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Sic substrat

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Sic substrat

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La Chine 2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice usine

2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice

Description du produit: 2 pouces Sic Substrate de carbure de silicium 3C-N Type 50,8 mm Diamètre Qualité de production Qualité de recherche Qualité factice Le 3C-SiC (carbure de silicium cubique) est un mat... Lire la suite
2024-10-11 10:35:00
La Chine Wafer de graines de SiC 6 pouces 8 pouces 4H-N Type Grade de production Grade factice Pour la croissance de la wafer de SiC usine

Wafer de graines de SiC 6 pouces 8 pouces 4H-N Type Grade de production Grade factice Pour la croissance de la wafer de SiC

Wafer de graines de SiC de type 4H-N de 6 pouces 8 pouces de qualité de production de qualité factice pour la croissance de wafer de SiC Le résumé de la galette de graines de SiC de 6 pouces et 8 pouces Les ... Lire la suite
2024-10-11 10:35:00
La Chine Plaquettes de graines de carbure de silicium de type 4H Dia 157±0,5 mm épaisseur 500±50um surface monocristalline > 153 mm usine

Plaquettes de graines de carbure de silicium de type 4H Dia 157±0,5 mm épaisseur 500±50um surface monocristalline > 153 mm

Plaquettes de graines de carbure de silicium de type 4H Dia 157±0,5 mm épaisseur 500±50um surface monocristalline > 153 mm Le résumé de 4H Silicon Carbide Seed Dans le domaine de la croissance des cristaux de ... Lire la suite
2024-10-11 10:35:00
La Chine Wafer de graines de SiC d'épaisseur de 8 pouces 600±50um de type 4H de qualité de production pour la croissance des cristaux de carbure de silicium usine

Wafer de graines de SiC d'épaisseur de 8 pouces 600±50um de type 4H de qualité de production pour la croissance des cristaux de carbure de silicium

Wafer de graines de SiC d'épaisseur de 8 pouces 600±50um de type 4H de qualité de production pour la croissance des cristaux de carbure de silicium Résumé de la galette de graines de SiC Les plaquettes de ... Lire la suite
2024-10-11 10:35:00
La Chine Wafer en carbure de silicium de 2 pouces 4H-P SIC pour photovoltaïque Épaisseur 350 μm Diamètre 50,8 mm Grade zéro usine

Wafer en carbure de silicium de 2 pouces 4H-P SIC pour photovoltaïque Épaisseur 350 μm Diamètre 50,8 mm Grade zéro

Description du produit: Wafer en carbure de silicium de 2 pouces 4H-P SIC pour photovoltaïque Épaisseur 350 μm Diamètre 50,8 mm Grade zéro Le carbure de silicium 4H-P (SiC) est un important matériau semi... Lire la suite
2024-10-11 10:35:00
La Chine 6 pouces de carbure de silicium semi-isolant SiC composite substrat P type N type polissage unique double polissage de qualité de production usine

6 pouces de carbure de silicium semi-isolant SiC composite substrat P type N type polissage unique double polissage de qualité de production

Description du produit: 6 pouces de carbure de silicium semi-isolant SiC composite substrat P type N type polissage unique double polissage de qualité de production Les plaquettes de substrat composites en ... Lire la suite
2024-10-11 10:33:11
La Chine 5*5mm/10*10mm épaisseur de la gaufre en carbure de silicium 350μm Sic 3C-N type haute résistance mécanique usine

5*5mm/10*10mm épaisseur de la gaufre en carbure de silicium 350μm Sic 3C-N type haute résistance mécanique

Description du produit: 5*5mm/10*10mm épaisseur de la gaufre en carbure de silicium 350μm Sic 3C-N type haute résistance mécanique Le 3C-SiC (carbure de silicium cubique) est un matériau semi-conducteur à large ... Lire la suite
2024-10-11 10:33:11
La Chine Wafer de carbure de silicium 6 pouces Sic Single Crystal 150 mm de diamètre 3C-N Type de combinaison pour les systèmes de radar de communication usine

Wafer de carbure de silicium 6 pouces Sic Single Crystal 150 mm de diamètre 3C-N Type de combinaison pour les systèmes de radar de communication

Description du produit: Wafer de carbure de silicium 6 pouces Sic Single Crystal 150 mm de diamètre 3C-N Type de combinaison pour les systèmes de radar de communication Le 3C-SiC (carbure de silicium cubique) ... Lire la suite
2024-10-11 10:33:11
La Chine Substrate au carbure de silicium 4' Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production usine

Substrate au carbure de silicium 4' Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production

Description du produit: Substrate de carbure de silicium 4" Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production Le 3C-SiC (carbure de silicium cubique) est un matériau semi-conducteur ... Lire la suite
2024-10-11 10:33:11
La Chine Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm usine

Wafer en carbure de silicium de 4 pouces 6H-P épaisseur 350 μm

Description du produit: Wafer en carbure de silicium 6H-P épaisseur 350 μm Le 6H-SiC (carbure de silicium hexagonal) est un matériau semi-conducteur à large bande avec une bonne conductivité thermique et une r... Lire la suite
2024-09-29 11:29:00
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