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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
Courrier : eric_wang@zmsh-materials.com Téléphone : 86-1580-1942596
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résistivité 0.015-0.028ohm de substrat de 10x10mm 5x5mm sic. Le cm ou le >1E7ohm.Cm ébrèche sic
  • résistivité 0.015-0.028ohm de substrat de 10x10mm 5x5mm sic. Le cm ou le >1E7ohm.Cm ébrèche sic
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résistivité 0.015-0.028ohm de substrat de 10x10mm 5x5mm sic. Le cm ou le >1E7ohm.Cm ébrèche sic

Lieu d'origine La Chine
Nom de marque ZMSH
Certification rohs
Numéro de modèle SIC010
Détails de produit
Résistance à la pression:
>1000MPa
Surface:
Si-face CMP ; Face C Mp ;
Résistivité:
0,015 ~ 0,028 ohm.cm ; Ou >1E7ohm.cm ;
Matériel:
Monocristal SiC
Aspérité:
Ra<0.5nm
Tension claque:
5,5 MV/cm
Conduction thermique:
4,9 W/mK
Taille3:
0,5 x 0,5 mm ; 1 x 1 mm ; 5x5 mm ; 10x10 mm;
Surligner: 

De monocristal substrat sic

,

de silicium de carbure gaufrette sic

,

puces de 10x10mm sic

Description de produit

Description de produit :

De la perspective de la couche application terminale, les matériaux de carbure de silicium ont un large éventail d'applications dans le rail ultra-rapide, électronique automobile, grilles futées, inverseurs photovoltaïques, électromécanique industriel, centres de traitement des données, produits blancs, électronique grand public, communication 5G, affichages de la deuxième génération, et d'autres champs, avec le potentiel énorme du marché.

En termes d'application, il est divisé dans la basse tension, la tension moyenne, et les champs à haute tension :

Champ de basse tension
Principalement visant de l'électronique grand public, telle que PFC et alimentation d'énergie ; Par exemple, Xiaomi et Huawei ont lancé les chargeurs rapides utilisant des dispositifs de nitrure de gallium.

Champ moyen de tension
Principalement dans des systèmes d'électronique automobile et de transit et de grille d'alimentation de rail avec une tension plus de 3300V. Par exemple, Tesla était le premier fabricant des véhicules à moteur pour utiliser des dispositifs de carbure de silicium, utilisant les 3. modèles.
Dans le domaine de la tension moyenne et basse, le carbure de silicium a les diodes très mûres et les produits de transistor MOSFET qui sont favorisés et appliqués sur le marché.

Champ à haute tension
Le carbure de silicium a des avantages uniques. Mais jusqu'ici, il n'y a pas eu un produit mûr lancé dans le domaine à haute tension, et le monde est dans l'étape de la recherche et développement.
Les véhicules électriques sont le meilleur scénario d'application pour le carbure de silicium. Le module électrique d'entraînement de Toyota (le composant de noyau des véhicules électriques) réduit le volume de dispositifs de carbure de silicium de 50% ou davantage comparés à IGBTs basé par silicium, et la densité d'énergie est également beaucoup plus haut que cela du silicium a basé IGBTs. C'est également la raison pour laquelle beaucoup de fabricants tendent à employer le carbure de silicium, qui peut optimiser la disposition des composants dans la voiture et ménager de plus d'espace.

 

Caractéristiques :

Le carbure de silicium est un substrat incroyablement dur et souple, offrant de nombreux avantages par rapport aux substrats de silicium traditionnels.

Un des avantages principaux du carbure de silicium est sa dureté. Thismaterial peut transférer la chaleur à partir d'un point à un autre puits, lui permettant d'améliorer sa conductivité électrique et de permettre la miniaturisation dans beaucoup d'applications. Les gaufrettes de carbure de silicium ont également un bas coefficient pour la dilatation thermique, signifiant elles ne changent pas sensiblement dans la taille ou ne forment pas pendant qu'elles sont chauffées ou refroidies. En outre, les substrats de carbure de silicium sont de haute résistance au choc thermique, et peuvent changer les températures rapidement sans se casser ou fendre.

Le carbure de silicium est un matériel très durable qui ne réagit pas avec des acides, les alcalis ou les sels fondus aux températures jusqu'à 800°C. Il est également assez fort pour fonctionner sans risque aux températures au-dessus de 1600°C, le rendant approprié aux applications à hautes températures.

