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2 pouces DSP Crystal Gallium Nitride Wafer Free simple tenant GaN Substrates

Détails de produit

Lieu d'origine: La Chine

Nom de marque: zmsh

Certification: ROHS

Numéro de modèle: GaN-SUR-GaN l'HEMT

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 1pcs

Prix: by case

Détails d'emballage: caisse simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories

Délai de livraison: 2-4weeks

Conditions de paiement: L/C, T/T

Capacité d'approvisionnement: 10pcs/month

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Mettre en évidence:

Substrat debout libre de nitrure de gallium

,

Gaufrette de DSP EPI

,

Crystal Gallium Wafer simple

Matériel:
Gaufrette d'epi de monocristal de GaN
Industrie:
Gaufrette de semi-conducteur, LED, HEMT
Application:
dispositif de semi-conducteur, gaufrette de LD, gaufrette de LED, détecteur d'explorateur, laser,
Type:
GaN de type n libre-stading
Adapté aux besoins du client:
OK
Taille:
2inchx0.35mmt commun
Épaisseur:
400±50um
Couche:
2-5um
Densité de transporteur:
6E12-2E13 ;
Matériel:
Gaufrette d'epi de monocristal de GaN
Industrie:
Gaufrette de semi-conducteur, LED, HEMT
Application:
dispositif de semi-conducteur, gaufrette de LD, gaufrette de LED, détecteur d'explorateur, laser,
Type:
GaN de type n libre-stading
Adapté aux besoins du client:
OK
Taille:
2inchx0.35mmt commun
Épaisseur:
400±50um
Couche:
2-5um
Densité de transporteur:
6E12-2E13 ;
2 pouces DSP Crystal Gallium Nitride Wafer Free simple tenant GaN Substrates

B2inch GaN-SUR-GaN les gaufrettes DIRIGÉES PAR micro vertes bleues d'epi sur les substrats libres de GaN

2inch DSP SSP GaN-SUR-GaN les gaufrettes bleues d'HEMT sur les substrats libres de GaN

Environ GaN-sur-GaN la caractéristique présentez

Les dispositifs de puissance verticaux de GaN ont le potentiel de révolutionner l'industrie de dispositif de puissance, particulièrement dans les applications avec des conditions à haute tension, telles que les dispositifs verticaux de GaN au-dessus de 600 V. selon les propriétés physiques du matériel, les dispositifs de GaN ont la sur-résistance inférieure à une tension claque donnée que les dispositifs de puissance basés sur silicium traditionnels et les dispositifs de puissance purs naissants de carbure de silicium. Les dispositifs de puissance horizontaux de GaN, c.-à-d. hauts transistors de mobilité de GaN-sur-silicium (HEMTs), concurrencent des dispositifs de silicium sur le marché de basse tension, et GaN est supérieur, qui prouve également la supériorité des matériaux de GaN.
On s'attend à ce que des dispositifs de puissance verticaux de GaN concurrencent les dispositifs de puissance purs de carbure de silicium sur le marché à haute tension. Pendant les deux premières années, sic les dispositifs ont gagné une certaine part de marché sur le marché à haute tension d'application, et quelques sociétés ont augmenté la production de 6 pouces et de 8 pouces sic. En revanche, les dispositifs verticaux de GaN ne sont pas encore disponibles dans le commerce, et très peu de fournisseurs peuvent élever des gaufrettes de GaN de 4 po. de diamètre. L'augmentation de l'approvisionnement en gaufrettes de haute qualité de GaN est critique au développement des dispositifs verticaux de GaN.
Les dispositifs de puissance à haute tension ont fait de la nitrure de gallium ont trois avantages potentiels :
1. Sous une tension claque donnée, la sur-résistance théorique est un ordre de grandeur plus petit. Par conséquent, moins de puissance est perdue dedans polarisent en aval et le rendement énergétique est plus haut.

