Substrate de carbure de silicium 4" Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production
Le 3C-SiC (carbure de silicium cubique) est un matériau semi-conducteur à large bande avec de bonnes propriétés électriques et thermiques, particulièrement adapté aux applications à haute fréquence,Applications pour appareils électroniques à haute puissanceLe dopage de type N est généralement réalisé par l'introduction d'éléments tels que l'azote (N) et le phosphore (P), ce qui rend le matériau électronégatif et adapté à une variété de conceptions de dispositifs électroniques.La bande passante est d'environ 3Le dopage de type N maintient toujours une grande mobilité électronique, ce qui améliore les performances du dispositif.Une excellente conductivité thermique permet d'améliorer la capacité de dissipation de la chaleur des appareils électriquesIl a une bonne résistance mécanique et est adapté à une utilisation dans des environnements difficiles. Il a une bonne résistance à une large gamme de produits chimiques et est adapté pour des applications industrielles.il est utilisé dans les convertisseurs de puissance et les entraînements à haut rendement, adapté aux véhicules électriques et aux systèmes d'énergie renouvelable.
Caractéristiques:
· large bande passante: bande passante d'environ 3,0 eV pour les applications à haute température et haute tension.
· Mobilité électronique élevée: le dopage de type N assure une bonne mobilité électronique et améliore les performances globales du dispositif.
· Excellente conductivité thermique: elle a une excellente conductivité thermique et améliore efficacement les performances de dissipation thermique, adaptée aux applications à haute puissance.
· Bonne résistance mécanique: il a une grande ténacité et résistance à la compression et convient à une utilisation dans des environnements difficiles.
· Résistance aux produits chimiques: bonne résistance à une large gamme de produits chimiques, améliorant la stabilité du matériau.
· Caractéristiques électriques réglables: en ajustant la concentration de dopage, différentes propriétés électriques peuvent être obtenues pour répondre aux besoins d'une variété d'applications.
Paramètres techniques:
Applications:
1- électronique de puissance: pour les convertisseurs de puissance, les onduleurs et les entraînements à haut rendement, largement utilisés dans les véhicules électriques et les systèmes d'énergie renouvelable.
2- équipement RF et micro-ondes: amplificateurs RF, équipement micro-ondes, particulièrement adaptés aux systèmes de communication et de radar.
3. Optoélectronique: Il peut être utilisé comme bloc de construction pour les LED et les détecteurs de lumière, en particulier dans les applications bleues et ultraviolettes.
4Sensors: Appliqués à un large éventail de capteurs dans des environnements à haute température et à haute puissance, offrant des performances fiables.
5Chargement sans fil et gestion de la batterie: utilisé dans les systèmes de charge sans fil et les dispositifs de gestion de la batterie pour améliorer l'efficacité et les performances.
6Équipement électrique industriel: utilisé dans les systèmes d'automatisation et de contrôle industriels pour améliorer l'efficacité énergétique et la stabilité du système.
Personnalisation:
Notre substrat SiC est disponible dans le type 3C-N et est certifié RoHS. La quantité minimale de commande est de 10pc et le prix est par cas. Les détails d'emballage sont des boîtes en plastique personnalisées.Le délai de livraison est de 30 jours et nous acceptons les conditions de paiement T/TNotre capacité d'approvisionnement est de 1000 pièces par mois. La taille du substrat SiC est de 2 pouces. Le lieu d'origine est la Chine.
Nos services:
1- Fabrication directe et vente.
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