Détails de produit
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: ZMSH
Numéro de modèle: Plaquettes à base de GaN sur Si
Conditions de paiement et d'expédition
Délai de livraison: 2 à 4 semaines
Conditions de paiement: T/T
Matériel: |
Couche de GaN sur le substrat sI |
Taille: |
4 pouces, 6 pouces 8 pouces |
orientation: |
Le nombre d'étoiles |
Épaisseur: |
500um/ 650um |
Dureté: |
90,0 Mohs |
Personnalisation: |
Le soutien |
Matériel: |
Couche de GaN sur le substrat sI |
Taille: |
4 pouces, 6 pouces 8 pouces |
orientation: |
Le nombre d'étoiles |
Épaisseur: |
500um/ 650um |
Dureté: |
90,0 Mohs |
Personnalisation: |
Le soutien |
GaN sur une plaque composée de Si, une plaque de Si, une plaque de silicium, une plaque de silicium, GaN sur un substrat de Si, un substrat de carbure de silicium, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, une couche de nitrure de gallium (GaN) sur un substrat de silicium (Si)
Caractéristiques du GaN sur la plaque de Si
En savoir plus sur le GaN sur la galette de Si
Le GaN-sur-Si est un matériau semi-conducteur qui combine les avantages du nitrure de gallium (GaN) et du silicium (Si).
Le GaN présente les caractéristiques d'un large espace de bande, d'une grande mobilité électronique et d'une résistance à haute température, ce qui lui confère un avantage significatif dans les applications à haute fréquence et à haute puissance.
Cependant, les dispositifs GaN traditionnels sont généralement basés sur des matériaux de substrat coûteux tels que le saphir ou le carbure de silicium.
En revanche, le GaN-on-Si utilise des plaquettes de silicium plus grandes et moins coûteuses comme substrat, ce qui réduit considérablement les coûts de production et améliore la compatibilité avec les procédés existants à base de silicium.
Ce matériau est largement utilisé dans l'électronique de puissance, les appareils RF et l'optoélectronique.
Par exemple, les appareils GaN-on-Si ont montré d'excellentes performances dans la gestion de l'énergie, les communications sans fil et l'éclairage à l'état solide.
En outre, avec l'avancement de la technologie de fabrication, le GaN-sur-Si devrait remplacer les dispositifs traditionnels à base de silicium dans un plus large éventail d'applications,promotion de la miniaturisation et de l'efficacité des dispositifs électroniques.
Pour plus de détailsGaN sur Siune galette
| Catégorie de paramètres | paramètre | Valeur/intervalle | Nom de l'entreprise |
| Propriétés du matériau | Largeur de la bande GaN | 3.4 eV | Semi-conducteurs à large bande passante, adaptés aux applications à haute température, haute tension et haute fréquence |
| Largeur de l'écart de bande du silicium (Si) | 1.12 eV | Le silicium comme matériau de substrat offre une meilleure rentabilité | |
| Conductivité thermique | 130 à 170 W/m·K | La conductivité thermique de la couche GaN et du substrat de silicium est d'environ 149 W/m·K | |
| Mobilité des électrons | 1000 à 2000 cm2/V·s | La mobilité électronique de la couche GaN est supérieure à celle du silicium | |
| Constante diélectrique | 9.5 (GaN), 11.9 (Si) | Constantes diélectriques de GaN et de silicium | |
| Coefficient de dilatation thermique | 50,6 ppm/°C (GaN), 2,6 ppm/°C (Si) | Les coefficients de dilatation thermique du GaN et du silicium ne correspondent pas, ce qui peut entraîner des contraintes. | |
| Constante de la grille | 3.189 Å (GaN), 5.431 Å (Si) | Les constantes du réseau de GaN et de Si ne sont pas assorties, ce qui peut entraîner des dislocations. | |
| Densité de dislocation | 108 à 109 cm2 | Densité de dislocation typique d'une couche de GaN, selon le processus de croissance épitaxielle | |
| Dureté mécanique | 9 à Mohs | La dureté mécanique du nitrure de gallium lui confère résistance à l'usure et durabilité | |
| Spécifications des plaquettes | Diamètre de la gaufre | 2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces | Tailles communes des plaquettes GaN-on-Si |
