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Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant film de SiC de 100 à 150 mm SUR silicium

Nom De Marque:	ZMSH
Numéro De Modèle:	SICOI Wafers
MOQ:	25
Prix:	by case
Délai De Livraison:	2-4weeks
Conditions De Paiement:	T/T

Informations détaillées

Description de produit

Informations détaillées

Place of Origin:

CHINA

Certification:

rohs

Taille:

4inch / 6inch / 8 pouces

Rugosité de la surface:

RA <0,5 nm

Résistance à la rupture:

3,5 MPa · M¹ / ²

CTE (4H-SIC):

4,2 × 10⁻⁶ / k

Résistivité (Si):

> 1 × 10⁶ ω · cm

Applications:

Électronique haute puissance, dispositifs RF

Packaging Details:

package in 100-grade cleaning room

Mettre en évidence:

Wafer 4H-SiC sur isolant

Wafer SICOI de 100 à 150 mm

Une couche de SiC sur un substrat de silicium

Description de produit

Aperçu des plaquettes SICOI

Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant 100 à 150 mm film sic SUR silicium

Les plaquettes SICOI (Carbure de Silicium sur Isolant) représentent un matériau de substrat semi-conducteur haute performance qui combine les propriétés physiques exceptionnelles du carbure de silicium (SiC) avec les avantages d'isolation électrique d'une couche isolante (telle que SiO₂ ou Si₃N₄). La structure SICOI se compose généralement d'une couche monocristalline de SiC, d'une couche isolante et d'un substrat de support (par exemple, Si ou SiC). Cette configuration trouve des applications étendues dans les dispositifs électroniques de haute puissance, haute fréquence et haute température, ainsi que dans les domaines des capteurs RF (Radio Fréquence) et MEMS.

Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant film de SiC de 100 à 150 mm SUR silicium

Comparées aux plaquettes SiC conventionnelles, les plaquettes SICOI réduisent considérablement la capacité parasite et le courant de fuite grâce à l'incorporation d'une couche isolante, améliorant ainsi la fréquence de fonctionnement des dispositifs et l'efficacité énergétique. Cette technologie est particulièrement adaptée aux applications nécessitant une haute résistance à la tension, de faibles pertes et des performances thermiques supérieures, telles que les véhicules électriques, les communications 5G et l'électronique aérospatiale.

Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant film de SiC de 100 à 150 mm SUR silicium

Caractéristiques clés des plaquettes SICOI

Catégorie de caractéristique

Paramètres spécifiques/Performance

Avantages techniques

Structure matérielle

Couche monocristalline de SiC (4H/6H-SiC) + couche isolante (SiO₂/Si₃N₄) + substrat de support (Si/SiC)

Permet l'isolation électrique et réduit les effets parasites

Performance électrique

Haute rigidité diélectrique (>3 MV/cm), faible perte diélectrique

Idéal pour les dispositifs haute fréquence et haute tension

Performance thermique

Haute conductivité thermique (4,9 W/cm·K), résistance aux hautes températures (>500°C)

Excellente capacité de dissipation thermique, adapté aux environnements à haute température

Performance mécanique

Dureté élevée (dureté Mohs 9,5), faible coefficient de dilatation thermique

Résiste aux contraintes mécaniques et améliore la fiabilité des dispositifs

Qualité de surface

Surface atomiquement plane (Ra <0,2 nm)Optimise la qualité de la croissance épitaxiale et minimise les défauts

Performance d'isolation

Haute résistance d'isolement (>10¹⁴ Ω·cm), faible courant de fuite

Adapté aux dispositifs RF et de puissance nécessitant une isolation élevée

Taille et personnalisation

Prend en charge les plaquettes de 4/6/8 pouces avec une épaisseur personnalisable (couche SiC : 1-100 µm, couche isolante : 0,1-10 µm)

