Détails de produit
Place of Origin: China
Nom de marque: ZMSH
Model Number: N-GaAs Substrate
Conditions de paiement et d'expédition
Delivery Time: 2-4 weeks
Payment Terms: T/T
Matériel: |
Arsenide de gallium |
Taille: |
2 pouces |
Épaisseur: |
430um |
orientation: |
Le nombre de personnes concernées est le suivant: |
Le type: |
type de n |
Mode de cavité Uniformité: |
≤ 1% |
Matériel: |
Arsenide de gallium |
Taille: |
2 pouces |
Épaisseur: |
430um |
orientation: |
Le nombre de personnes concernées est le suivant: |
Le type: |
type de n |
Mode de cavité Uniformité: |
≤ 1% |
2 pouces de substrat d'arsenure de N-gallium, 2 pouces de substrat de N-GaAs, 4 pouces de substrat de N-GaAs,plaquettes à semi-conducteurs, Wafer épitaxial au laser à l' arsenure de N-gallium
Caractéristiques du substrat N-GaAs
- utiliser des substrats de GaAs pour la fabrication
- supporter les personnalisés avec des illustrations de design
- bande passante directe, émet de la lumière efficacement, utilisée dans les lasers.
- dans la gamme de longueurs d'onde de 0,7 μm à 0,9 μm, structures de puits quantiques
- en utilisant des techniques telles que le MOCVD ou le MBE, la gravure, la métallisation et l'emballage pour obtenir la forme finale du dispositif
Description du produitSubstrate de N-GaAs
VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) epitaxial wafers based on N-GaAs (n-type gallium arsenide) substrates are a key optoelectronic material widely used in the fields of lasers and optical communications.
Le substrat N-GaAs est composé de gallium (Ga) et d'arsenic (As) et utilise une technologie de dopage de type n pour augmenter la concentration d'électrons libres,améliorant ainsi la conductivité et la mobilité des électrons.
Ce matériau a une bande passante d'énergie d'environ 1,42 eV, ce qui convient à l'émission laser et possède d'excellentes propriétés optoélectroniques.
La structure de VCSEL comprend généralement plusieurs puits quantiques et couches de réflecteurs, qui sont cultivés sur le substrat N-GaAs pour former une cavité laser efficace.
La couche de puits quantiques est responsable de l'excitation et de l'émission de lasers, tandis que le réflecteur améliore l'efficacité de sortie du laser.
L'excellente stabilité thermique et les propriétés électriques du substrat N-GaAs assurent la haute performance et la stabilité du VCSEL, ce qui lui permet de bien fonctionner dans la transmission de données à grande vitesse.
Les VCSEL basés sur des substrats N-GaAs sont largement utilisés dans des domaines tels que les communications en fibre optique, les imprimantes laser et les capteurs.
Son efficacité élevée et sa faible consommation d'énergie en font un élément important de la technologie de communication moderne.
Avec la demande croissante de transmission de données à grande vitesse, la technologie VCSEL basée sur le substrat N-GaAs devient progressivement une direction importante pour le développement de l'optoélectronique,promouvoir les progrès et l'innovation dans les différentes applications.
Détails du substrat N-GaAs
| Paramètre | VCSEL |
| taux | 25G/50G |
| longueur d'onde | 850 nm |
| taille | 4 pouces / 6 pouces |
| Tolérance en mode cavité | Dans ± 3% |
| Mode de cavité Uniformité | Jusqu'à 1% |
| Tolérance au dopage | Dans les ± 30% |
| Niveau de dopage Uniformité | ≤ 10% |
| PL Uniformité de la longueur d'onde | Std.Dev est meilleur que 2nm @inner 140mm |
| Épaisseur uniforme | Meilleur que ± 3% @intérieur 140 mm |
| Fraction mol x Tolérance | Dans un rayon de ±0.03 |
| Fraction mol x Uniformité | ≤ 003 |
Plus d'échantillons de substrat N-GaAs
*Si vous avez des exigences personnalisées, n'hésitez pas à nous contacter.
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Questions fréquentes
1. Q: Quel est le coût des substrats N-GaAs par rapport à d'autressous-produits?
A: Je suis désolé.Substrats de N-GaAsIls ont tendance à être plus chers que le siliciumsous-produitset d'autres matériaux semi-conducteurs.
2Q: Quelles sont les perspectives futures deSubstrats de N-GaAs?
A: Les perspectives d'avenir deSubstrats de N-GaAssont très prometteuses.
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