Détails de produit
Lieu d'origine: Chine
Nom de marque: zmsh
Certification: rohs
Conditions de paiement et d'expédition
le matériel: |
HPSI SiC |
Grade: |
Première/Dummy/Recherche |
Type: |
4H-semi |
Les orientations: |
Le nombre de personnes concernées |
Taille: |
2 ou 3 pouces, 4 ou 6 pouces, 8 pouces. |
Épaisseur: |
500 ± 25 μm |
TTV: |
Pour les appareils de traitement de l'air |
Faites une fleur.: |
-25 μm à 25 μm/ -35 μm à 35 μm/ -45 μm à 45 μm |
enveloppe: |
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm |
le matériel: |
HPSI SiC |
Grade: |
Première/Dummy/Recherche |
Type: |
4H-semi |
Les orientations: |
Le nombre de personnes concernées |
Taille: |
2 ou 3 pouces, 4 ou 6 pouces, 8 pouces. |
Épaisseur: |
500 ± 25 μm |
TTV: |
Pour les appareils de traitement de l'air |
Faites une fleur.: |
-25 μm à 25 μm/ -35 μm à 35 μm/ -45 μm à 45 μm |
enveloppe: |
≤ 35 μm ≤ 45 μm ≤ 55 μm |
Plaquettes de SiC semi-isolantes haute pureté HPSI – 2/3/4/6/8 pouces qualité Prime/Dummy/Recherche
Les plaquettes de carbure de silicium (SiC) HPSI (semi-isolantes haute pureté) sont des substrats semi-conducteurs avancés conçus pour les applications haute fréquence, haute puissance et haute température. Disponibles en diamètres de 2 pouces, 3 pouces, 4 pouces, 6 pouces et 8 pouces, ces plaquettes sont proposées en qualités Prime (qualité production), Dummy (test de processus) et Recherche (expérimentale) pour répondre aux divers besoins industriels et universitaires.
Les plaquettes de qualité Prime présentent une très faible densité de défauts et une résistivité élevée, ce qui les rend idéales pour les dispositifs RF, les amplificateurs de puissance et les applications d'informatique quantique. La qualité Dummy offre des solutions rentables pour l'optimisation des processus dans la fabrication de semi-conducteurs, tandis que la qualité Recherche soutient les études de matériaux de pointe et le développement de prototypes.
Avec une conductivité thermique supérieure (> 490 W/m·K) et une large bande interdite (3,2 eV), les plaquettes de SiC HPSI permettent l'électronique de nouvelle génération pour les communications 5G, l'aérospatiale et les systèmes de véhicules électriques (VE).Tableau des spécifications
Propriétés
Spécification | Type |
4H-Semi | Résistivité |
≥1E8ohm·cm | Épaisseur |
500±25μm | Sur axe |
Hors axe | <0001> |
0±0.25° | TTV |
≤5μm | BOW |
-25μm~25μm | Wrap |
≤35μm | Rugosité de la face avant (face Si) |
Ra≤0.2nm(5μm*5μm) | Applications des plaquettes HPSI |
1. Dispositifs RF et micro-ondes - Stations de base 5G : amplificateurs haute puissance avec faible perte de signal.
- Systèmes radar : performances stables dans l'aérospatiale et la défense.
2. Électronique de puissance
- Onduleurs de VE : commutation haute tension efficace.
- Chargeurs rapides : conceptions compactes et à haut rendement.
3. Recherche de haute technologie
- Études sur les larges bandes interdites : recherche sur les propriétés des matériaux SiC.
4. Développement de processus industriels
- Plaquettes Dummy : étalonnage des équipements dans les usines de semi-conducteurs.
Foire aux questions (FAQ)
1. Qu'est-ce qui définit le SiC « semi-isolant » ?
Le SiC semi-isolant a une résistivité extrêmement élevée, ce qui minimise les fuites de courant dans les dispositifs RF et haute puissance.
2. Ces plaquettes peuvent-elles être personnalisées ?
Oui, nous proposons une personnalisation du dopage, de l'épaisseur et de la finition de surface pour les qualités Prime et Recherche.
3. Quelle est la différence entre les qualités Prime et Dummy ?
- Prime : fabrication de dispositifs (faibles défauts).
- Dummy : test de processus (coût optimisé).
4. Comment les plaquettes sont-elles emballées ?
Emballages scellés sous vide pour plaquettes individuelles
5. Quel est le délai de livraison typique ?
- 2 à 4 semaines pour les tailles standard.
- 4 à 6 semaines pour les spécifications personnalisées.