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Sic 3C-N Type Taille Machinery conducteur type pour les systèmes radar MPD de qualité de production zéro

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Les appareils à semi-conducteurs au carbure de silicium ont des formes cristallines multiples 4H 6H 3C

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6 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 4H-P Diamètre 150 mm Épaisseur 350 μm Zéro MPD Production, qualité de production standard

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Wafer en carbure de silicium de 2 pouces SIC de type 4H-N pour appareil MOS Dia 0,4 mm

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3 pouces HPSI Carbure de silicium SiC épaisseur du substrat 500um qualité primaire qualité factice qualité de recherche qualité translucide

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2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice

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Wafer de graines de SiC 6 pouces 8 pouces 4H-N Type Grade de production Grade factice Pour la croissance de la wafer de SiC

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Plaquettes de graines de carbure de silicium de type 4H Dia 157±0,5 mm épaisseur 500±50um surface monocristalline > 153 mm

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Wafer de graines de SiC d'épaisseur de 8 pouces 600±50um de type 4H de qualité de production pour la croissance des cristaux de carbure de silicium

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Wafer en carbure de silicium de 2 pouces 4H-P SIC pour photovoltaïque Épaisseur 350 μm Diamètre 50,8 mm Grade zéro

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6 pouces de carbure de silicium semi-isolant SiC composite substrat P type N type polissage unique double polissage de qualité de production

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5*5mm/10*10mm épaisseur de la gaufre en carbure de silicium 350μm Sic 3C-N type haute résistance mécanique

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