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Sic substrat

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Sic substrat

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La Chine 2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production usine

2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Carbure de silicium Substrate 4H-P Type hors axe 2,0° vers la qualité de production

Description du produit: 2 pouces / 4 pouces / 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H-P Type hors axe: 2,0° vers le niveau de production Le substrat de carbure de silicium de type 4H-P fait référence ... Lire la suite
2025-02-21 16:43:49
La Chine 2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice usine

2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

Description du produit: 2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,0*5,0 mm/10,0*10,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice Le substrat de carbure de ... Lire la suite
2025-02-21 16:42:38
La Chine 2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut usine

2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 6H Type dopé haute P hors axe 4,0° vers le haut

Description du produit: 2 pouces 4 pouces 6 pouces Sic carbure de silicium substrat 6H haut P-dopé type hors axe: 4,0° vers le premier grade grade factice Le carbure de silicium (SiC) est un matériau composé de ... Lire la suite
2025-02-21 16:42:38
La Chine Wafer au carbure de silicium Sic 6H-P Type hors axe 2,0° vers la production Grade de recherche usine

Wafer au carbure de silicium Sic 6H-P Type hors axe 2,0° vers la production Grade de recherche

Description du produit: Wafer en carbure de silicium Sic 6H-P type hors axe: 2,0° vers le niveau de production Le type 6H-P Sic est fabriqué à partir d'un procédé de préparation avancé de matériaux semi... Lire la suite
2025-02-21 16:42:38
La Chine Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser usine

Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser

Description du produit: Sic Substrate de carbure de silicium de type 6H-P sur axe 0° Dureté de Mohs 9,2 pour appareil laser Le substrat de carbure de silicium de type 6H-P est un matériau semi-conducteur cultiv... Lire la suite
2025-02-21 16:42:38
La Chine Wafer de carbure de silicium Sic Substrate 4H-P Type hors axe 4,0° vers zéro Grade pour capteur de température usine

Wafer de carbure de silicium Sic Substrate 4H-P Type hors axe 4,0° vers zéro Grade pour capteur de température

Description du produit: Wafer carbure de silicium Sic Substrate 4H-P Type hors axe: 4,0° vers zéro Grade Pour le capteur de température Le substrat de carbure de silicium 4H-P (SiC) est un matériau semi... Lire la suite
2025-02-21 16:42:38
La Chine 12 pouces Sic Wafer Carbure de silicium 4H-N Type Grade de production Fausse qualité Grande taille usine

12 pouces Sic Wafer Carbure de silicium 4H-N Type Grade de production Fausse qualité Grande taille

Description de la galette Sic de 12 pouces Wafer Sic de 12 pouces carbure de silicium de type 4H-N de qualité de production de qualité de mannequin de grande taille Un substrat de carbure de silicium (SiC) de ... Lire la suite
2025-02-21 16:42:37
La Chine Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G usine

Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G

Description du produit: Substrate de carbure de silicium monocristallin de 12 pouces Sic Grandes tailles Haute pureté Diamètre de 300 mm Qualité du produit Pour la communication 5G Le substrat de carbure de ... Lire la suite
2025-02-21 14:58:31
La Chine 2/4/6/8 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H 6H 3C Type de support personnalisé Industrie des semi-conducteurs Tailles multiples usine

2/4/6/8 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H 6H 3C Type de support personnalisé Industrie des semi-conducteurs Tailles multiples

2/4/6/8 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H 6H 3C Type de support personnalisé Industrie des semi-conducteurs Tailles multiples Description du produit Le substrat de carbure de silicium est un compos... Lire la suite
2025-02-07 15:10:23
La Chine 6 pouces 8 pouces porteuse de gaufre Semi Standard FOSB POD FOUP RSP 25 pièces 1 pièce cas d&#039;application pratique usine

6 pouces 8 pouces porteuse de gaufre Semi Standard FOSB POD FOUP RSP 25 pièces 1 pièce cas d'application pratique

6 pouces 8 pouces porteuse de gaufre Semi Standard FOSB POD FOUP RSP 25 pièces 1 pièce cas d'application pratique Introduction du produit La boîte d'expédition de gaufre protège, transcharge et stocke des ... Lire la suite
2025-02-07 15:10:22
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