Substrat épitaxial en SiC de 8 pouces, qualité MOS, qualité Prime, type 4H-N, grand diamètre
En tant que catalyseur essentiel de l'avancement des semi-conducteurs de troisième génération, nos plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces réalisent des percées doubles en termes de performances des matériaux et d'efficacité de fabrication. Avec une surface utilisable 78 % plus grande (200 mm) par rapport aux plaquettes de 6 pouces et une densité de défauts 30 %. Adoptées par les principaux fabricants chinois, ces plaquettes alimentent désormais les véhicules électriques et les réseaux intelligents, favorisant la substitution nationale et la compétitivité mondiale.
Spécifications du produit des plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces
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Paramètre
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Spécification
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Diamètre
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200 mm
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Épaisseur
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500 ±25μm
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Épaisseur épitaxiale
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5-20μm (personnalisable)
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Uniformité de l'épaisseur
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≤3%
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Uniformité du dopage (type n)
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≤5%
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Densité des défauts de surface
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≤0,5/cm²
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Rugosité de surface (Ra)
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≤0,5 nm (balayage AFM 10μm×10μm)
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Champ de claquage
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≥3 MV/cm
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Mobilité des électrons
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≥1000 cm²/(V·s)
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Concentration de porteurs
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5×10¹³~1×10¹⁹ cm⁻³ (type n)
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Orientation cristalline
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4H-SiC (hors axe ≤0,5°)
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Résistivité de la couche tampon
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1×10¹⁸ Ω·cm (type n)
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Certification automobile
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Conforme à la norme IATF 16949
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Test HTRB (175°C/1000h)
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Dérive des paramètres ≤0,5%
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Dispositifs pris en charge
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MOSFET, SBD, JBS, IGBT
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Principales caractéristiques des plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces
1. Innovation des procédés
- Atteint un taux de croissance épitaxiale de 68,66μm/h (25 % plus rapide que les outils importés) via MOCVD domestique, avec <50μm de gauchissement grâce à une liaison à faible contrainte pour le découpage automatisé. Ce procédé à haut débit permet des cycles de production 20 % plus rapides par rapport aux méthodes conventionnelles.
2. Percées matérielles
- La concentration de porteurs graduée (5×10¹³~1×10¹⁹cm⁻³) réduit le RDS(on) des MOSFET en SiC à 100 kHz).3. Robustesse environnementale
La passivation résistante à l'humidité maintient la stabilité électrique >1000h à 85°C/85 % HR, ce qui permet d'utiliser des systèmes de stockage d'énergie tropicaux. Cette performance est validée par les protocoles de test d'humidité MIL-STD-810G.
Application de plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces1. Q : Quels sont les principaux avantages des plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces ?
Permet des onduleurs de traction de 800 V avec un rendement de 97 %, une puissance de crête de 350 kW et une autonomie de 1000 km.
Intègre des modules en SiC de 1200 V dans des chargeurs refroidis par liquide pour une recharge de 600 kW/10 minutes et 500 km.
- 3. Alimentation aérospatiale
Modules durcis aux radiations pour satellites (-55°C~200°C, 200W/in³), prenant en charge les missions en espace lointain.
- 4. Informatique quantique
Fonctionnement stable à 4K dans les réfrigérateurs à dilution, prolongeant la cohérence des qubits >1000μs.
- Recommandations de produits connexes
1. Plaquettes épitaxiales en SiC de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces et 6 pouces, qualité de production 4H-N
2. Plaquette épitaxiale en SiC de 6 pouces, diamètre 150 mm, type 4H-N, type 4H-P pour la communication 5G
FAQ de
plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces1. Q : Quels sont les principaux avantages des plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces ?
R : Les plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces permettent une plus grande densité de puissance et des coûts de fabrication plus faibles par rapport aux plaquettes de 6 pouces, prenant en charge 150 % de puces en plus par plaquette et 30 % de déchets de matériaux en moins.
2. Q : Quelles industries utilisent les plaquettes épitaxiales en SiC de 8 pouces ?
R : Essentielles pour les onduleurs de VE, les onduleurs solaires et les stations de base 5G en raison de la conductivité thermique 10× plus élevée et de la bande interdite 3× plus large que le silicium.
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