Mettre en évidence:
Épi-plaquette VCSEL GaAs de 6 pouces
, Épi-plaquettes VCSEL de 940 nm
, 100 111 épi-plaquettes VCSEL
Cavity mode Tolerance: |
Within3% |
Mode de cavité Uniformité: |
Le montant de la taxe de séjour |
Dopinglevel tolerance: |
Within ±30 % |
Niveau de dopage Uniformité: |
Le montant de l'aide |
PL Wavelength uniformity: |
Std. Dev better than 2nm @inner 140mm |
Thickness uniformity: |
Better than ±3% @inner 140mm |
Mole fraction x tolerance: |
Within ±0.03 |
Mole fraction x Uniformity: |
<= 0.03 |
N-GaAs substrat VCSEL épi-plaque d'orientation GaAs de 6 pouces 100 111 longueur d'onde 940nm pour Gigabit Ethernet
N-GaAs substrat VCSEL épi-plaque d'orientation GaAs de 6 pouces 100 111 longueur d'onde 940nm pour Gigabit Ethernet
Le résumé de l'épi-wafer VCSEL de substrat N-GaAs
LeEpiwafer VCSEL à N-GaAs (arsenide de gallium de type n) sous-strateLes VCSEL sont essentiels dans des applications telles que la communication optique à grande vitesse, la détection 3D et le LIDAR.La plaque est construite sur un substrat GaAs de type N, qui fournit une excellente conductivité électrique et une base appropriée pour la croissance de la couche épitaxienne.
Des couches épitaxiales, généralement composées de divers semi-conducteurs composés, sont cultivées sur le substrat pour former la région active du laser.offrant une efficacité élevée et une intégration facile dans les tableauxLa plaque supporte généralement l'émission à des longueurs d'onde comme850 nm ou 940 nm, idéal pour les applications dans les communications en fibre optique et la détection 3D.
Les substrats de N-GaAs fournissentfaible densité de défauts, essentiels pour les appareils hautes performances, et peuvent résistertraitement à haute températureSa stabilité mécanique et sa conductivité thermique le rendent adapté aux applications à haute puissance et à grande vitesse.centres de données,électronique grand public(par exemple, reconnaissance faciale dans les smartphones), etsystèmes automobilesLIDAR, en raison de soncoût efficaceetévolutifsla production.
Structure de l'épi-wafer VCSEL au substrat N-GaAs
Fiche de données des épi-wafers VCSEL à substrat N-GaAsLes données relatives à l'équipement doivent être transmises à l'organisme de surveillance.)
Photo de l'épi-wafer VCSEL du substrat N-GaAs
Application des épi-wafers VCSEL à base de substrat N-GaAs
LeEpiwafer VCSEL à substrat N-GaAsest largement utilisé dans diverses applications de haute technologie en raison de son émission lumineuse verticale efficace, de son évolutivité et de ses avantages en termes de performances.
Communication optique:
- Les VCSEL sur des substrats N-GaAs sont largement utilisés danscommunication par fibre optiquesystèmes, notammentÉthernet Gigabitetcentres de données, où elles prennent en charge la transmission de données à grande vitesse sur de courtes distances avec une efficacité énergétique élevée.
Détection 3D:
- Dansélectronique grand public, tels que les smartphones et les tablettes, les VCSEL font partie intégranteDétection 3Dles applications, y comprisreconnaissance faciale(Identification du visage),reconnaissance des gestes, etRéalité augmentéeLeur conception compacte et leur efficacité énergétique les rendent idéaux pour les appareils mobiles.
LIDAR (détection et mesure de la lumière):
- Les VCSEL sont utilisés dansSystèmes LIDARpourvéhicules autonomes,les drones, etla robotiqueLa longueur d'onde de 940 nm est particulièrement utile dans le LIDAR en raison de sa capacité à bien fonctionner dans des conditions extérieures.
