Les produits doivent être présentés sous forme d'une plaque de carbure de silicium, de carbure de silicium, d'un substrat de silicium, d'un substrat de carbure de silicium, de qualité P, de qualité D, de type HPSI.
Caractéristiques du SiC 4H-N
- utilisationSIC Monocristalpour la fabrication
- la personnalisation est permise par dessins de conception
- performances élevées, résistance élevée et courants de fuite faibles
- 9,2 à haute dureté de Mohs, juste derrière le diamant
- largement utilisés dans les domaines de haute technologie, tels que l'électronique de puissance, les LED et les capteurs
Une brève introduction au 4H-N SiC
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur composé de silicium et de carbone.
Il a une dureté et une résistance excellentes, ce qui le rend très durable.
Le SiC est connu pour son excellente conductivité thermique, ce qui lui permet de dissiper efficacement la chaleur, ce qui le rend idéal pour des applications à haute puissance et à haute température.
L'une de ses principales propriétés est une large bande passante, qui permet aux appareils de fonctionner à des tensions, températures et fréquences plus élevées que le silicium.
Le SiC possède également une grande mobilité électronique, ce qui permet d'activer des appareils électroniques plus rapides et plus efficaces.
Sa stabilité chimique et sa résistance à l'oxydation le rendent idéal pour les environnements difficiles.
Le SiC est largement utilisé dans l'électronique de puissance, où l'efficacité et la durabilité sont essentielles, ainsi que dans les appareils à haute fréquence, les LED,et comme substrat pour la croissance d'autres matériaux semi-conducteurs tels que le nitrure de gallium (GaN).
Ses propriétés en font un matériau précieux pour des applications électroniques avancées.
Plus de détails sur le 4H-N SiC
*Plus de détails sont indiqués dans le tableau suivant.
| Spécification du substrat de carbure de silicium de type N de diamètre 6 pouces 4H |
| Propriété du substrat |
Grade de production |
Grade de factice |
| Diamètre |
150 mm ± 0,1 mm |
| Orientation de la surface |
en dehors de l'axe: 4° vers < 11-20> ± 0,5° |
| L'orientation principale est plate |
Le point de départ est le point de départ de l'appareil. |
| Longueur plate primaire |
47.5 mm ± 2,0 mm |
| Résistance |
0.015 à 0.028Ω·cm |
≤ 0,1Ω·cm |
| Épaisseur |
350.0 μm ± 25,0 μm ou 500,0 μm ± 25,0 μm |
| TTV |
≤ 15 μm |
≤ 25 μm |
| - Je vous en prie. |
≤ 30 μm |
≤ 50 μm |
| La distorsion. |
≤ 40 μm |
≤ 60 μm |
| Finition de surface |
Polissage à double face, Si Face CMP (polissage chimique) |
| Roughness de la surface |
CMP Si face Ra≤0,5 nm, C face Ra≤1 nm |
N/A |
| Note: Les spécifications personnalisées autres que les paramètres ci-dessus sont acceptables. |
Autres échantillons de4H-N SiC
*Si vous avez d'autres exigences, nous pouvons fabriquer les personnalisés.
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Questions fréquentes
1Q: Où pouvez-vous utiliser du SiC 4H-N de 6 pouces?
R: Il existe de nombreux domaines d'application, tels que les MOSFET, les IGBT et les diodes, adaptés aux applications à haute puissance et à haute efficacité telles que les véhicules électriques, les convertisseurs de puissance et les réseaux intelligents.
2Q: Comment le 4H-N SiC contribue-t-il à l'énergie renouvelable?
R: L'électronique de puissance basée sur le SiC 4H-N améliore l'efficacité et la fiabilité des systèmes d'énergie renouvelable tels que les onduleurs solaires et les éoliennes, permettant une meilleure conversion et gestion de l'énergie
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