usinage C' est plus facile. Plus fort.
Meilleure application Procédures standardisées Environnements plasmatiques difficiles

Les anneaux en silicium sont préférés lorsque l'efficacité des coûts et la compatibilité des processus sont plus importantes que la durée de vie ultra-longue.


Anneaux de silicium de précision (anneaux Si) pour systèmes de gravure au plasma à semi-conducteurs en silicium monocristallin et polycristallin 3


Pourquoi choisir des anneaux en silicium?

Les anneaux de silicium restent largement utilisés dans les usines de semi-conducteurs car ils fournissent:

  • Compatibilité avérée avec les procédés à base de silicium
  • Comportement plasmatique stable et prévisible
  • Moins de coûts de consommation
  • Flexibilité de fabrication élevée
  • Personnalisation facile pour des géométries complexes

Ils constituent un choix pratique et fiable pour les environnements de fabrication à fort volume.

Options de personnalisation

La personnalisation disponible comprend:

  • Réglage du diamètre et de l'épaisseur
  • Sélection du matériau monocristallin ou polycristallin
  • Réglage de la résistance
  • Profil du bord (chambre / rayon)
  • Finition des surfaces (polissage, laminage, broyage)
  • Structures géométriques complexes basées sur des dessins

Questions fréquentes

Q1: L'anneau en silicium est-il une pièce consommable?

C'est un composant consommable qui s'érode progressivement sous l'exposition au plasma et doit être remplacé périodiquement.

Q2: Quelle est la différence entre le silicium monocristallin et le silicium polycristallin?

Le silicium monocristallin offre une meilleure uniformité et des performances électriques, tandis que le silicium polycristallin offre un coût inférieur et une fabrication flexible.

Q3: Les anneaux en silicium peuvent-ils être personnalisés?

Les dimensions, la résistivité, la finition de surface et la géométrie peuvent être personnalisées selon les exigences de l'équipement ou les dessins.

Q4: Quelle est la durée de vie par rapport aux anneaux SiC?

Les anneaux de silicium ont généralement une durée de vie plus courte en raison de la faible résistance au plasma, en particulier dans des environnements de gravure agressifs.

Q5: Quel est le délai de livraison typique?

La production prend généralement 3 à 5 semaines selon la complexité de la conception et le volume de la commande.


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