Plaquette épitaxiale SiC de 8 pouces, diamètre 200 mm, épaisseur 500 µm, type 4H-N
En tant que fournisseur de matériaux de base dans la chaîne industrielle SiC en Chine, ZMSH développe indépendamment des plaquettes épitaxiales SiC de 8 pouces basées sur une plateforme technologique de croissance de plaquettes de grand diamètre mature. En utilisant le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), un film monocristallin uniforme est formé sur notre substrat SiC de haute pureté. Les principales caractéristiques comprennent :
- Épaisseur de la couche épitaxiale : 5-20 µm (uniformité ±3 %)
- Écart de concentration de dopage :<5 %
- Densité des défauts tueurs de surface :<0,5/cm²
- Faible concentration de fond :<1×10¹⁴ cm⁻³
- Efficacité de conversion BPD : >99 %
Par rapport aux plaquettes traditionnelles de 6 pouces, la plaquette de 8 pouces augmente la surface utilisable de 78 %, réduisant les coûts unitaires des dispositifs d'environ 30 % grâce à une production automatisée, ce qui la rend idéale pour les véhicules électriques, les alimentations industrielles et autres applications à grande échelle.
Spécifications du produit de la plaquette épitaxiale SiC de 8 pouces
|
Paramètre
|
Spécification
|
|
Diamètre
|
200 mm
|
|
Épaisseur
|
500 ±25 µm
|
|
Épaisseur épitaxiale
|
5-20 µm (personnalisable)
|
|
Uniformité de l'épaisseur
|
≤3 %
|
|
Uniformité du dopage (type n)
|
≤5 %
|
|
Densité des défauts de surface
|
≤0,5/cm²
|
|
Rugosité de surface (Ra)
|
≤0,5 nm (balayage AFM de 10 µm×10 µm)
|
|
Champ de claquage
|
≥3 MV/cm
|
|
Mobilité des électrons
|
≥1000 cm²/(V·s)
|
|
Concentration de porteurs
|
5×10¹³~1×10¹⁹ cm⁻³ (type n)
|
|
Orientation cristalline
|
4H-SiC (hors axe ≤0,5°)
|
|
Résistivité de la couche tampon
|
1×10¹⁸ Ω·cm (type n)
|
|
Certification automobile
|
Conforme à la norme IATF 16949
|
|
Test HTRB (175 °C/1000 h)
|
Dérive des paramètres ≤0,5 %
|
|
Appareils pris en charge
|
MOSFET, SBD, JBS, IGBT
|
Principales caractéristiques de la plaquette épitaxiale SiC de 8 pouces
1. Contrôle précis des processus
- Le contrôle en boucle fermée du débit de gaz et la surveillance de la température en temps réel permettent un contrôle à l'échelle nanométrique de l'épaisseur/du dopage, la plaquette épitaxiale SiC de 8 pouces prenant en charge les conceptions de dispositifs de 600 à 3300 V.
2. Très faible densité de défauts
- Défauts de surface <0,2/cm², densité de dislocations ~10³ cm⁻³, assurant une dégradation des performances <1 % après 100 000 cycles thermiques.3. Compatibilité des matériauxOptimisée pour le 4H-SiC, la plaquette épitaxiale SiC de 8 pouces est personnalisable en couches de type n/semi-isolantes, répondant aux exigences strictes de R
ON
- (3 MV/cm).4. Stabilité environnementale<2 mΩ·cm²) and breakdown strength (>La passivation résistante à la corrosion maintient une dérive électrique <0,5 % à 85 °C/85 % HR pendant 1000 h.
- Application de la plaquette épitaxiale SiC de 8 pouces1. Véhicules électriques
Matériau de base pour les onduleurs de traction et les OBC, permettant des plateformes de 800 V avec une efficacité de plus de 95 % et une charge de pointe de 600 kW.2. Stockage solaire/d'énergieLes onduleurs de chaîne à 99 % d'efficacité réduisent les pertes du système de 50 %, augmentant le TRI du projet de 3 à 5 %., #Substrat en carbure de silicium, #
La plaquette épitaxiale SiC de 8 pouces permet une commutation à plus de 100 kHz dans les PFC de serveur et les convertisseurs de traction, atteignant une densité de puissance de 100 W/po³.
Substrat à faibles pertes pour les dispositifs RF GaN, la plaquette épitaxiale SiC de 8 pouces améliore l'efficacité du PA de la station de base à 75 % avec l'intégrité du signal multicanal.
- Recommandations de produits connexes
Les plaquettes épitaxiales SiC de 6 pouces de ZMSH présentent des films monocristallins 4H-SiC de haute qualité cultivés par CVD sur des substrats haut de gamme, offrant une épaisseur de 5 à 30 µm avec une uniformité ≤3 % et une densité de défauts <0,5/cm². Optimisées pour les dispositifs d'alimentation de 650 V à 3,3 kV (MOSFET/SBD), elles permettent une Ron inférieure de 20 % et une efficacité de commutation supérieure de 15 % par rapport aux solutions au silicium, idéales pour les chargeurs de VE et les convertisseurs industriels.
- FAQ sur la plaquette épitaxiale SiC de 8 pouces
1. Q : Quels sont les avantages des plaquettes épitaxiales SiC de 8 pouces par rapport à celles de 6 pouces ?
-
A : Les plaquettes de 8 pouces offrent 78 % de surface utilisable en plus, réduisant les coûts des puces d'environ 30 % grâce à un rendement plus élevé et à de meilleures économies d'échelle pour les VE et les dispositifs d'alimentation.
2. Q : Comment la densité de défauts des plaquettes SiC de 8 pouces se compare-t-elle à celle du silicium ?
Tags : #
Plaquette épitaxiale SiC de 8 pouces, #Substrat en carbure de silicium, #
Diamètre 200 mm
, #
Épaisseur 500 µm
, #Type 4H-N
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!
