PRODUITS

Maison > PRODUITS > Sic substrat > Substrate au carbure de silicium 4' Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production

Catégories

Gaufrette de nitrure de gallium

(40)

Gaufrette de phosphure d'indium

(35)

Emballage de laboratoire

(21)

Contacts

Contacts: Mr. Wang

Téléphone :: 86-1580-1942596

Contactez-nous maintenant

Envoyez-nous un courriel.

Substrate au carbure de silicium 4' Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production

Name: Substrate au carbure de silicium 4' Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production
Brand: SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
SKU: 3C-N SiC
Price: Négociable USD
Availability: InStock

Détails de produit

Lieu d'origine: Chine

Nom de marque: ZMSH

Certification: rohs

Numéro de modèle: 3C-N SiC

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 10 pour cent

Prix: by case

Détails d'emballage: boîte en plastique sur mesure

Délai de livraison: dans 30days

Conditions de paiement: T/T

Capacité d'approvisionnement: 1000pc/month

Obtenez le meilleur prix

Détails de produit

Description de produit

Mettre en évidence: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                Substrate de carbure de silicium de 4', Substrate de carbure de silicium de type conducteur, Substrate de carbure de silicium 3C-N
                              

Taille:	4inch	Constante diélectrique:	9,7
Dureté de surface:	HT0,3>2500	Densité:	3.21 G/cm3
Coefficient de dilatation thermique:	4,5 X 10-6/K	Voltage de rupture:	5,5 MV/cm
Applications:	Communication, systèmes de radar

Taille:	4inch
Constante diélectrique:	9,7
Dureté de surface:	HT0,3>2500
Densité:	3.21 G/cm3
Coefficient de dilatation thermique:	4,5 X 10-6/K
Voltage de rupture:	5,5 MV/cm
Applications:	Communication, systèmes de radar

Substrate au carbure de silicium 4' Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production

Description du produit:

Substrate de carbure de silicium 4" Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production

Le 3C-SiC (carbure de silicium cubique) est un matériau semi-conducteur à large bande avec de bonnes propriétés électriques et thermiques, particulièrement adapté aux applications à haute fréquence,Applications pour appareils électroniques à haute puissanceLe dopage de type N est généralement réalisé par l'introduction d'éléments tels que l'azote (N) et le phosphore (P), ce qui rend le matériau électronégatif et adapté à une variété de conceptions de dispositifs électroniques.La bande passante est d'environ 3Le dopage de type N maintient toujours une grande mobilité électronique, ce qui améliore les performances du dispositif.Une excellente conductivité thermique permet d'améliorer la capacité de dissipation de la chaleur des appareils électriquesIl a une bonne résistance mécanique et est adapté à une utilisation dans des environnements difficiles. Il a une bonne résistance à une large gamme de produits chimiques et est adapté pour des applications industrielles.il est utilisé dans les convertisseurs de puissance et les entraînements à haut rendement, adapté aux véhicules électriques et aux systèmes d'énergie renouvelable.

Caractéristiques:

· large bande passante: bande passante d'environ 3,0 eV pour les applications à haute température et haute tension.

· Mobilité électronique élevée: le dopage de type N assure une bonne mobilité électronique et améliore les performances globales du dispositif.

· Excellente conductivité thermique: elle a une excellente conductivité thermique et améliore efficacement les performances de dissipation thermique, adaptée aux applications à haute puissance.

· Bonne résistance mécanique: il a une grande ténacité et résistance à la compression et convient à une utilisation dans des environnements difficiles.

· Résistance aux produits chimiques: bonne résistance à une large gamme de produits chimiques, améliorant la stabilité du matériau.

· Caractéristiques électriques réglables: en ajustant la concentration de dopage, différentes propriétés électriques peuvent être obtenues pour répondre aux besoins d'une variété d'applications.

Paramètres techniques:

Substrate au carbure de silicium 4' Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production 4

Applications:

1- électronique de puissance: pour les convertisseurs de puissance, les onduleurs et les entraînements à haut rendement, largement utilisés dans les véhicules électriques et les systèmes d'énergie renouvelable.

2- équipement RF et micro-ondes: amplificateurs RF, équipement micro-ondes, particulièrement adaptés aux systèmes de communication et de radar.

3. Optoélectronique: Il peut être utilisé comme bloc de construction pour les LED et les détecteurs de lumière, en particulier dans les applications bleues et ultraviolettes.

