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Dureté de la lentille 2INCH 3INCH 4INCH 9,0 de gaufrette sic polie par 4H-SEMI pour le matériel de dispositif

Nom De Marque:	zmsh
Numéro De Modèle:	sic-6inch 4h-n
MOQ:	1pcs
Prix:	by case
Délai De Livraison:	15days en dedans

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

La Chine

industrie:

substrat de semi-conducteur

matériaux:

sic en cristal

application:

5G, matériel de dispositif, MOCVD, l'électronique de puissance

Type:

4H-N, semi, aucun enduit

couleur:

vert, bleu, blanc

hardeness:

9,0

Détails d'emballage:

par cas adapté aux besoins du client

Mettre en évidence:

sic gaufrette

sic substrat

Description de produit

6inch sic substrats, sic lingot, lingots sic en cristal, bloc sic en cristal, sic substrats de semi-conducteur, gaufrette de carbure de silicium 6inch, 4H-semi sic gaufrette, type de 6inch 4H-N de catégorie gaufrette factice sic pour l'essai,

1. Description

Propriété	4H-SiC, monocristal	6H-SiC, monocristal
Paramètres de trellis	a=3.076 Å c=10.053 Å	a=3.073 Å c=15.117 Å
Empilement de l'ordre	ABCB	ABCACB
Dureté de Mohs	≈9.2	≈9.2
Densité	3,21 g/cm3	3,21 g/cm3
Therm. Coefficient d'expansion	4-5×10-6/K	4-5×10-6/K
Index @750nm de réfraction	aucun = 2,61 Ne = 2,66	aucun = 2,60 Ne = 2,65
Constante diélectrique	c~9.66	c~9.66
ohm.cm (de type n et 0,02) de conduction thermique	a~4.2 W/cm·K@298K c~3.7 W/cm·K@298K
Conduction thermique (semi-isolante)	a~4.9 W/cm·K@298K c~3.9 W/cm·K@298K	a~4.6 W/cm·K@298K c~3.2 W/cm·K@298K
Bande-Gap	eV 3,23	eV 3,02
Champ électrique de panne	3-5×106V/cm	3-5×106V/cm
Vitesse de dérive de saturation	2.0×105m/s	2.0×105m/s

2. Describtion matériel de taille

spécifications de substrat de carbure de silicium de 6 po. de diamètre (sic)


Catégorie		Catégorie de Z	Catégorie de P	Catégorie de R	Catégorie de D

		MPD ZÉRO	Production	Catégorie de recherches	Catégorie factice

Diamètre		150mm±0.5 millimètre

Épaisseur		350 μm±25μm ou 500±25um ou par taille adaptée aux besoins du client

Orientation de gaufrette		Outre de l'axe : 4.0° vers <1120> ±0.5° pour 4H-N

Densité de Micropipe		≤1cm-2	cm2 ≤5	cm2 ≤15	cm2 ≤50

Résistivité	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm

	4/6H-SI	>1E5 Ω·cm

Appartement primaire		{10-10} ±5.0°

Longueur plate primaire		47.5mm±2.5 millimètre

Exclusion de bord		3mm

TTV/Bow /Warp		≤15μm/≤40μm/≤60μm

Rugosité		Ra≤1 polonais nanomètre

		CMP Ra≤0.5 nanomètre

		Aucun	Aucun	1 laissé, ≤1 millimètre
Fissures par la lumière de forte intensité

Plats de sortilège par la lumière de forte intensité		Area≤ cumulatif 1 %	Area≤ cumulatif 1 %	Area≤ cumulatif 3 %

		Aucun	Area≤ cumulatif 2 %	Area≤5% cumulatif
Régions de Polytype par la lumière de forte intensité

		3 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer	5 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer	8 éraflures à la longueur cumulative du diamètre 1×wafer
Éraflures par la lumière de forte intensité

Puce de bord		Aucun	3 laissés, ≤0.5 millimètre chacun	5 laissés, ≤1 millimètre chacun

Contamination par la lumière de forte intensité		Aucun

3. produits

FAQ :

Q : Quelle est la manière de l'expédition et du coût ?

A : (1) nous acceptons DHL, Fedex, SME etc.

(2) il est très bien si vous avez votre propre compte exprès, sinon, nous pourrions vous aider à les embarquer et

Le fret est conforme au règlement réel.

Q : Comment payer ?

A : Dépôt de T/T 100% avant la livraison.

Q : Quel est votre MOQ ?

A : (1) pour l'inventaire, le MOQ est 1pcs. si 2-5pcs il est meilleur.

(2) pour les produits communs adaptés aux besoins du client, le MOQ est 10pcs.

Q : Quel est le délai de livraison ?

A : (1) pour les produits standard

Pour l'inventaire : la livraison est pendant 5 jours ouvrables après que vous passez la commande.

Pour les produits adaptés aux besoins du client : la livraison est 2 pendant -4 semaines après que vous commandez le contact.

Q : Avez-vous les produits standard ?

A : Nos produits standard en stock. comme comme les substrats 4inch 0.35mm.

Thanks~~~

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