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2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type dopé à haute teneur en P diamètre 50,8 mm

Name: 2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type dopé à haute teneur en P diamètre 50,8 mm
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 6H-P SiC
Price: Négociable USD
Availability: InStock

Détails de produit

Lieu d'origine: Chine

Nom de marque: ZMSH

Certification: rohs

Model Number: 6H-P SiC

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 10 pour cent

Prix: by case

Packaging Details: customzied plastic box

Délai de livraison: dans 30days

Payment Terms: T/T

Supply Ability: 1000pc/month

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Détails de produit

Description de produit

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                                                                                                                                                                                                                                                                                                                6H SiC carbure de silicium, faible résistance SiC carbure de silicium
                              

Dureté de surface:	HT0,3>2500	Densité:	3.21 G/cm3
Coefficient de dilatation thermique:	4,5 X 10-6/K	Constante diélectrique:	9,7
Résistance à la traction:	>400MPa	Matériel:	Monocristal SiC
Taille:	2 pouces	Voltage de rupture:	5,5 MV/cm

Dureté de surface:	HT0,3>2500
Densité:	3.21 G/cm3
Coefficient de dilatation thermique:	4,5 X 10-6/K
Constante diélectrique:	9,7
Résistance à la traction:	>400MPa
Matériel:	Monocristal SiC
Taille:	2 pouces
Voltage de rupture:	5,5 MV/cm

2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type dopé à haute teneur en P diamètre 50,8 mm

Description du produit:

2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type dopé à haute teneur en P diamètre 50,8 mm

Le 6H-SiC (carbure de silicium hexagonal) est un matériau semi-conducteur à large bande avec une bonne conductivité thermique et une résistance à haute température,qui est largement utilisé dans les appareils électroniques à haute puissance et haute fréquenceLe dopage de type P est réalisé par l'introduction d'éléments tels que l'aluminium (Al), ce qui rend le matériau électropositif et adapté à des conceptions spécifiques de dispositifs électroniques.qui est adapté au fonctionnement dans des environnements à haute température et haute tensionLa conductivité thermique est supérieure à celle de nombreux matériaux semi-conducteurs traditionnels et contribue à améliorer l'efficacité du dispositif..

Dans le domaine de l'électronique de puissance, il peut être utilisé pour fabriquer des appareils d'alimentation à haut rendement, tels que les MOSFET et les IGBT.il a d'excellentes performances dans les applications à haute fréquence et est largement utilisé dans les équipements de communicationDans le domaine de la technologie LED, il peut être utilisé comme matériau de base pour les appareils LED bleus et ultraviolets.

Caractéristiques:

·L'écart de bande large: l'écart de bande est d'environ 3,0 eV, ce qui le rend approprié pour les applications à haute température, haute tension et haute fréquence.

·Excellente conductivité thermique: avec une bonne conductivité thermique, aide à la dissipation de chaleur, améliore les performances et la fiabilité de l'appareil.

·Haute résistance et dureté: haute résistance mécanique, anti-fragmentation et anti-usure, adaptée à une utilisation dans des environnements difficiles.

·Mobilité des électrons: le dopage de type P maintient encore une mobilité relativement élevée des porteurs, ce qui favorise des dispositifs électroniques efficaces.

·Propriétés optiques: avec des propriétés optiques uniques, adaptées au domaine de l'optoélectronique, telles que les LED et les lasers.

·Stabilité chimique: bonne résistance à la corrosion chimique, adaptée aux environnements de travail difficiles.

·Forte adaptabilité: peut être combinée avec une variété de matériaux de substrat, adaptée à une variété de scénarios d'application.

Paramètres techniques:

Applications:

·L'électronique de puissance: Utilisée pour fabriquer des appareils électriques à haut rendement, tels que les MOSFET et les IGBT, qui sont largement utilisés dans les convertisseurs de fréquence, la gestion de l'énergie et les véhicules électriques.
·Équipement RF et micro-ondes: utilisé dans les amplificateurs à haute fréquence, les amplificateurs de puissance RF, adaptés aux systèmes de communication et de radar.

·Optoélectronique: Utilisé comme substrat dans les LED et les lasers, en particulier dans les applications bleues et ultraviolettes.

·Capteurs à haute température: en raison de leur bonne stabilité thermique, ils conviennent aux capteurs à haute température et aux équipements de surveillance.

·Énergie solaire et systèmes énergétiques: utilisés dans les onduleurs solaires et autres applications d'énergie renouvelable pour améliorer l'efficacité de la conversion d'énergie.

·Electronique automobile: optimisation des performances et économie d'énergie dans le système d'alimentation des véhicules électriques et hybrides.

·Équipement électrique industriel: modules de puissance pour une large gamme d'équipements et de machines d'automatisation industrielle pour améliorer l'efficacité énergétique et la fiabilité.

Personnalisation:

Notre substrat SiC est disponible dans le type 6H-P et est certifié RoHS. La quantité minimale de commande est de 10pc et le prix est par cas. Les détails d'emballage sont des boîtes en plastique personnalisées.Le délai de livraison est de 30 jours et nous acceptons les conditions de paiement T/TNotre capacité d'approvisionnement est de 1000 pièces/mois. La taille du substrat SiC est de diamètre 50,8 mm d'épaisseur 350 μm. Le lieu d'origine est la Chine.

Nos services:

1- Fabrication directe et vente.

2Des citations rapides et précises.

3Nous vous répondrons dans les 24 heures ouvrables.

4. ODM: la conception sur mesure est disponible.

5Rapide et précieux.

FAQ:

Q: Y a-t-il un produit en stock ou standard?

R: Oui, la taille de départ est de 2 pouces 0.35mm taille standard toujours en stock.

Q: Si je passe une commande maintenant, combien de temps avant que je reçoive la livraison?

A: taille standard en stock dans 1 semaine peut être exprimée après paiement.

et notre délai de paiement est de 50% de dépôt et de départ avant la livraison.

Tags:

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2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

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2 pouces de silicium carbure de silicium 6H faible résistance type dopé à haute teneur en P diamètre 50,8 mm

6H SiC carbure de silicium

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Paramètres techniques:

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