- La constante de réseau est supérieure à celle du silicium, ce qui est propice à la construction d'hétérostructures.

- La mobilité électronique élevée, environ 3 fois supérieure à celle du silicium, est propice à la fabrication d'appareils électroniques à grande vitesse.

- La petite largeur de bande (0,67 eV) le rend adapté aux applications de détection photoélectrique infrarouge et d'émission.

Il est plus sensible aux radiations et convient aux équipements électroniques sensibles aux radiations.

La technologie de traitement est relativement complexe et le coût est élevé.

Paramètres techniques

1- électronique analogique et RF à haute fréquence: diodes à micro-ondes, transistors, circuits intégrés; équipement électronique dans la bande de fréquences à micro-ondes, tel que radar et communications.

2Détection et émission photoélectrique infrarouge: détecteur infrarouge, appareil thermique; diodes émettrices infrarouges, diodes laser.

3Équipement électronique sensible aux rayonnements: hétérostructure composée de semi-conducteurs: système d'avionique aérospatiale; centrales nucléaires et équipements électroniques dans le domaine militaire.

4- Hétérostructure composée des semi-conducteurs: matériaux de substrat pour les composés III-V tels que les GaAs, InP, etc.; cellules solaires à structure hétérogène, diodes laser, etc.

Nos services

1- Fabrication directe et vente.

2Des citations rapides et précises.

3Nous vous répondrons dans les 24 heures ouvrables.

4. ODM: la conception sur mesure est disponible.

5Rapide et précieux.

Questions fréquentes