2/4/6/8 pouces Sic Carbure de silicium Substrate de graines de cristal 4H-N Type Haute dureté P Grade R Grade D Grade

2/4/6/8 pouces Sic Carbure de silicium Substrate de graines de cristal 4H-N Type Haute dureté Grade P Grade R Grade D

Le carbure de silicium (SiC), communément appelé carbure de silicium, est un composé formé en combinant le silicium et le carbone.qui est largement utilisé dans les matériaux semi-conducteursLe carbure de silicium n'est qu'un diamant en dureté, ce qui en fait un excellent outil d'abrasion et de coupe.Une bonne conductivité thermique le rend adapté aux applications à haute température telles que les LED et l'électronique de puissance. Bonne résistance aux produits chimiques, en particulier aux acides et aux alcalis. Bonne résistance aux produits chimiques, en particulier aux acides et aux alcalis. Bonne résistance aux produits chimiques, en particulier aux acides et aux alcalis.En raison de ses propriétés supérieures, les cristaux de graines de carbure de silicium sont devenus un matériau indispensable dans l'industrie et la technologie modernes.

Caractéristiques:

• Stabilité à haute température:Il peut encore maintenir de bonnes propriétés physiques et chimiques dans un environnement à haute température.
• Faible coefficient de dilatation thermique:Il est donc moins susceptible de se déformer en cas de changement de température, ce qui le rend adapté à des applications de précision.

Paramètre technique

Applications à réaliser:

Personnalisation:

Notre substrat de graines de cristal SiC est certifié RoHS. La quantité minimale de commande est de 10pc et le prix est par cas. Les détails d'emballage sont des boîtes en plastique personnalisées.Le délai de livraison est de 30 jours et nous acceptons les conditions de paiement T/TNotre capacité d'approvisionnement est de 1000 pièces par mois. La taille du substrat SiC est de 2/4/6/8 pouces.