4Sensors: Appliqués à un large éventail de capteurs dans des environnements à haute température et à haute puissance, offrant des performances fiables.

5Chargement sans fil et gestion de la batterie: utilisé dans les systèmes de charge sans fil et les dispositifs de gestion de la batterie pour améliorer l'efficacité et les performances.

6Équipement électrique industriel: utilisé dans les systèmes d'automatisation et de contrôle industriels pour améliorer l'efficacité énergétique et la stabilité du système.

Personnalisation:

Notre substrat SiC est disponible dans le type 3C-N et est certifié RoHS. La quantité minimale de commande est de 10pc et le prix est par cas. Les détails d'emballage sont des boîtes en plastique personnalisées.Le délai de livraison est de 30 jours et nous acceptons les conditions de paiement T/TNotre capacité d'approvisionnement est de 1000 pièces par mois. La taille du substrat SiC est de 2 pouces. Le lieu d'origine est la Chine.

Nos services:

1- Fabrication directe et vente.

2Des citations rapides et précises.

3Nous vous répondrons dans les 24 heures ouvrables.

4. ODM: la conception sur mesure est disponible.

5Rapide et précieux.

FAQ:

Q: Puis-je personnaliser les produits en fonction de mes besoins?
R: Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications et la forme, la taille selon vos besoins.

Q: Quel est le mode d'expédition et le coût?
R: Nous acceptons DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si vous avez votre propre compte express, c'est génial. Sinon, nous pourrions vous aider à les expédier.
Le fret est conforme au règlement effectif.

Tags:

12 pouces de diamètre 300 mm SIC Substrate épitaxial Wafer poli Silicium Carbide Ingot Prime Grade 4H-N Type conducteur solaire photovoltaïque

Obtenez le meilleur prix

2 pouces, 4 pouces, 6 pouces, 8 pouces, 12 pouces, plaquettes de carbure de silicium, SiC 4H-N, de qualité factice, Rrime, de haute dureté, matériaux semi-conducteurs.

Obtenez le meilleur prix

2 pouces/4 pouces/6 pouces/5,05,0 mm/10,010,0 mm Sic Substrate au carbure de silicium Type 3C-N Sur l'axe: < 111 > ± 0,5° Grade de production Grade factice

Obtenez le meilleur prix

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de phosphure d'indium

Pièces de saphir

verre de couverture de saphir

Pierre gemme synthétique

Équipement de semi-conducteur

Gaufrette LiNbO3

Gaufrette de GaAs

Saphir synthétique Rod

Gaufrette de silicium d'IC

Plat de quartz fondu

substrat en céramique

Emballage de laboratoire

Substrate au carbure de silicium 4' Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production

Substrate de carbure de silicium de 4'

Substrate de carbure de silicium de type conducteur

Substrate de carbure de silicium 3C-N

Description du produit:

Substrate de carbure de silicium 4" Sic 3C-N Diamètre 100 mm Conducteur de type zéro MPD de qualité de production

Caractéristiques:

Paramètres techniques:

Applications:

Personnalisation:

Nos services:

1- Fabrication directe et vente.

2Des citations rapides et précises.

3Nous vous répondrons dans les 24 heures ouvrables.

4. ODM: la conception sur mesure est disponible.

5Rapide et précieux.

FAQ:

Q: Puis-je personnaliser les produits en fonction de mes besoins?R: Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications et la forme, la taille selon vos besoins.

Q: Quel est le mode d'expédition et le coût?R: Nous acceptons DHL, Fedex, EMS, etc.(2) Si vous avez votre propre compte express, c'est génial. Sinon, nous pourrions vous aider à les expédier.Le fret est conforme au règlement effectif.

sic gaufrette,

sic substrat,

Gaufrette de nitrure de gallium

Gaufrette de saphir

Sic substrat

Saphir Windows optique

Gaufrette de phosphure d'indium

Pièces de saphir

verre de couverture de saphir

Q: Puis-je personnaliser les produits en fonction de mes besoins?
R: Oui, nous pouvons personnaliser le matériau, les spécifications et la forme, la taille selon vos besoins.

Q: Quel est le mode d'expédition et le coût?
R: Nous acceptons DHL, Fedex, EMS, etc.
(2) Si vous avez votre propre compte express, c'est génial. Sinon, nous pourrions vous aider à les expédier.
Le fret est conforme au règlement effectif.