8 pouces SiC Epitaxial Substrate MOS Grade Prime Grade 4H-N Type Grand diamètre

Substrat épitaxial en SiC de 8 pouces, qualité MOS, qualité Prime, type 4H-N, grand diamètre

En tant que catalyseur essentiel de l'avancement des semi-conducteurs de troisième génération, nos plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces réalisent des percées doubles en termes de performances des matériaux et d'efficacité de fabrication. Avec une surface utilisable 78 % plus grande (200 mm) par rapport aux plaquettes de 6 pouces et une densité de défauts 30 %. Adoptées par les principaux fabricants chinois, ces plaquettes alimentent désormais les véhicules électriques et les réseaux intelligents, favorisant la substitution nationale et la compétitivité mondiale.

Spécifications du produit des plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces

Principales caractéristiques des plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces

1. Innovation des procédés

• Atteint un taux de croissance épitaxiale de 68,66μm/h (25 % plus rapide que les outils importés) via MOCVD domestique, avec <50μm de gauchissement grâce à une liaison à faible contrainte pour le découpage automatisé. Ce procédé à haut débit permet des cycles de production 20 % plus rapides par rapport aux méthodes conventionnelles.

2. Percées matérielles

• La concentration de porteurs graduée (5×10¹³~1×10¹⁹cm⁻³) réduit le R_{DS(on) des MOSFET en SiC à} 100 kHz).3. Robustesse environnementale

La passivation résistante à l'humidité maintient la stabilité électrique >1000h à 85°C/85 % HR, ce qui permet d'utiliser des systèmes de stockage d'énergie tropicaux. Cette performance est validée par les protocoles de test d'humidité MIL-STD-810G.

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