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Plaque d'appui SiC résistante aux températures élevées/plaque de support pour support de plaques

Détails de produit

Lieu d'origine: La Chine

Nom de marque: ZMSH

Certification: rohs

Numéro de modèle: Plaque d'appui SiC/plaque de support

Conditions de paiement et d'expédition

Prix: by case

Délai de livraison: 2-4weeks

Conditions de paiement: T/T

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Mettre en évidence:

Plaque de support SiC résistante aux températures élevées

,

Plaque de support SiC pour porteuse de gaufres

,

Plaque de support SiC résistante aux températures élevées

Type de matériau:
CVD-SiC
Diamètre:
100-500mm
Épaisseur:
10 à 50 mm
Température maximale de fonctionnement:
1650°C
Densité:
30,10 à 3,21 g/cm3
Dureté (Mohs):
9,2
Type de matériau:
CVD-SiC
Diamètre:
100-500mm
Épaisseur:
10 à 50 mm
Température maximale de fonctionnement:
1650°C
Densité:
30,10 à 3,21 g/cm3
Dureté (Mohs):
9,2
Plaque d'appui SiC résistante aux températures élevées/plaque de support pour support de plaques

 

Plaque d'appui SiC / Plaque de support Résumé clé

 

 

Plaque d'appui SiC résistante aux températures élevées/plaque de support pour support de plaques

 

 

Les plaques de support en carbure de silicium (SiC) sont des composants céramiques de haute performance largement utilisés dans les secteurs de fabrication avancés tels que les semi-conducteurs, les LED et les photovoltaïques.Réputés pour leur résistance thermique exceptionnelleLa ZMSH fournit des solutions personnalisées de plaques de support SiC, y compris la conception, la fabrication, les essais, la fabrication et la fabrication.,et le soutien après-vente, assurant une meilleure stabilité des processus et une plus grande efficacité de la production.

 

 


 

Spécification technique:

 

 

Paramètre Spécification Unité Les notes
Type de matériau Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre. - Optionnel
Diamètre 100 à 500 (personnalisable) mm La coutume
Épaisseur 10 à 50 mm Réglable
Température maximale de fonctionnement 1650 °C À long terme
Conductivité thermique 120 à 200 Nombre d'étoiles À 25°C
Coefficient de dilatation thermique 4.0 × 10−6 /°C NT1 résistance à la corrosion
Densité 3.10 à 3.21 g/cm3 La théorie
Porosité > 0,5% - Densité
Roughness de surface (Ra) < 0,2 (polie) μm Finition miroir
Plateur ≤ 005 mm/100 mm Grade de précision
Dureté (Mohs) 9.2 - Seconde après le diamant
Résistance à la flexion 350 à 450 MPa 3 points
La pureté > 99,9995% - de qualité de semi-conducteurs

 

 


 

Plaque d'appui SiC / Plaque de support Caractéristiques clés

Je suis désolée.

Plaque d'appui SiC résistante aux températures élevées/plaque de support pour support de plaques 0

 

1.Résistance aux températures élevées- fonctionnement stable au-dessus de 1600°C, adapté à des conditions de processus extrêmes.

 

2.Conductivité thermique supérieure- Surpasse les matériaux traditionnels (par exemple, le graphite, l'alumine) pour une dissipation rapide de la chaleur et une réduction du stress thermique.

 

3.Faible expansion thermique- Excellente stabilité dimensionnelle à haute température, minimisant la déformation.

 

4.Haute dureté et résistance à l'usureDureté de Mohs de 9.2, assurant une durabilité à long terme.

 

5.Inerté chimiqueRésistant aux acides, aux alcalis et aux environnements corrosifs (par exemple, gravure, CVD/PVD).

 

6.Haute puretéLa composition est exempte de métaux et répond aux normes strictes de l'industrie des semi-conducteurs.

 

 


 

Principales applications dePlaque d'appui SiC / Plaque de support

Plaque d'appui SiC résistante aux températures élevées/plaque de support pour support de plaques 1

Je suis désolée.1Compatibilité des procédés

 

· Fabrication de semi-conducteursCompatible avec la CVD, la MOCVD et la croissance épitaxiale, assurant un chauffage uniforme des plaquettes.

· Production de LEDIl soutient les substrats de saphir pour une croissance cohérente de la couche épitaxienne.

· Les photovoltaïquesUtilisé dans le frittage à haute température et le dépôt de films minces.

· Machinerie de précisionIl convient à la découpe au laser, à la gravure au plasma et à d'autres procédés de haute précision.

 

 

2. Types de matériaux

 

· SiC lié par réaction (RBSiC)Il est rentable et idéal pour une utilisation générale à haute température.

· Dépôt chimique de vapeur SiC (CVD-SiC)¢ Ultra haute pureté pour les procédés de semi-conducteurs avancés.

· SiC pressé à chaud (HPSiC)¢ Haute densité et résistance pour les applications lourdes.

 

 

3Applications de base

 

· Support de plaque/sous-stratIl assure une répartition thermique uniforme pendant le traitement.

· Remplacement du graphiteÉlimine les risques d'oxydation et de contamination par les particules.

· Équipement de gravureIl fournit un support stable de l' environnement plasmatique.

 

 


Plaque d'appui SiC résistante aux températures élevées/plaque de support pour support de plaques 2

Services ZMSH


1. Conception personnalisée Optimisation des dimensions, de la géométrie et des traitements de surface (p. ex. polissage, revêtements).

 

2. Fabrication de précision

 

3- Tests rigoureux - Inspection par ultrasons, cycle thermique et protocoles d'assurance qualité.

 

4- Réponse rapide: consultation technique, prototypage et soutien à la production par lots.

 

5. Assistance mondiale couverture mondiale (Asie-Pacifique, Europe, Amériques) avec service après-vente 24 heures sur 24 et 7 jours sur 7.

 

 


 

Questions et réponses

 

1Q: Quelle est la température maximale pour les plaques de support en SiC?
R: Les plaques de support en SiC résistent jusqu'à 1650°C en continu, ce qui les rend idéales pour les processus de CVD/MOCVD semi-conducteurs.

 

 

2. Q: Pourquoi utiliser du SiC au lieu du graphite pour le support des plaquettes?
R: Le SiC offre une contamination zéro par les particules, une rigidité plus élevée et une durée de vie plus longue que le graphite dans le traitement des plaquettes de haute pureté.

 

 


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