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Sic substrat

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Sic substrat

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La Chine Plaque d'appui SiC résistante aux températures élevées/plaque de support pour support de plaques usine

Plaque d'appui SiC résistante aux températures élevées/plaque de support pour support de plaques

Plaque d'appui SiC / Plaque de support Résumé clé Plaque d'appui SiC résistante aux températures élevées/plaque de support pour support de plaques Les plaques de support en carbure de silicium (SiC) sont des ... Lire la suite
2025-05-26 11:36:35
La Chine Plaque porteuse à multi-plaquettes SiC Carbure de silicium sintré sans pression pour support de plaquette usine

Plaque porteuse à multi-plaquettes SiC Carbure de silicium sintré sans pression pour support de plaquette

Résumé dePlateau à SiC Plaque porteuse à multi-plaquettes SiC Carbure de silicium sintré sans pression pour support de plaquette Compétitivité de base de la ZMSH: En tant que fournisseur mondial de solutions ... Lire la suite
2025-05-26 11:36:35
La Chine 6 pouces 4H-N Carbure de silicium SiC Substrate Dia 150 mm Épaisseur 350um 500um N Type Prime Grade Dummy Grade usine

6 pouces 4H-N Carbure de silicium SiC Substrate Dia 150 mm Épaisseur 350um 500um N Type Prime Grade Dummy Grade

Les produits doivent être présentés sous forme d'une plaque de carbure de silicium, de carbure de silicium, d'un substrat de silicium, d'un substrat de carbure de silicium, de qualité P, de qualité D, de type ... Lire la suite
2025-05-16 16:00:35
La Chine Lentille optique Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forme et taille personnalisée 6SP Épaisseur 10.05 usine

Lentille optique Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forme et taille personnalisée 6SP Épaisseur 10.05

Résumé deLentille optique Sic Lentille optique Sic 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI forme et taille personnalisée 6SP Épaisseur 10.05 ZMSH propose des lentilles optiques en carbure de silicium (SiC) haute performance ... Lire la suite
2025-05-09 17:38:20
La Chine 4H-N Silicium carbure SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 12 pouces Prime Grade Dummy Grade usine

4H-N Silicium carbure SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 12 pouces Prime Grade Dummy Grade

4H-N Silicium carbure SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces 12 pouces Prime Grade Dummy Grade Description du produit 4H-N Silicium carbure SiC Substrate 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces ... Lire la suite
2025-04-29 14:01:02
La Chine 12 pouces 300 mm SiC Wafer de carbure de silicium 4H-N Type Dummy Prime de recherche de qualité multiples applications usine

12 pouces 300 mm SiC Wafer de carbure de silicium 4H-N Type Dummy Prime de recherche de qualité multiples applications

12 pouces 300 mm SiC Wafer de carbure de silicium 4H-N Type Dummy Prime de recherche de qualité multiples applications Introduction du produit Le SiC, communément appelé carbure de silicium, est un composé form... Lire la suite
2025-03-21 11:03:41
La Chine 12 pouces de diamètre 300 mm SIC Substrate épitaxial Wafer poli Silicium Carbide Ingot Prime Grade 4H-N Type conducteur solaire photovoltaïque usine

12 pouces de diamètre 300 mm SIC Substrate épitaxial Wafer poli Silicium Carbide Ingot Prime Grade 4H-N Type conducteur solaire photovoltaïque

12 pouces de diamètre 300 mm SIC Substrate épitaxial Wafer poli en carbure de silicium Ingot Prime Grade 4H Type conducteur solaire photovoltaïque Introduction du produit Le substrat SiC de 12 pouces est une ... Lire la suite
2025-03-21 11:00:23
La Chine 2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, plaquettes de carbure de silicium, SiC 4H-N, de qualité factice, Rrime, de haute dureté, matériaux semi-conducteurs. usine

2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, plaquettes de carbure de silicium, SiC 4H-N, de qualité factice, Rrime, de haute dureté, matériaux semi-conducteurs.

2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, plaquettes de carbure de silicium, SiC 4H-N, de qualité factice, Rrime, de haute dureté, matériaux semi-conducteurs. À propos de la galette SiC La gaufre en ... Lire la suite
2025-03-21 10:57:34
La Chine Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance usine

Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance

Description du produit: Wafer en carbure de silicium de type 4H-P sur axe 0°Utilisé pour la fabrication de dispositifs de haute puissance Le substrat de carbure de silicium de type 4H-P est un matériau semi... Lire la suite
2025-03-19 22:46:23
La Chine 2 pouces 4H-N Silicium Carbide SiC Substrate épaisseur 350um 500um Wafer SiC de qualité primaire de qualité factice usine

2 pouces 4H-N Silicium Carbide SiC Substrate épaisseur 350um 500um Wafer SiC de qualité primaire de qualité factice

Les produits doivent être présentés sous forme d'une plaque de carbure de silicium, de carbure de silicium, d'un substrat de silicium, d'un substrat de carbure de silicium, de qualité P, de qualité D, de type ... Lire la suite
2025-03-19 22:46:22
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