4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiCOI Wafers composite SiC sur les substrats isolants

4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiCOI Wafers composite SiC sur les substrats isolants

Les plaquettes SICOI (Carbure de silicium sur isolant) représentent une technologie de substrat composite avancée fabriquée par des procédés Smart CutTM ou Bonding & Thinning. ZMSH supply 4-6 inch 4H-SICOI wafers by integrating high-quality SiC thin films with insulating layers (SiO₂/AlN) on silicon or SiC substrates via hydrophilic bonding or plasma-activated bonding techniques. Processus Smart CutTM: utilise l'implantation d'ions hydrogène, la liaison à basse température et l'exfoliation de précision pour obtenir des couches de SiC ultra-minces (50 nm-20 μm) avec une uniformité d'épaisseur de ± 20 nm,idéal pour les hautes fréquences, les dispositifs à faible perte. Processus de broyage + CMP: adapté aux exigences de film plus épais (200 nm à des épaisseurs personnalisées) avec une uniformité de ± 100 nm, offrant une rentabilité pour les applications d'électronique de puissance. ZMSH fournit des films SiC conducteurs ou semi-isolateurs personnalisables,avec des options d'optimisation du recuit par implantation ionique ou d'amincissement/polissage direct pour répondre à diverses exigences de performance et de coût.

Principales caractéristiques deDes plaquettes SiCOI

Principales applications deDes plaquettes SiCOI

1électronique

Invertisseurs EV: Les MOSFET SiC sur des substrats SICOI fonctionnent à 1200V avec des pertes de commutation 30% plus faibles, compatibles avec les systèmes de charge rapide 800V.

Les plaquettes SICOI avec couches isolantes AlN améliorent la dissipation de chaleur de 50%, ce qui prend en charge un emballage de module > 10 kW.

2. Radiocommunications et 5G

Amplificateurs de puissance à ondes mm: les HEMT GaN sur SICOI semi-isolateur atteignent une sortie de 8 W/mm à 28 GHz avec un rendement > 65%.

Antennes à réseau de phases: faible perte diélectrique (tanδ<0,001) minimise l'atténuation du signal pour les communications par satellite.

3. L'informatique quantique et la détection

Spin Qubit Carriers: Les films SiC ultrafin (< 100 nm) fournissent des environnements à faible bruit, allant au-delà de 1 ms.

Capteurs MEMS à haute température: fonctionnement stable à 300 °C pour la surveillance des moteurs aérospatiaux.

4Électronique de consommation

IC à recharge rapide: Les dispositifs GaN basés sur SICOI permettent une recharge > 200W avec une empreinte réduite de 40%.

1. Q: Qu'est-ce que la galette SICOI?
R: La plaque SICOI (Silicon Carbide on Insulator) est un substrat composite avancé intégrant un film monocristallin 4H-SiC avec une couche isolante SiO2 sur une base silicium/saphir.permettant des dispositifs à haute puissance et à RF avec des performances thermiques/électriques supérieures.

2Q: Comment le SICOI se compare-t-il au SOI?
R: Le SICOI offre une conductivité thermique 5 fois plus élevée (> 300 W/m·K) et une tension de rupture 3 fois plus élevée (> 8 MV/cm) que le SOI, ce qui le rend idéal pour l'électronique de puissance 800V+ et les applications 5G mmWave.

Je ne sais pas.4 pouces 6 pouces 8 pouces# Personnalisé #Des plaquettes de 4H-SiCOIJe suis désolée.SiC composite sur des substrats isolants, #SiC, #SiO2, #Si