En second lieu, sous la tension claque et la sur-résistance indiquées, la taille du dispositif fabriqué est plus petite. Plus la taille de dispositif est petite, plus les dispositifs peuvent être faits à partir d'une gaufrette simple, qui réduit le coût. En outre, la plupart des applications exigent de plus petites puces.
3. la nitrure de gallium a un avantage dans la fréquence maximum de fonctionnement du dispositif, et la fréquence est déterminée par les propriétés matérielles et la conception de dispositif. Habituellement la plus haute fréquence du carbure de silicium est au sujet de 1MHz ou de moins, alors que les dispositifs de puissance faisaient de la nitrure de gallium peuvent travailler à de plus hautes fréquences, telles que des dizaines de mégahertz. Le fonctionnement à de plus hautes fréquences est salutaire pour réduire la taille des composants passifs, réduisant de ce fait la taille, le poids et le coût du système de conversion de puissance.
Les dispositifs verticaux de GaN sont toujours dans l'étape de recherche et développement, et l'industrie n'a pas encore atteint un consensus sur la structure du dispositif de puissance vertical optimal de GaN. Les trois structures de dispositif de courant principal incluent le transistor vertical d'électron d'ouverture actuelle (CAVET), le transistor à effet de champ de fossé (FET de fossé) et le transistor à effet de champ d'aileron (FET d'aileron). Toutes les structures de dispositif contiennent une basse couche N-enduite comme couche de dérive. Cette couche est très importante parce que l'épaisseur de la couche de dérive détermine la tension claque du dispositif. En outre, la concentration d'électron joue un rôle en réalisant la plus basse sur-résistance théorique. rôle important.

Caractéristiques pour GaN-sur-GaN des substrats pour chaque catégorie

Substrats

GaN (SI-enduit) de type n libre
Article 2inch GaN-SUR-GaN les gaufrettes DIRIGÉES PAR micro vertes bleues d'epi
Taille de dimensions ± 0.3mm de Ф 50.0mm
Épaisseur de substrat 400 µm du ± 30
Orientation de substrat C-axe (0001) vers le M-axe 0.55± 0.15°
Polonais SSP ou DSP

Structure d'Epilyaer sans chapeau GaN cap/Al (15~30%) GaN de SiNx (dans (17%))Couche intermédiaire GaN Channel /C-doped GaN d'AlN Barrier/1nm AlN
Epi thickness/STD 2~4.5um GaN Buffer layer/1nm AlN spacer/15-30nm (21nm a préféré) pour AlGaN 4-10 (6preferred) pour la couche de passivation de péché du chapeau layer/0~30nm (3preferred) d'u-GaN d'InAlN/2nm
AFM RMS <0>
Densité de transporteur 6E12~2E13 ;
Mobilité de hall 1300-2200 cm2V-1s-1 ;
BVF latéral pour 4um GaN : C, Lgd=15um (puissance) >600@1uA /mm ;
Rs (ohm/Sq) 200-450
Particels (>20um) <5pcs>
Secteur utilisable

Niveau P >90% ; R level>80% : Dlevel>70% (bord et macro exclusion de défauts)

2 pouces DSP Crystal Gallium Nitride Wafer Free simple tenant GaN Substrates 02 pouces DSP Crystal Gallium Nitride Wafer Free simple tenant GaN Substrates 1

  • Applications
  • - Diverses LED : LED blanche, LED violette, LED ultra-violette, LED bleue
  • - Détection environnementale
  • Substrats pour la croissance épitaxiale par MOCVD etc.
  • - Diodes lasers : LD violet, LD vert pour les projecteurs ultra petits.
  • - Appareils électroniques de puissance
  • - Appareils électroniques à haute fréquence
  • Affichage de projection de laser, dispositif de puissance, etc.
  • Stockage de date
  • Éclairage de rendement optimum
  • Appareils électroniques à haute efficacité
  • Nouvelle technologie d'hydrogène de solor d'énergie
  • Bande de terahertz de source lumineuse

Nos services

1. Fabrication et vente directes d'usine.

2. Rapidement, citations précises.

3. Répondez-vous dans un délai de 24 heures de travail.

4. ODM : La conception adaptée aux besoins du client est disponible.

5. Vitesse et livraison précieuse.

FAQ

Q : Y a-t-il un produit courant ou standard ?

: Oui, taille commune comme taille standard de like2inch 0.3mm toujours en stock.

Q : Que diriez-vous de la politique d'échantillons ?

: désolé, mais suggérez que vous puissiez racheter une certaine taille de 10x10mm pour l'essai premièrement.

Q : Si je passent une commande maintenant, combien de temps elle serait avant que j'aie obtenu la livraison ?

: la taille standard en stock dans 1weeks peut être exprimée après paiement.

et notre terme de paiement reste dépôt de 50% et avant la livraison.

2 pouces DSP Crystal Gallium Nitride Wafer Free simple tenant GaN Substrates 2