| Épaisseur de la couche GaN | 1 à 10 μm | Selon les exigences spécifiques de l'application | |
| Épaisseur du substrat | 500 à 725 μm | Épaisseur typique du substrat en silicium, résistance mécanique de support | |
| Roughness de la surface | RMS inférieure à 1 nm | La rugosité de la surface après polissage assure une croissance épitaxielle de haute qualité | |
| Hauteur des marches | < 2 nm | La hauteur d'étape de la couche GaN affecte les performances du dispositif | |
| La page de coupe | < 50 μm | La déformation de la gaufre affecte la compatibilité du processus de fabrication | |
| Propriétés électriques | Concentration d'électrons | 1016 à 1019 cm−3 | concentration de dopage de type n ou de type p de la couche GaN |
| Résistance | 10−3-10−2 Ω·cm | Résistivité typique des couches GaN | |
| Décomposition du champ électrique | 3 MV/cm | La haute résistance du champ électrique de rupture de la couche GaN convient aux appareils haute tension | |
| Performance optique | Longueur d'onde d'émission | 365 à 405 nm (UV/lumière bleue) | La longueur d'onde d'émission des matériaux GaN, utilisés dans les appareils optoélectroniques tels que les LED et les lasers |
| Coefficient d'absorption | ~ 104 cm−1 | Coefficient d'absorption du GaN dans la gamme de la lumière visible | |
| Propriétés thermiques | Conductivité thermique | 130 à 170 W/m·K | La conductivité thermique de la couche GaN et du substrat de silicium est d'environ 149 W/m·K |
| Coefficient de dilatation thermique | 50,6 ppm/°C (GaN), 2,6 ppm/°C (Si) | Les coefficients de dilatation thermique du GaN et du silicium ne correspondent pas, ce qui peut entraîner des contraintes. | |
| Propriétés chimiques | Stabilité chimique | haut | Le nitrure de gallium a une bonne résistance à la corrosion et convient aux environnements difficiles |
| Traitement de surface | Sans poussière et sans pollution | Exigences en matière de propreté pour la surface des plaquettes GaN | |
| Propriétés mécaniques | Dureté mécanique | 9 à Mohs | La dureté mécanique du nitrure de gallium lui confère résistance à l'usure et durabilité |
| Module de Young | Pour les appareils de traitement des eaux usées, les caractéristiques suivantes sont applicables: | Module de Young de GaN et de silicium, affectant les propriétés mécaniques du dispositif | |
| Paramètres de production | Méthode de croissance épitaxienne | Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la période de travail. | Méthodes communes pour la croissance épitaxielle des couches de GaN |
| Résultats | Dépend du contrôle du processus et de la taille de la gaufre | Le taux de rendement est affecté par des facteurs tels que la densité de dislocation et la déformation | |
| Température de croissance | 1000 à 1200°C | Températures typiques pour la croissance épitaxielle des couches de GaN | |
| Taux de refroidissement | Refroidissement contrôlé | Pour prévenir les contraintes thermiques et la déformation, la vitesse de refroidissement est généralement contrôlée |
Échantillons deGaN sur Siune galette
*En attendant, si vous avez d'autres exigences, n'hésitez pas à nous contacter pour en personnaliser une.
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Questions fréquentes
1. Q: Quel est le coût du GaN sur les plaquettes Si par rapport aux autres plaquettes?
R: Par rapport à d'autres matériaux de substrat tels que le carbure de silicium (SiC) ou le saphir (Al2O3), les plaquettes GaN à base de silicium présentent des avantages évidents en termes de coût, en particulier dans la fabrication de plaquettes de grande taille.
2Q: Quelles sont les perspectives futures du GaN sur les plaquettes de Si?
R: Les plaquettes GaN sur Si remplacent progressivement la technologie traditionnelle à base de silicium en raison de leurs performances électroniques supérieures et de leur rentabilité.et jouent un rôle de plus en plus important.
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