Wafer en carbure de silicium de 2 pouces SIC de type 4H-N pour appareil MOS Dia 0,4 mm

Wafer en carbure de silicium de 2 pouces SIC de type 4H-N pour appareil MOS Dia 0,4 mm

Introduction du produit

Le substrat monocristallin de carbure de silicium (SiC) de type 4H n est un matériau semi-conducteur critique largement utilisé dans les appareils électroniques de puissance, les appareils à radiofréquence (RF) et les appareils optoélectroniques.Cet article présente un aperçu complet des techniques de fabrication, les caractéristiques structurelles, les domaines d'application et les progrès de la recherche en cours liés au substrat monocristallin de carbure de silicium de type 4H n.

Pour commencer, différentes méthodes pour préparer le substrat monocristallin de carbure de silicium de type 4H n sont discutées.et séparation assistée par laser (LAS)Chaque technique a une incidence sur la qualité du cristal, la morphologie de la surface et le rapport coût/efficacité du substrat.

Ensuite, l'article explore les caractéristiques structurelles du substrat monocristallin de carbure de silicium de type 4H n. Cela comprend une analyse de la structure cristalline,répartition des concentrations d'impuretésLes substrats monocristallins de silicium carbure de type 4H n de haute qualité présentent une qualité cristalline supérieure et des concentrations d'impuretés inférieures.qui sont cruciaux pour améliorer les performances du dispositif.

Les applications du substrat monocristallin de carbure de silicium de type 4H n dans les appareils électroniques de puissance, les appareils RF et les appareils optoélectroniques sont ensuite discutées.La stabilité thermique exceptionnelle du substrat, ses propriétés électriques et sa large bande passante le rendent très adapté à divers appareils.

Enfin, l'article résume les progrès actuels de la recherche sur les substrats monocristallins de carbure de silicium de type 4H n et décrit les orientations futures.le substrat monocristallin de carbure de silicium de type 4H n devrait jouer un rôle central dans un éventail plus large d'applications, soutenant l'amélioration et l'innovation des appareils électroniques.

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Caractéristiques clés du produit

Le carbure de silicium (SiC) est apparu comme un matériau révolutionnaire dans le domaine de la technologie des semi-conducteurs, et le substrat SiC de type 4H n se distingue comme un composant clé aux caractéristiques distinctes.Ce substrat, caractérisé par sa structure cristalline hexagonale et sa conductivité de type n, présente une multitude de caractéristiques clés qui contribuent à son utilisation généralisée dans diverses applications électroniques.

• Structure cristalline hexagonale:

Le substrat 4H SiC possède une disposition hexagonale de grille cristalline, un attribut structurel qui confère des propriétés électriques et thermiques uniques au matériau.Cette structure cristalline est cruciale pour réaliser des appareils électroniques hautes performances.

• Mobilité électronique élevée:

L'une des caractéristiques les plus remarquables du substrat SiC de type 4H n est sa mobilité électronique exceptionnelle.contribuant à l'efficacité du substrat dans les applications à haute fréquence et à haute puissance.

• Large bande passante:

L'écart de bande large du SiC, résultat de sa structure cristalline hexagonale, est une caractéristique clé qui améliore les performances du substrat.L'écart de bande large permet la création d'appareils capables de fonctionner à des températures élevées et dans des environnements difficiles.

• Conductivité de type N:

Le substrat 4H SiC est spécifiquement dopé pour présenter une conductivité de type n, ce qui signifie qu'il a un excès d'électrons comme porteurs de charge.Ce type de dopage est essentiel pour certaines applications de dispositifs semi-conducteurs, y compris les appareils électroniques de puissance et les appareils RF.

• Voltage de rupture élevé:

La capacité inhérente du matériau à résister à des champs électriques élevés sans panne est une caractéristique critique pour les appareils électriques.La haute tension de décomposition du substrat SiC de type 4H n est essentielle pour assurer la fiabilité et la durabilité des composants électroniques.

• Conductivité thermique:

Les substrats SiC présentent une excellente conductivité thermique, ce qui les rend bien adaptés aux applications où une dissipation thermique efficace est cruciale.Cette caractéristique est particulièrement avantageuse dans les appareils électroniques de puissance, où il est essentiel de minimiser la résistance thermique.

• Stabilité chimique et mécanique:

Le substrat SiC de type 4H n présente une solide stabilité chimique et mécanique, ce qui le rend adapté aux applications dans des conditions de fonctionnement difficiles.Cette stabilité contribue à la longévité et à la fiabilité du substrat dans divers environnements..

• Transparence optique:

En plus de ses propriétés électroniques, le substrat 4H SiC possède également une transparence optique dans des plages de longueurs d'onde spécifiques.Cette propriété est avantageuse pour des applications telles que l'optoélectronique et certaines technologies de capteurs..

• Versatilité dans la fabrication des appareils:

La combinaison unique des propriétés du substrat 4H SiC permet la fabrication de divers appareils électroniques, notamment des MOSFET de puissance, des diodes Schottky et des appareils RF à haute fréquence.Sa polyvalence contribue à sa large adoption dans différents domaines technologiques.

• Les progrès de la recherche et du développement:

Les efforts continus de recherche et de développement dans le domaine de la technologie SiC conduisent à des progrès dans les caractéristiques clés des substrats SiC de type 4H n.Les innovations en cours visent à améliorer encore les performances, la fiabilité et la gamme d'applications de ces substrats.

En conclusion, le substrat SiC de type 4H n est une pierre angulaire dans l'évolution de la technologie des semi-conducteurs,offrant un éventail de caractéristiques clés qui le rendent indispensable pour les appareils électroniques hautes performancesSa structure cristalline hexagonale, sa mobilité électronique élevée, son large espace de bande et d'autres caractéristiques distinctes le positionnent comme un matériau de pointe pour les technologies avancées en électronique de puissance, en RF et en,et au-delà.