Plaquette épitaxiale SiC de type 4H-N de 2 pouces de diamètre (50,8 mm) pour capteurs haute température

Plaquette épitaxiale SiC de type 4H-N de 50,8 mm de diamètre 2 pouces pour capteurs haute température

ZMSH est un fournisseur mondialement reconnu de solutions de matériaux semi-conducteurs en carbure de silicium, avec plus de 10 ans d'expérience en R&D et en production de substrats et de plaquettes épitaxiales SiC. Nous avons mis en place une chaîne d'approvisionnement verticale entièrement intégrée, de la croissance cristalline au traitement des plaquettes et au dépôt épitaxial, réalisant une autonomie complète des processus. Notre portefeuille de produits couvre des spécifications de taille complète de 2 pouces à 12 pouces, y compris divers polytypes tels que le type 4H/6H-N, le type 4H/6H-P et le type 3C-N SiC, ainsi que des plaquettes HPSI (High Purity Semi-Insulating) et SEMI-standard pour divers scénarios d'application. Tirant parti de technologies de croissance cristalline avancées et de systèmes de contrôle qualité rigoureux, nous fournissons des solutions de matériaux SiC de haute qualité à plus de 200 clients mondiaux, avec des produits largement appliqués dans les industries stratégiques émergentes, notamment les nouvelles énergies, les communications 5G et le transport ferroviaire.

Paramètres clés de la plaquette épitaxiale SiC 4H de 2 pouces

(Remarque : Tous les paramètres peuvent être personnalisés en fonction des exigences du client, avec des rapports de test complets et des certificats de qualité fournis.)

Principales caractéristiques de la plaquette épitaxiale SiC 4H de 2 pouces2. Q : À quelles applications les plaquettes épitaxiales SiC de 2 pouces sont-elles les plus adaptées ?

1. Propriétés électriques exceptionnelles

· Le 4H-SiC présente une large bande interdite de 3,2 eV et une résistance au champ de claquage supérieure à 2 MV/cm, dix fois celle des matériaux en silicium. Ces caractéristiques le rendent particulièrement adapté à la fabrication de dispositifs électroniques haute tension et haute puissance, réduisant considérablement les pertes de conduction et améliorant l'efficacité du système.

· La vitesse de dérive de saturation des électrons atteint 2×10^7 cm/s, ce qui lui confère des avantages distincts dans les applications haute fréquence.

2. Excellentes capacités de gestion thermique

· Conductivité thermique aussi élevée que 4,9 W/cm·K, trois fois celle des matériaux en silicium, ce qui permet de résoudre efficacement les problèmes de dissipation thermique dans les dispositifs à haute densité de puissance.

· Faible coefficient de dilatation thermique de 4×10^-6/K, maintenant une excellente stabilité dimensionnelle dans les environnements de fonctionnement à haute température.

3. Qualité supérieure des matériaux

· La technologie épitaxiale avancée à contrôle de pas permet d'obtenir une densité de dislocation de la couche épitaxiale inférieure à 1×10^3 cm^-2, ce qui est le meilleur du secteur.

· Le polissage chimico-mécanique de précision garantit une rugosité de surface contrôlée à moins de 0,2 nm (Ra), répondant aux exigences de fabrication de dispositifs les plus strictes.

4. Cohérence exceptionnelle des processus

· Uniformité de l'épaisseur contrôlée à moins de ±2 % et écart de concentration de dopage inférieur à 5 %, garantissant une production de masse stable et fiable.

· Des systèmes de surveillance en ligne avancés permettent un contrôle des processus en temps réel et une régulation précise.

Principales applications de la plaquette épitaxiale SiC 4H de 2 pouces

1. Secteur des véhicules à énergie nouvelle2. Q : À quelles applications les plaquettes épitaxiales SiC de 2 pouces sont-elles les plus adaptées ?

· Appliqué dans les systèmes de charge embarqués pour prendre en charge les exigences de charge rapide à plus forte puissance.

2. Électronique de puissance industrielle

· Utilisé dans les réseaux intelligents, les convertisseurs de fréquence industriels, etc., améliorant considérablement l'efficacité de la conversion d'énergie.

· Particulièrement adapté aux environnements exigeants comme le transport ferroviaire et les systèmes d'alimentation marine.

3. Infrastructure de communication 5G· Matériau de substrat idéal pour les amplificateurs de puissance des stations de base 5G, prenant en charge une fréquence plus élevée et un traitement des signaux RF de plus grande puissance.

· Démontre des performances exceptionnelles dans les systèmes de communication par satellite.

4. Aérospatiale et défense

· Matériau essentiel pour les systèmes radar et les équipements de guerre électronique.

· Répond aux exigences de fiabilité et de stabilité dans des environnements extrêmes.

5. Production d'énergie renouvelable

· Choix optimal pour les onduleurs photovoltaïques afin d'améliorer l'efficacité de la production d'énergie.

· Matériau de composant clé pour les systèmes de production d'énergie éolienne.

Service de ZMSH pour les plaquettes épitaxiales SiC

En tant que fournisseur de solutions complètes dans le domaine des matériaux SiC, ZMSH propose des solutions complètes pour les substrats et les plaquettes épitaxiales SiC de 2 à 12 pouces, couvrant divers polytypes, notamment le type 4H/6H-N, le type 4H/6H-P, le type 3C-N et les plaquettes HPSI, avec des options de personnalisation pour l'orientation cristalline, la concentration de dopage et l'épaisseur de la couche épitaxiale.

Grâce à notre chaîne industrielle complète autosuffisante, nous sommes équipés d'équipements épitaxiaux CVD et de lignes de traitement de précision de pointe au niveau international, fournissant des services complets, de la croissance cristalline à la découpe des plaquettes, en passant par le polissage double face et la gravure laser, complétés par des tests et des certifications professionnels, notamment les mesures XRD, AFM et Hall.

Avec une capacité de production mensuelle dépassant 5 000 plaquettes, nous pouvons répondre rapidement aux besoins des clients, des échantillons de R&D aux commandes de production de masse.

Notre équipe de support technique dédiée offre des services à valeur ajoutée, notamment des conseils pour la sélection des produits, le développement d'applications et le support après-vente, s'engageant à fournir des solutions de matériaux en carbure de silicium de haute qualité et très cohérentes aux clients du monde entier. FAQ de Plaquette épitaxiale SiC 4H de 2 pouces