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Substrate SiC au carbure de silicium 4H-SEMI épaisseur 2 pouces Wafer SiC de qualité primaire de qualité factice de 350um 500um Vidéo

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2 pouces Sic Substrate 6H-N Type épaisseur 350um 650um Sic Wafer

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Une gaufre en SiC de 8 pouces, une gaufre en carbure de silicium.

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Wafers de carbure de silicium 8 pouces 200 mm Substrate de polissage semi-conducteur Vidéo

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Wafer en carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Utilisation industrielle Avec une rugosité de surface ≤ 0,2 nm Vidéo

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Substrate SiC 4H-N épaisseur 350um utilisé dans les matériaux de semi-conducteurs optoélectroniques Vidéo

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Carbure de silicium (SiC) Substrate 6 pouces 8 pouces gaufre de qualité d'essai pour la découpe laser Vidéo

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4° En dehors de l'axe Le substrat SiC de 2 pouces Applications à haute température Wafer épitaxial Vidéo

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Substrate de gaufre épitaxienne SiC Applications industrielles de semi-conducteurs 4H-N Vidéo

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2 pouces 3 pouces 4 pouces SiC Substrate 330um Épaisseur 4H-N Type Grade de production Vidéo

2 pouces 3 pouces 4 pouces SiC Substrate 330um Épaisseur 4H-N Type Grade de production

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Option de substrat au carbure de silicium (SiC) pour des applications industrielles de haut niveau

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CVD SiC épitaxy Wafer 2 pouces 3 pouces 4 pouces 6 pouces épaisseur épitaxy 2,5 à 120 um pour l' électronique

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