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Calibre de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sur la gaufrette d'AlN-Sur-saphir d'EPI-gaufrette de saphir

Name: Calibre de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sur la gaufrette d'AlN-Sur-saphir d'EPI-gaufrette de saphir
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 2inch AlN
Price: 150.00 USD
Availability: InStock

Nom De Marque:	zmkj
Numéro De Modèle:	2inch AlN
MOQ:	5pc
Prix:	by case
Délai De Livraison:	2-4 semaines
Conditions De Paiement:	L / C, T / T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Lieu d'origine:

La Chine

Matériel:

AlN sur la gaufrette

Méthode:

HVPE

Taille:

2 pouces

épaisseur:

430+15um

Industrie:

LD, mené, dispositif de laser, détecteur,

Surface:

DSP

Détails d'emballage:

caisse simple de gaufrette dans la pièce de nettoyage de 100 catégories

Mettre en évidence:

calibre gan

calibre d'aln

Description de produit

calibre de 2inch AlN sur le saphir ou sic les substrats, gaufrette de nitrure de gallium de HVPE, substrats d'AlN sur GaN

Calibre de 2INCH AlN sur la gaufrette d'AlN-Sur-saphir d'EPI-gaufrette de saphir

Nous offrons les substrats mono-cristallins d'AlN sur le calibre de saphir de c-avion, qui a appelé la gaufrette d'AlN ou le calibre d'AlN, pour la LED UV, les dispositifs de semi-conducteur et la croissance épitaxiale d'AlGaN. Nos epi-prêts, substrats d'AlN de C-avion ont bon XRD FWHM ou densité de dislocation. L'épaisseur disponible est de 30nm à 5um.

Nos substrats de nitrure en aluminium de monocristal avec la basse dislocation a largement l'application : y compris LED, détecteurs UV, fenêtres de chercheurs d'IR, la croissance épitaxiale des III-nitrures, laser, transistors de rf et tout autre dispositif de semi-conducteur.

La largeur de bande interdite (luminescente et absorption) couvrent la lumière et l'infrarouge ultra-violets et visibles.
Le calibre d'AlN est employé pour le développement des structures d'HEMT, diodes tunnel résonnantes et

dispositifs acoustoelectronic

Calibre de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sur la gaufrette d'AlN-Sur-saphir d'EPI-gaufrette de saphir 0

Caractéristiques :

Calibre de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sur la gaufrette d'AlN-Sur-saphir d'EPI-gaufrette de saphir 1

	2" calibres d'AlN
Article	AlN-T
Dimensions	Ф 2"
Substrat	Saphir, sic, GaN
Épaisseur	1000nm+/- 10%
Orientation	± 1° du C-axe (0001)
Type de conduction	Semi-isolant
Densité de dislocation	XRD FWHM de (0002) < 200="" arcsec="">
	XRD FWHM de (10-12) < 1000="" arcsec="">
Superficie utilisable	> 80%
Polonais	Norme : SSP
	Option : DSP
Paquet	Emballé dans un environnement de pièce propre de la classe 100, dans des cassettes de 25pcs ou de conteneurs simples de gaufrette, sous une atmosphère d'azote.

FAQ

Q : De quelle longueur est-il votre délai de livraison ?

: Généralement c'est de 5-10 jours si les marchandises sont en stock. ou c'est de 15-20 jours si les marchandises ne sont pas en stock,

il est selon la quantité.

Q : Fournissez-vous des échantillons ? est-lui librement ou supplémentaire ?

: Oui, nous sommes désolés pour celui que nous offrons l'échantillon responsable par le GOUSSET.

Q : Quelles sont vos conditions de paiement ?

: Payment=1000USD<>, 30% T/T à l'avance,

équilibre avant expédition.
Si vous avez une autre question, les pls se sentent libres pour nous contacter en tant que ci-dessous :

Étiquettes:

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de silicium d'IC

Saphir synthétique Rod

Plat de quartz fondu

Pièces de saphir

Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de GaAs

Gaufrette de phosphure d'indium

substrat en céramique

Emballage de laboratoire

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de saphir

Sic substrat

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Gaufrette de silicium d'IC

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Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de GaAs

Gaufrette de phosphure d'indium

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Emballage de laboratoire

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Calibre de 2INCH 4INCH NPSS/FSS AlN sur la gaufrette d'AlN-Sur-saphir d'EPI-gaufrette de saphir

calibre gan

calibre d'aln

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