Répond aux exigences diverses des applications

Applications principales des plaquettes SICOI

Domaine d'application

Scénarios spécifiques	Avantages clés	Électronique de puissance
Onduleurs VE, stations de recharge rapide, modules de puissance industriels	La haute résistance à la tension et les faibles pertes améliorent l'efficacité énergétique	Dispositifs RF
Amplificateurs de puissance (PA) de stations de base 5G, frontaux RF millimétriques	La faible capacité parasite permet un fonctionnement à haute fréquence avec une perte minimale	Capteurs MEMS
Capteurs de pression haute température, dispositifs de navigation inertielle	Résiste aux hautes températures et aux radiations, adapté aux environnements difficiles	Aérospatiale
Systèmes d'alimentation d'avions, équipements de communication par satellite	Haute fiabilité et résistance aux températures extrêmes	Réseau intelligent
Transmission à courant continu haute tension (HVDC), disjoncteurs à semi-conducteurs	Les propriétés d'isolation élevées réduisent les pertes d'énergie	Optoélectronique
LED UV, substrats de diodes laser	Une bonne adaptation du réseau améliore les performances des dispositifs	Le processus de préparation du 4H-SiCOI

Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant film de SiC de 100 à 150 mm SUR silicium

Le processus de fabrication du 4H-SiCOI et les microrésonateurs avec des caractéristiques mises en évidence.

a Processus de fabrication de la plateforme matérielle 4H-SiCOI vierge.

b Photographie d'un substrat 4H-SiCOI à l'échelle de la plaquette de 4 pouces fabriqué par la méthode de collage et d'amincissement, la zone de défaillance est marquée.
c Variation d'épaisseur totale du substrat 4H-SiCOI.
d Image d'une puce 4H-SiCOI.
e Organigramme de la fabrication d'un microrésonateur SiC.
f Un microscope électronique à balayage (MEB) du microrésonateur fabriqué.
g Image MEB zoomée de la paroi latérale du résonateur. Encadré, le balayage par microscopie à force atomique (AFM) de la surface supérieure du résonateur (Échelle = 1 µm).
h Image MEB de profil du résonateur fabriqué avec une surface supérieure de forme parabolique.
Plaquettes SICOI

Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant film de SiC de 100 à 150 mm SUR silicium

Q&R1. Q : Qu'est-ce qu'une plaquette SICOI ?

R : Une plaquette SICOI (Carbure de Silicium sur Isolant) est un substrat semi-conducteur avancé combinant les propriétés haute performance du SiC avec une couche isolante pour une isolation électrique améliorée dans les dispositifs de puissance et RF.
2. Q : Quels sont les avantages des plaquettes SICOI ?

R : Les plaquettes SICOI offrent une capacité parasite plus faible, une tension de claquage plus élevée et une meilleure gestion thermique par rapport aux plaquettes SiC standard, idéales pour les applications 5G et VE.
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consistent en quelques microns de SiC au-dessus de quelques microns de SiO₂, au-dessus de Si.

Étiquettes:

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de silicium d'IC

Le fil a vu la machine

Saphir synthétique Rod

Plat de quartz fondu

Pièces de saphir

Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de phosphure d'indium

substrat en céramique

Emballage de laboratoire

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de GaAs

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de silicium d'IC

Le fil a vu la machine

Saphir synthétique Rod

Plat de quartz fondu

Pièces de saphir

Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de phosphure d'indium

substrat en céramique

Emballage de laboratoire

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de GaAs

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Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant film de SiC de 100 à 150 mm SUR silicium

Wafer 4H-SiC sur isolant

Wafer SICOI de 100 à 150 mm

Une couche de SiC sur un substrat de silicium

Plaquette SICOI 4 pouces 6 pouces 8 pouces 4H-SiC sur isolant 100 à 150 mm film sic SUR silicium

Caractéristiques clés des plaquettes SICOI

Domaine d'application

Le processus de fabrication du 4H-SiCOI et les microrésonateurs avec des caractéristiques mises en évidence.

Q&R​1. Q : Qu'est-ce qu'une plaquette SICOI ?

sic gaufrette

sic substrat

substrat de carbure de silicium

Customized SiC Tray:CVD SiC SSiC Flat grooved High thermal conductivity Low coefficient of thermal expansion

Céramique d'alumine : Oxyde d'aluminium blanc ivoire usiné avec précision, personnalisation prise en charge

Q&R1. Q : Qu'est-ce qu'une plaquette SICOI ?