Indium phosphide Wafer InP Substrats semi-conducteurs épitaxial 2'' 3' 4' épaisseur 350um

Indium phosphide Wafer InP Substrats semi-conducteurs épitaxial 2'' 3' épaisseur 350um

Description du produitPhosphure d'indium:

Les puces à phosphure d'indium (InP) sont un matériau largement utilisé dans l'optoélectronique et les appareils semi-conducteurs.

• Mobilité électronique élevée: les puces à phosphure d'indium ont une mobilité électronique élevée, ce qui signifie que les électrons se déplacent plus rapidement à travers le matériau.

• Propriétés du matériau contrôlées: les propriétés des plaquettes de phosphure d'indium peuvent être réglées en contrôlant le processus de croissance épitaxielle du matériau et les techniques de dopage.

• Large bande passante: la plaque de phosphure d'indium possède une large bande passante, ce qui lui permet de fonctionner dans les gammes de lumière visible et infrarouge.

• Vitesse de dérive de saturation élevée: la gaufre en phosphure d'indium a une vitesse de dérive de saturation élevée, ce qui signifie que la vitesse de dérive des électrons atteint son maximum sous un champ électrique élevé.

• Excellente conductivité thermique: la gaufre en phosphure d'indium a une conductivité thermique élevée, ce qui signifie qu'elle est capable de conduire et de dissiper efficacement la chaleur,améliorer ainsi la fiabilité et la stabilité des performances du dispositif.

Caractéristiques duPhosphure d'indium:

Les puces à phosphure d'indium (InP) ont des caractéristiques remarquables qui les rendent largement utilisées dans l'optoélectronique et les semi-conducteurs.Voici quelques-unes des principales caractéristiques des matériaux de copeaux de phosphure d'indium:

• Intervalle de bande directe: Le phosphure d'indium a une caractéristique d'intervalle de bande directe qui le rend excellent dans les appareils optiques.

• Large gamme d'écart de bande: le phosphure d'indium a une large bande allant du spectre infrarouge à l'ultraviolet.

• Haute mobilité électronique: le phosphure d'indium a une grande mobilité électronique, ce qui le rend excellent dans l'électronique à haute fréquence et l'optoélectronique à grande vitesse.

• Excellente conductivité thermique: le phosphure d'indium a une conductivité thermique élevée et peut dissiper efficacement la chaleur.

• Bonne stabilité mécanique et chimique: les puces de phosphure d'indium ont une bonne stabilité mécanique et chimique et peuvent maintenir leur stabilité et leur fiabilité dans différentes conditions environnementales.

• Structure de bande réglable: la structure de bande des matériaux à base de phosphure d'indium peut être réglée par des techniques de dopage et d'alliage pour répondre aux exigences de différents dispositifs.

Paramètres techniques dePhosphure d'indium:

Applications dePhosphure d'indium:

Les plaquettes de phosphure d'indium (InP) ont un large éventail d'applications dans l'optoélectronique et les substrats de semi-conducteurs:

• Communication optique: Les plaquettes InP sont largement utilisées dans le domaine de la communication optique pour les systèmes de communication à haute vitesse en fibre optique.modulateurs optiques, les récepteurs optiques, les amplificateurs optiques et les accouplements de fibres optiques.

• Dispositifs photoélectroniques: Les plaquettes InP sont utilisées pour fabriquer des dispositifs photoélectroniques tels que des photodiodes, des photodétecteurs, des cellules solaires et des photocoupleurs.

• Dispositifs électroniques à haute vitesse: les substrats InP sont largement utilisés dans le domaine des dispositifs électroniques à haute fréquence.Les transistors à haute mobilité électronique (HEMT) des wafes InP sont utilisés pour préparer des appareils tels que des amplificateurs à haute fréquence, commutateurs RF et circuits intégrés à micro-ondes pour des applications telles que les communications sans fil, les systèmes radar et les communications par satellite.

• Dispositifs optiques intégrés: Les plaquettes InP sont utilisées pour préparer des dispositifs optiques intégrés tels que des guides d'ondes optiques, des modulateurs optiques, des commutateurs optiques et des amplificateurs optiques.

• Les wafers InP jouent un rôle important dans la recherche en photonics. Ils sont utilisés dans la recherche en laboratoire, l'optique quantique, le traitement quantique de l'information et les dispositifs quantiques optiques.

• En plus des applications ci-dessus, les plaquettes InP sont également utilisées dans d'autres domaines, tels que la détection optique, la biomédecine, le stockage de lumière et les substrats à semi-conducteurs.

FAQ:

Q1: Quelle est la marqueWafer InP?
A1: LeLa galette InP estfabriqué par ZMSH.

Q2: Quel est le diamètre de laWafer InP?
A2: Le diamètre deLa galette InP estDeux, trois, quatre.

Q3: Où se trouve leWafer InP- Je ne sais pas.
A3: LeWafer InPest de Chine.

Q4: Est-ce que leWafer InPCertifié ROHS?
R4: Oui, leWafer InP est certifié ROHS.

Q5: Combien d'InPJe peux acheter des galettes à la fois?
A5: Quantité minimale de commande de la commandeWafer InPC'est 5 pièces.

Autres produits:

Pluies de silicium