Les grains de graines de cristal SiC Dia 205 203 208 Croissance de la PVT/HTCVD au niveau de la production

Les grains de graines de cristal SiC Dia 205 203 208 Croissance de la PVT/HTCVD au niveau de la production

Les plaquettes de cristal de graines de carbure de silicium (SiC) sont les matériaux de base pour la croissance et la fabrication de dispositifs monocristallins de SiC, produites par découpe, broyage,et polissage de cristaux de SiC de haute puretéCes plaquettes présentent une conductivité thermique extrêmement élevée (4,9 W/cm·K), une résistance exceptionnelle au champ de décomposition (2,4 MV/cm), une large bande passante (3,2 eV) et une inerté chimique.les rendant essentiels pour les applications dans des environnements extrêmes tels que l'aérospatialeIls servent de "semence" pour la croissance des cristaux, leur orientation cristallographique (p. ex., polytypes 4H-SiC), leur planéité de surface, leuret la densité des micropipes ont une influence directe sur la qualité des lingots en aval et les performances du dispositif. ZMSH fournit des plaquettes de cristal de graines de SiC de 2 ′′ 12 pouces avec des diamètres de 153 mm, 155 mm, 203 mm, 205 mm et 208 mm, pour les secteurs des semi-conducteurs, des énergies renouvelables et de l'industrie.

Principales caractéristiques de la galette de graines de SiC

1Supériorité physique et chimique.
- Extrême durabilité : Les plaquettes de cristaux de graines de SiC résistent à des températures supérieures à 1700°C et à l'exposition aux rayonnements, idéales pour les applications aérospatiales et nucléaires.
- Performance électrique: La vitesse de saturation électronique élevée (2,7 × 107 cm/s) permet des appareils à haute fréquence (par exemple, les amplificateurs RF 5G).
- Contrôle des défauts: la densité des micropipes < 1 cm­2 et les défauts de polytypes minimaux assurent une croissance uniforme des lingots.

2. procédés de fabrication avancés
- Croissance cristalline:Les plaquettes de cristaux de graines de SiC utilisent le transport physique de vapeur (PVT) ou la déposition chimique à haute température de vapeur (HTCVD) pour contrôler avec précision les gradients de température et le transport des précurseurs.
- Techniques de traitement: Les plaquettes de cristaux de graines de SiC utilisent la scie à fil multiples, le broyage au diamant et la découpe laser furtive pour obtenir une rugosité de surface ≤ Rz 0,1 μm et une précision dimensionnelle ± 0,1 mm.

3. Spécifications flexibles
- Diversité de taille : Les plaquettes de cristaux de graines de SiC prennent en charge des plaquettes de 2 ′′ 12 ′′ (153 ′′ 208 mm de diamètre), adaptables aux appareils d'alimentation, aux modules RF et aux applications de capteurs.

Spécifications techniques des plaquettes de graines de SiC

Principales applications deWafer de graines de SiC

1L'industrie des semi-conducteurs

· Dispositifs de puissance: activer les MOSFET et les diodes SiC pour les onduleurs de véhicules électriques, améliorer l'efficacité de 10 à 15% et réduire le volume de 50%.
· Dispositifs RF: Les plaquettes de cristaux de graines de SiC sont à la base des stations de base 5G PA et LNA pour la communication à ondes millimétriques.

2, énergies renouvelables et industrie

· Solaire/stockage: essentiel pour les onduleurs photovoltaïques à haut rendement, réduisant les pertes de conversion d'énergie.
· Moteurs industriels: la tolérance à haute température réduit les besoins de refroidissement des moteurs à haute puissance.

3, Technologies émergentes

· Aérospatiale: la résistance aux rayonnements assure la fiabilité de l'électronique spatiale.
· L'informatique quantique: les plaquettes de haute pureté prennent en charge les bits quantiques semi-conducteurs à basse température.

Produits connexes

L'avantage concurrentiel de ZMSH dans les gaufres en cristal de graines de SiC

1. Capacités techniques intégrées
Maîtrise de la croissance: Domine les procédés PVT et HTCVD, réalisant une production de petits lots de plaquettes de 8 pouces avec un rendement de pointe.
Personnalisation: offre une flexibilité du diamètre (153 ∼ 208 mm) et un traitement spécialisé (ex. tranchées, revêtements).

2Carte de route stratégique
Innovation technologique : Développement de l'épitaxie en phase liquide (LPE) pour réduire les défauts et accélérer la production de masse de plaquettes de 12 pouces (réduction des coûts de 30% d'ici 2025).
Élargissement du marché: Collaboration avec les secteurs des véhicules électriques et des énergies renouvelables, intégration d'hétérostructures GaN-sur-SiC pour les systèmes de nouvelle génération.

Métode PVT/HTCVD pour le four de croissance de cristaux de SiC:

Le four de croissance des cristaux de SiC PVT/HTCVD de ZMSH: