logo
Aperçu Produits

Sic substrat

Je suis en ligne une discussion en ligne

Sic substrat

(137)
La Chine Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces usine

Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type Zéro MPD Production de qualité factice Dia 4 pouces 6 pouces

Wafer au carbure de silicium 6H P-type et 4H P-type zéro MPD production de qualité Dia 4 pouces 6 pouces Wafer au carbure de silicium 6H P-Type & résumé de 4H P-Type Cette étude explore les propriétés et les ... Lire la suite
2024-09-24 17:30:38
La Chine Wafer de carbure de silicium 4H P-type zéro MPD de qualité de production de qualité 4 pouces 6 pouces usine

Wafer de carbure de silicium 4H P-type zéro MPD de qualité de production de qualité 4 pouces 6 pouces

Wafer de carbure de silicium 4H P-type zéro MPD qualité de production qualité de mannequin 4 pouces 6 pouces Le détail de la gaufre en carbure de silicium 4H P-Type Cette étude présente les caractéristiques et ... Lire la suite
2024-09-24 17:30:38
La Chine Pour la fabrication de plaquettes de carbure de silicium 6H de type P, qualité de production standard:145Épaisseur 350 μm ± 25 μm usine

Pour la fabrication de plaquettes de carbure de silicium 6H de type P, qualité de production standard:145Épaisseur 350 μm ± 25 μm

Pour la fabrication de plaquettes de carbure de silicium 6H de type P, qualité de production standard:145.5 mm à 150,0 mm d'épaisseur 350 μm ± 25 μm Les plaquettes en carbure de silicium de type 6H P Le présent ... Lire la suite
2024-09-24 17:30:38
La Chine Wafer SIC au carbure de silicium 10*10 mm 6H-P Épaisseur 350 μm Pour appareils à haute puissance usine

Wafer SIC au carbure de silicium 10*10 mm 6H-P Épaisseur 350 μm Pour appareils à haute puissance

Description du produit: Wafer SIC au carbure de silicium 10*10 mm 6H-P Épaisseur 350 μm Pour appareils à haute puissance Le 6H-SiC (carbure de silicium hexagonal) est un matériau semi-conducteur à large bande ... Lire la suite
2024-09-24 17:30:38
La Chine Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice usine

Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice

Description du produit: Sic Substrate de carbure de silicium 5.0*5.0mm Carré 6H-P Type Épaisseur 350μm Grade nul Grade factice Le 6H-SiC (carbure de silicium hexagonal) est un matériau semi-conducteur à large ... Lire la suite
2024-09-24 17:30:38
La Chine 2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type dopé à haute teneur en P diamètre 50,8 mm usine

2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type dopé à haute teneur en P diamètre 50,8 mm

Description du produit: 2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type dopé à haute teneur en P diamètre 50,8 mm Le 6H-SiC (carbure de silicium hexagonal) est un matériau semi-conducteur à ... Lire la suite
2024-09-24 17:30:38
La Chine 6H-P Carbure de silicium SiC Substrate 6 pouces SIC Wafer 4H-P Pour les appareils optoélectroniques usine

6H-P Carbure de silicium SiC Substrate 6 pouces SIC Wafer 4H-P Pour les appareils optoélectroniques

Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement, comprenant les éléments suivants:8 pouces de SiC, 12 pouces SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, type HPSI À propos du substrat SiC de type P - supporter ... Lire la suite
2024-09-24 17:30:38
La Chine 4H-P Carbure de silicium SiC Substrate 4 pouces SIC Wafer 6H-P Pour le dépôt de nitrure III-V usine

4H-P Carbure de silicium SiC Substrate 4 pouces SIC Wafer 6H-P Pour le dépôt de nitrure III-V

Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement, comprenant les éléments suivants:8 pouces de SiC, 12 pouces SiC, 4H-N, 4H-SEMI, 6H-N, type HPSI À propos du substrat SiC de type P - supporter ... Lire la suite
2024-09-24 17:30:38
La Chine Le simulacre de substrat de nitrure de silicium de 4 pouces 4H-N sic évaluent sic le substrat pour des dispositifs de puissance élevée usine

Le simulacre de substrat de nitrure de silicium de 4 pouces 4H-N sic évaluent sic le substrat pour des dispositifs de puissance élevée

4H-N 4H-SEMI 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces SiC Substrate de qualité de production de qualité factice pour les appareils à haute puissance H Substrats de carbure de silicium de haute pureté, substrats de ... Lire la suite
2024-09-13 15:24:32
La Chine Substrat en céramique de catalyseur des gaufrettes DSP de 4H-N 5x5mm sic usine

Substrat en céramique de catalyseur des gaufrettes DSP de 4H-N 5x5mm sic

Waffles à haute pureté HPSI 4H-SEMI 4H-N 10X10 mm 5x5 mm sic DSP Application du carbure de silicium dans l'industrie des appareils électriques Unité de performance Silicium Si Carbure de silicium SiC Nitrure de ... Lire la suite
2024-09-13 15:22:41
Page 7 of 14|< 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 >|