Détails de produit
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: ZMSH
Certification: rohs
Numéro de modèle: Plaque d'appui SiC/plaque de support
Conditions de paiement et d'expédition
Prix: by case
Délai de livraison: 2-4weeks
Conditions de paiement: T/T
Type de matériau: |
CVD-SiC |
Diamètre: |
100-500mm |
Épaisseur: |
10 à 50 mm |
Température maximale de fonctionnement: |
1650°C |
Densité: |
30,10 à 3,21 g/cm3 |
Dureté (Mohs): |
9,2 |
Type de matériau: |
CVD-SiC |
Diamètre: |
100-500mm |
Épaisseur: |
10 à 50 mm |
Température maximale de fonctionnement: |
1650°C |
Densité: |
30,10 à 3,21 g/cm3 |
Dureté (Mohs): |
9,2 |
Les plaques de support en carbure de silicium (SiC) sont des composants céramiques de haute performance largement utilisés dans les secteurs de fabrication avancés tels que les semi-conducteurs, les LED et les photovoltaïques.Réputés pour leur résistance thermique exceptionnelleLa ZMSH fournit des solutions personnalisées de plaques de support SiC, y compris la conception, la fabrication, les essais, la fabrication et la fabrication.,et le soutien après-vente, assurant une meilleure stabilité des processus et une plus grande efficacité de la production.
Paramètre | Spécification | Unité | Les notes |
Type de matériau | Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. | - | Optionnel |
Diamètre | 100 à 500 (personnalisable) | mm | La coutume |
Épaisseur | 10 à 50 | mm | Réglable |
Température maximale de fonctionnement | 1650 | °C | À long terme |
Conductivité thermique | 120 à 200 | Nombre d'étoiles | À 25°C |
Coefficient de dilatation thermique | 4.0 × 10−6 | /°C | NT1 résistance à la corrosion |
Densité | 3.10 à 3.21 | g/cm3 | La théorie |
Porosité | > 0,5% | - | Densité |
Roughness de surface (Ra) | < 0,2 (polie) | μm | Finition miroir |
Plateur | ≤ 005 | mm/100 mm | Grade de précision |
Dureté (Mohs) | 9.2 | - | Seconde après le diamant |
Résistance à la flexion | 350 à 450 | MPa | 3 points |
La pureté | > 99,9995% | - | de qualité de semi-conducteurs |
Je suis désolée.
1.Résistance aux températures élevées- fonctionnement stable au-dessus de 1600°C, adapté à des conditions de processus extrêmes.
2.Conductivité thermique supérieure- Surpasse les matériaux traditionnels (par exemple, le graphite, l'alumine) pour une dissipation rapide de la chaleur et une réduction du stress thermique.
3.Faible expansion thermique- Excellente stabilité dimensionnelle à haute température, minimisant la déformation.
4.Haute dureté et résistance à l'usureDureté de Mohs de 9.2, assurant une durabilité à long terme.
5.Inerté chimiqueRésistant aux acides, aux alcalis et aux environnements corrosifs (par exemple, gravure, CVD/PVD).
6.Haute puretéLa composition est exempte de métaux et répond aux normes strictes de l'industrie des semi-conducteurs.
Je suis désolée.1Compatibilité des procédés
· Fabrication de semi-conducteursCompatible avec la CVD, la MOCVD et la croissance épitaxiale, assurant un chauffage uniforme des plaquettes.
· Production de LEDIl soutient les substrats de saphir pour une croissance cohérente de la couche épitaxienne.
· Les photovoltaïquesUtilisé dans le frittage à haute température et le dépôt de films minces.
· Machinerie de précisionIl convient à la découpe au laser, à la gravure au plasma et à d'autres procédés de haute précision.
2. Types de matériaux
· SiC lié par réaction (RBSiC)Il est rentable et idéal pour une utilisation générale à haute température.
· Dépôt chimique de vapeur SiC (CVD-SiC)¢ Ultra haute pureté pour les procédés de semi-conducteurs avancés.
· SiC pressé à chaud (HPSiC)¢ Haute densité et résistance pour les applications lourdes.
3Applications de base
· Support de plaque/sous-stratIl assure une répartition thermique uniforme pendant le traitement.
· Remplacement du graphiteÉlimine les risques d'oxydation et de contamination par les particules.
· Équipement de gravureIl fournit un support stable de l' environnement plasmatique.
1. Conception personnalisée Optimisation des dimensions, de la géométrie et des traitements de surface (p. ex. polissage, revêtements).
2. Fabrication de précision
3- Tests rigoureux - Inspection par ultrasons, cycle thermique et protocoles d'assurance qualité.
4- Réponse rapide: consultation technique, prototypage et soutien à la production par lots.
5. Assistance mondiale couverture mondiale (Asie-Pacifique, Europe, Amériques) avec service après-vente 24 heures sur 24 et 7 jours sur 7.
1Q: Quelle est la température maximale pour les plaques de support en SiC?
R: Les plaques de support en SiC résistent jusqu'à 1650°C en continu, ce qui les rend idéales pour les processus de CVD/MOCVD semi-conducteurs.
2. Q: Pourquoi utiliser du SiC au lieu du graphite pour le support des plaquettes?
R: Le SiC offre une contamination zéro par les particules, une rigidité plus élevée et une durée de vie plus longue que le graphite dans le traitement des plaquettes de haute pureté.
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