PRODUITS

Maison > PRODUITS > Sic substrat > Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm

Catégories

Gaufrette de nitrure de gallium

(40)

Gaufrette de phosphure d'indium

(35)

Emballage de laboratoire

(21)

Contacts

Contacts: Mr. Wang

Téléphone :: 86-1580-1942596

Contactez-nous maintenant

Envoyez-nous un courriel.

Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm

Name: Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6H-P SiC
Price: Négociable USD
Availability: InStock

Détails de produit

Lieu d'origine: Chine

Nom de marque: ZMSH

Certification: rohs

Numéro de modèle: 6H-P SiC

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 10 pour cent

Prix: by case

Détails d'emballage: boîte en plastique sur mesure

Délai de livraison: dans 30days

Conditions de paiement: T/T

Capacité d'approvisionnement: 1000pc/month

Obtenez le meilleur prix

Détails de produit

Description de produit

Mettre en évidence: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                Plaquettes de carbure de silicium de 350 μm Sic, Wafer au carbure de silicium 6H-P Sic, Wafer en carbure de silicium de 4 pouces
                              

Dureté de surface:	HT0,3>2500	Densité:	3.21 G/cm3
Coefficient de dilatation thermique:	4,5 X 10-6/K	Constante diélectrique:	9,7
Résistance à la traction:	>400MPa	Matériel:	Monocristal SiC
Taille:	4inch	Voltage de rupture:	5,5 MV/cm

Dureté de surface:	HT0,3>2500
Densité:	3.21 G/cm3
Coefficient de dilatation thermique:	4,5 X 10-6/K
Constante diélectrique:	9,7
Résistance à la traction:	>400MPa
Matériel:	Monocristal SiC
Taille:	4inch
Voltage de rupture:	5,5 MV/cm

Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm

Description du produit:

Wafer en carbure de silicium 6H-P épaisseur 350 μm

Le 6H-SiC (carbure de silicium hexagonal) est un matériau semi-conducteur à large bande avec une bonne conductivité thermique et une résistance à haute température,qui est largement utilisé dans les appareils électroniques à haute puissance et haute fréquenceLe dopage de type P est réalisé par l'introduction d'éléments tels que l'aluminium (Al), ce qui rend le matériau électropositif et adapté à des conceptions spécifiques de dispositifs électroniques.qui est adapté au fonctionnement dans des environnements à haute température et haute tensionLa conductivité thermique est supérieure à celle de nombreux matériaux semi-conducteurs traditionnels et contribue à améliorer l'efficacité du dispositif..

Dans le domaine de l'électronique de puissance, il peut être utilisé pour fabriquer des appareils d'alimentation à haut rendement, tels que les MOSFET et les IGBT.il a d'excellentes performances dans les applications à haute fréquence et est largement utilisé dans les équipements de communicationDans le domaine de la technologie LED, il peut être utilisé comme matériau de base pour les appareils LED bleus et ultraviolets.

Caractéristiques:

·L'écart de bande large: l'écart de bande est d'environ 3,0 eV, ce qui le rend approprié pour les applications à haute température, haute tension et haute fréquence.

·Excellente conductivité thermique: avec une bonne conductivité thermique, aide à la dissipation de chaleur, améliore les performances et la fiabilité de l'appareil.

·Haute résistance et dureté: haute résistance mécanique, anti-fragmentation et anti-usure, adaptée à une utilisation dans des environnements difficiles.

·Mobilité des électrons: le dopage de type P maintient encore une mobilité relativement élevée des porteurs, ce qui favorise des dispositifs électroniques efficaces.

·Propriétés optiques: avec des propriétés optiques uniques, adaptées au domaine de l'optoélectronique, telles que les LED et les lasers.

·Stabilité chimique: bonne résistance à la corrosion chimique, adaptée aux environnements de travail difficiles.

·Forte adaptabilité: peut être combinée avec une variété de matériaux de substrat, adaptée à une variété de scénarios d'application.

Paramètres techniques:

Applications:

·L'électronique de puissance: Utilisée pour fabriquer des appareils électriques à haut rendement, tels que les MOSFET et les IGBT, qui sont largement utilisés dans les convertisseurs de fréquence, la gestion de l'énergie et les véhicules électriques.
·Équipement RF et micro-ondes: utilisé dans les amplificateurs à haute fréquence, les amplificateurs de puissance RF, adaptés aux systèmes de communication et de radar.

·Optoélectronique: Utilisé comme substrat dans les LED et les lasers, en particulier dans les applications bleues et ultraviolettes.

·Capteurs à haute température: en raison de leur bonne stabilité thermique, ils conviennent aux capteurs à haute température et aux équipements de surveillance.

·Énergie solaire et systèmes énergétiques: utilisés dans les onduleurs solaires et autres applications d'énergie renouvelable pour améliorer l'efficacité de la conversion d'énergie.

·Electronique automobile: optimisation des performances et économie d'énergie dans le système d'alimentation des véhicules électriques et hybrides.

·Équipement électrique industriel: modules de puissance pour une large gamme d'équipements et de machines d'automatisation industrielle pour améliorer l'efficacité énergétique et la fiabilité.

Personnalisation:

Notre substrat SiC est disponible dans le type 6H-P et est certifié RoHS. La quantité minimale de commande est de 10pc et le prix est par cas. Les détails d'emballage sont des boîtes en plastique personnalisées.Le délai de livraison est de 30 jours et nous acceptons les conditions de paiement T/TNotre capacité d'approvisionnement est de 1000 pièces/mois. La taille du substrat SiC est de diamètre 100 mm d'épaisseur 350 μm. Le lieu d'origine est la Chine.

Nos services:

1- Fabrication directe et vente.

2Des citations rapides et précises.

3Nous vous répondrons dans les 24 heures ouvrables.

4. ODM: la conception sur mesure est disponible.

5Rapide et précieux.

FAQ:

Quelle est la façonde l' expédition et du coût et de la rémunération?
A: ((1) Nous acceptons 50% T/T à l'avance et 50% avant la livraison par DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si vous avez votre propre compte express, c'est génial. Sinon, nous pourrions vous aider à les expédier.
Le fret est in conformément au règlement effectif.

Q: Quel est votre MOQ?
R: (1) Pour l'inventaire, le MOQ est de 3 pièces.
(2) Pour les produits personnalisés, le MOQ est de 10 pièces.

Q: Puis-je personnaliser les produits en fonction de mes besoins?
R: Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications et la forme, la taille selon vos besoins.

Q: Quel est le délai de livraison?
A: (1) Pour les produits standard
Pour l'inventaire: la livraison est de 5 jours ouvrables après la commande.
Pour les produits sur mesure: la livraison est de 2 ou 3 semaines après la commande.
(2) Pour les produits de forme spéciale, la livraison est de 4 semaines ouvrables après la commande.

Tags:

12 pouces de diamètre 300 mm SIC Substrate épitaxial Wafer poli Silicium Carbide Ingot Prime Grade 4H-N Type conducteur solaire photovoltaïque

Obtenez le meilleur prix

2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, plaquettes de carbure de silicium, SiC 4H-N, de qualité factice, Rrime, de haute dureté, matériaux semi-conducteurs.

Obtenez le meilleur prix

2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

Obtenez le meilleur prix

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de phosphure d'indium

Pièces de saphir

verre de couverture de saphir

Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de GaAs

Saphir synthétique Rod

Gaufrette de silicium d'IC

Plat de quartz fondu

substrat en céramique

Emballage de laboratoire

Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm

Plaquettes de carbure de silicium de 350 μm Sic

Wafer au carbure de silicium 6H-P Sic