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SIC Crystal Silicon Carbide Wafer

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Les produits doivent être présentés sous forme d'une plaque de carbure de silicium, de carbure de silicium, d'un substrat de silicium, d'un substrat de carbure de silicium, de qualité P, de qualité D, de type ... Lire la suite
2024-08-15 09:03:01
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Le substrat monocristallin de carbure de silicium (SiC) de type 6H n est un matériau semi-conducteur essentiel largement utilisé dans les applications électroniques à haute puissance, haute fréquence et haute ... Lire la suite
2024-08-08 13:35:02
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Wafer SiC de 8 pouces Wafer au carbure de silicium de qualité de recherche 500um 350um Introduction du produit Notre société est spécialisée dans la fourniture de gaufres en carbure de silicium (SiC) de 8 ... Lire la suite
2024-06-26 10:36:52
La Chine Wafers de carbure de silicium 8 pouces 200 mm Substrate de polissage semi-conducteur usine

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Wafers de carbure de silicium 8 pouces 200 mm Substrate de polissage semi-conducteur Description du produit La demande de plaquettes SiC de 8 pouces augmente rapidement dans de multiples industries.Fabricants ... Lire la suite
2024-06-26 10:36:52
La Chine Wafer en carbure de silicium 2 pouces 4 pouces 6 pouces 8 pouces Utilisation industrielle Avec une rugosité de surface ≤ 0,2 nm usine

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2024-06-26 10:36:52
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Carbide de silicium (SiC) Substrate 6 pouces 8 pouces découpe laser Pour la préparation épitaxielle Description du produit: L'offre complète de Coherent dans le domaine des plaquettes épitaxales en SiC accélère ... Lire la suite
2024-06-03 17:07:47
La Chine 4° En dehors de l'axe Le substrat SiC de 2 pouces Applications à haute température Wafer épitaxial usine

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4° En dehors de l'axe Le substrat SiC de 2 pouces Applications à haute température Wafer épitaxial Description du produit: Le substrat SiC a également une rugosité de surface de Ra < 0,5 nm, ce qui est ... Lire la suite
2024-05-29 11:51:08
La Chine Substrate de gaufre épitaxienne SiC Applications industrielles de semi-conducteurs 4H-N usine

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Substrate de plaquette épitaxielle SiC Applications industrielles dans le secteur des semi-conducteurs 4H-NDescription du produit:Le carbure de silicium (Substrate à base de SiCLa méthode de fabrication de l... Lire la suite
2024-05-29 11:51:08
La Chine 2 pouces 3 pouces 4 pouces SiC Substrate 330um Épaisseur 4H-N Type Grade de production usine

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De grande pureté de silicium de carbure gaufrette non dopée sic, substrat de carbure de silicium de 6Inch 4H-Semi sic

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