 

Paramètres techniques :

4H-SiC* et 6H-SiC ** ayez les diverses tailles s'étendant de 50.8mm (2") à 200mm (8 pouces). En ce qui concerne le type et le dopant, elles sont tous deux du N/Nitrogen et du type intrinsèque de HPSI. 4H-SiC* a une gamme de résistivité de 0,015 - 0,028 ohm*cm tandis que 6H-SiC ** a une résistivité beaucoup plus grande de l'ohm*cm >1E7. L'épaisseur des deux gammes de 250um à 15,000um (15mm) et eux chacun des deux ont simple/double finition de surface polie par côté. L'empilement de l'ordre de 4H-SiC* suit ABCB tandis que cela de 6H-SiC ** suit ABCACB. La constante diélectrique de 4H-SiC* est 9,6 et celui de 6H-SiC ** est 9,66. Quant à la mobilité des électrons, 4H-SiC* a une vingtaine de 800 cm2/V*S tandis que 6H-SiC ** est légèrement inférieure à 400 cm2/V*S. enfin et surtout, leurs densités sont identiques à 3,21 · 103 kg/m3.

 

Applications :

Le substrat de ZMSH SIC010 sic est les plats faits sur commande à haute précision d'une taille pour différentes applications. Il est fait de matériel de carbure de silicium (sic), avec une constante diélectrique de 9,7, extrêmement - une basse aspérité de Ra1000MPa<0>, la rendant idéale pour des usages avec la précision extrême et exigeant des conditions. Il est parfait pour la coupe de laser, car il peut maintenir un haut niveau d'exactitude et de qualité. C'est RoHS certifié conforme et est disponible dans des quantités d'ordre minimum de 10 morceaux. Le prix est déterminé au cas par cas, avec les boîtes en plastique faites sur commande pour l'empaquetage. Le délai de livraison est de 30 jours et le paiement est accepté par l'intermédiaire de T/T. ZMSH peut fournir jusqu'à 1000 morceaux par mois.

 

résistivité 0.015-0.028ohm de substrat de 10x10mm 5x5mm sic. Le cm ou le >1E7ohm.Cm ébrèche sic 0résistivité 0.015-0.028ohm de substrat de 10x10mm 5x5mm sic. Le cm ou le >1E7ohm.Cm ébrèche sic 1Personnalisation :

Sic adapté aux besoins du client substrat

Marque : ZMSH
Number modèle : SIC010
Point d'origine : LA CHINE
Certification : ROHS
Quantité d'ordre minimum : 10PC
Prix : Par cas
Détails de empaquetage : Boîte en plastique adaptée aux besoins du client
Délai de livraison : En 30 jours
Conditions de paiement : T/T
Capacité d'approvisionnement : 1000PC/month
Dopant : NON-DÉTERMINÉ
Matériel : Sic monocristal
Dureté extérieure : HV0.3 > 2500
Résistance à la traction : > 400MPa
Surface : CMP de SI-visage ; député britannique de C-visage

Point culminant :

Les gaufrettes de carbure de silicium, gaufrettes de 4H-N SIC, taille adaptée aux besoins du client ébrèche sic

 

Appui et services :

Sic support technique et services de substrat

Nous sommes commis à fournir à nos clients le meilleurs support technique et services pour sic des produits de substrat. Notre personnel bien informé est toujours disponible pour répondre à des questions et pour fournir des conseils. Nous tâchons de nous assurer que nos clients ont accès à l'information et aux ressources les plus à jour pour les aider en prenant des décisions au courant. Nous fournissons également un grand choix de services, tels que l'aide de conception, prototypage, personnalisation, et plus.

Notre équipe d'experts est toujours disponible pour fournir le support technique et le conseil. Nous comprenons l'importance de la performance des produits et de la fiabilité et travaillerons avec nos clients pour s'assurer que leurs besoins sont satisfaits. Nous fournissons également la formation et enseignement sur l'utilisation sic des produits de substrat.

Nous sommes consacrés à fournir le de plus haut niveau du service et support pour nos clients. Notre but est de s'assurer que nos clients ont une expérience positive et est satisfait de nos produits et services.

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