Souris laser et imprimantes:
- Les épi-plaquettes VCSEL sont également utilisées danssouris laserpour un suivi précis du mouvement et enmachines à imprimer au laserpour l'impression à haute vitesse et haute résolution.
Capteurs médicaux et industriels:
- Dans le domaine du diagnostic médical et de l'automatisation industrielle, les VCSEL sont utilisés pour:détection de proximité,numérisation biométrique, etsystèmes de positionnementen raison de leur exactitude et de leur fiabilité.
Ces applications mettent en évidence la polyvalence et l'importance des VCSEL de substrat N-GaAs dans la technologie moderne.
Propriétés de l'épi-wafer VCSEL du substrat N-GaAs
LeEpiwafer VCSEL à substrat N-GaAspossède plusieurs propriétés importantes qui le rendent idéal pour des applications optoélectroniques avancées, en particulier dans les technologies de communication et de détection à grande vitesse.
Haute conductivité électrique:
- LeSubstrate de GaAs de type noffre une excellente conductivité électrique, permettant une injection efficace du support dans les régions actives du VCSEL.
Faible densité de défauts:
- Le substrat de GaAs a généralement unfaible densité de dislocation, ce qui est crucial pour les appareils hautes performances, assurant l'uniformité et la fiabilité des réseaux VCSEL.
Conductivité thermique élevée:
- Le GAA fournitbonne conductivité thermique, permettant une dissipation de chaleur efficace lors d'un fonctionnement à haute puissance, ce qui le rend approprié pour des applications continues et à grande vitesse.
Tonabilité par longueur d'onde:
- Les épi-plaquettes VCSEL cultivées sur des substrats N-GaAs peuvent être adaptées pour émettre de la lumière à des longueurs d'onde spécifiques, généralement850 nmet940 nm, qui sont optimales pour la communication en fibre optique et la détection 3D.
Émission verticale:
- Lestructure à cavité verticaleLa largeur d'écran des VCSEL permet une émission lumineuse perpendiculaire à la surface de la plaque, ce qui permet une intégration efficace dans les réseaux et rend la plaque idéale pour les appareils optiques compacts à haute densité.
Évolutivité:
- Le substrat N-GaAs supporteproduction à faible coût et en grande quantité, ce qui en fait un choix attrayant pour les industries de l'électronique grand public, de l'automobile et des télécommunications.
Stabilité à la température:
- Les VCSEL sur les substrats de GaAs montrentperformances stables à différentes températures, assurant un fonctionnement fiable dans des environnements exigeants, tels que les centres de données et les véhicules autonomes.
Ces propriétés rendent l'épi-wafer VCSEL N-GaAs idéal pour les applications nécessitant des performances optoélectroniques à grande vitesse, efficaces et fiables.
Epiwafer VCSEL à substrat N-GaAs dans le ZMSH
LeEpiwafer VCSEL à N-GaAs (arsenide de gallium de type n) sous-strateest un composant essentiel pour la fabrication de VCSEL, largement utilisé danscommunication optique,Détection 3D, etLIDARConstruit sur N-GaAs, la plaque fournit une excellenteconductivité électriqueet une base solide pour la croissance des couches épitaxales, permettant une émission de lumière verticale à haute efficacité à des longueurs d'onde telles que850 nmet940 nm.
ZMSHfournit ces plaquettes de haute qualité et assure la fiabilité du produit grâce à des méthodes de test avancées telles quePlan de mise en page,Cartographie de la région, etMode cavitéCes essais permettent de maintenir une faible densité de défaut et d'assurer l'uniformité des plaquettes, essentielle pour les applications de haute performance.longueurs d'ondeet configurations, telles queVCSEL à jonction unique de 940 nm, répondant à divers besoins industriels.
Grâce au contrôle de qualité détaillé et à l'évolutivité de ZMSH, ces plaquettes sont idéales pour des applications danscentres de données,électronique grand public(par exemple, reconnaissance faciale), etsystèmes automobiles, en prévoyantcoût efficaceetfiabledes solutions.
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