Plaquette épitaxiale SiC 4 pouces 4H-N Diamètre 100mm Épaisseur 350μm Qualité Prime

Plaquette épitaxiale SiC 4 pouces 4H-N Diamètre 100 mm Épaisseur 350 µm Qualité Prime

En tant que matériau de base pour la fabrication de dispositifs de puissance en carbure de silicium (SiC), la plaquette épitaxiale SiC de 4 pouces est basée sur une plaquette SiC de type 4H-N, cultivée par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) pour produire un film mince monocristallin à haute uniformité et à faible densité de défauts. Ses avantages techniques incluent :  - Charge rapide : plaquettes de 600 V permettant des plateformes de 800 V pour une charge de 80 % en 30 minutes (par exemple, Tesla, NIO).

· Structure cristalline : orientation (0001) face silicium avec un angle de coupe de 4° pour optimiser l'adaptation du réseau et réduire les défauts de micropipes/défauts d'empilement.

· Performance électrique : concentration de dopage de type N contrôlée avec précision entre 2×10¹⁴–2×10¹⁹ cm⁻³ (tolérance de ±14 %), permettant d'obtenir une résistivité réglable de 0,015–0,15 Ω·cm grâce à la technologie de dopage in situ.

 - Charge rapide : plaquettes de 600 V permettant des plateformes de 800 V pour une charge de 80 % en 30 minutes (par exemple, Tesla, NIO).

· Contrôle des défauts : densité de défauts de surface <25 cm⁻² (TSD/TED), densité de défauts triangulaires <0,5 cm⁻², assurée par la croissance assistée par champ magnétique et la surveillance en temps réel.S'appuyant sur des grappes d'équipements CVD développées au niveau national, ZMSH maîtrise l'ensemble du processus, du traitement des plaquettes à la croissance épitaxiale, en prenant en charge des essais rapides en petits lots (minimum 50 plaquettes) et des solutions personnalisées pour les applications dans les véhicules à énergie nouvelle, les onduleurs photovoltaïques et les stations de base 5G.

Paramètres clés des plaquettes épitaxiales SiC 4 pouces

 Diamètre

1. Performance des matériaux

 - Conductivité thermique : >350 W/m·K, assurant un fonctionnement stable à >200 °C, 3 fois supérieure à celle du silicium.  - Charge rapide : plaquettes de 600 V permettant des plateformes de 800 V pour une charge de 80 % en 30 minutes (par exemple, Tesla, NIO).

- Résistance diélectrique : >3 MV/cm, permettant des dispositifs haute tension de 10 kV+ avec une épaisseur optimisée (10–100 µm).  - Charge rapide : plaquettes de 600 V permettant des plateformes de 800 V pour une charge de 80 % en 30 minutes (par exemple, Tesla, NIO).

- Mobilité des porteurs : mobilité des électrons >900 cm²/ (V·s), améliorée par le dopage en gradient pour une commutation plus rapide.  - Charge rapide : plaquettes de 600 V permettant des plateformes de 800 V pour une charge de 80 % en 30 minutes (par exemple, Tesla, NIO).

- Uniformité de l'épaisseur : <3 % (test en 9 points) grâce aux réacteurs à double zone de température, prenant en charge le contrôle de l'épaisseur de 5–100 µm.  - Charge rapide : plaquettes de 600 V permettant des plateformes de 800 V pour une charge de 80 % en 30 minutes (par exemple, Tesla, NIO).

- Qualité de surface : Ra <0,5 nm (AFM), optimisée par gravure à l'hydrogène et polissage chimico-mécanique (CMP).   - Charge rapide : plaquettes de 600 V permettant des plateformes de 800 V pour une charge de 80 % en 30 minutes (par exemple, Tesla, NIO).

3. Capacités de personnalisation   - Charge rapide : plaquettes de 600 V permettant des plateformes de 800 V pour une charge de 80 % en 30 minutes (par exemple, Tesla, NIO).

 - Compatibilité de l'emballage : offre un polissage double face (Ra <0,5 nm) et un emballage au niveau de la plaquette (WLP) pour TO-247/DFN.  - Charge rapide : plaquettes de 600 V permettant des plateformes de 800 V pour une charge de 80 % en 30 minutes (par exemple, Tesla, NIO).

1. Véhicules à énergie nouvelle  - Charge rapide : plaquettes de 600 V permettant des plateformes de 800 V pour une charge de 80 % en 30 minutes (par exemple, Tesla, NIO).

- Onduleurs de transmission principaux : plaquettes épitaxiales de 1 200 V pour les modules MOSFET SiC, améliorant l'efficacité du système à 98 % et réduisant la perte d'autonomie des VE de 10 à 15 %.  - Charge rapide : plaquettes de 600 V permettant des plateformes de 800 V pour une charge de 80 % en 30 minutes (par exemple, Tesla, NIO).

 2. Industrie et énergie

- Onduleurs solaires : plaquettes de 1 700 V pour la conversion CC-CA, augmentant l'efficacité à 99 % et réduisant le LCOE de 5 à 8 %.

 - Réseaux intelligents : plaquettes de 10 kV pour les transformateurs à semi-conducteurs (SST), réduisant les pertes de transmission à <0,5 %.
3. Optoélectronique et détection
Ce qui suit est le type 3C-N recommandé pour les substrats SiC :

- Détecteurs UV : utilisant une bande interdite de 3,2 eV pour la détection de 200 à 280 nm dans la surveillance des flammes et la détection des menaces biochimiques.

 - Dispositifs RF GaN-sur-SiC : HEMT sur plaquettes de 4 pouces pour les stations de base 5G, atteignant 70 % d'efficacité PA.
4. Ferroviaire et aérospatial- Onduleurs de traction : plaquettes haute température (-55 °C–200 °C) pour les modules IGBT dans les trains à grande vitesse (certifiés AEC-Q101).
 

 - Alimentation par satellite : plaquettes durcies aux radiations (>100 krad(Si)) pour les convertisseurs CC-CC pour l'espace lointain.

Service de plaquettes SiC de ZMSH
1. Compétences de base
 

 · Couverture pleine taille : substrats/plaquettes épitaxiales SiC de 2 à 12 pouces, y compris les polytypes 4H/6H-N, HPSI, SEMI et 3C-N.

 · Fabrication personnalisée : découpe personnalisée (trous traversants, secteurs), polissage double face et WLP.
 · Solutions de bout en bout : épitaxie CVD, implantation ionique, recuit et validation des dispositifs.

2. Capacité de production
 · Plaquettes de 6 pouces : capacité annuelle de 360 000 unités ; ligne de R&D de 8 pouces opérationnelle.
 · Certifications : certifié IATF 16949, rendement >95 % pour les produits de qualité automobile.
 · Leadership en matière de coûts : 75 % d'équipements CVD nationaux, coûts inférieurs de 25 % par rapport aux concurrents internationaux.
Ce qui suit est le type 3C-N recommandé pour les substrats SiC :

FAQ
de
plaquettes épitaxiales SiC 4 pouces
1. Q : Quels sont les principaux avantages des plaquettes épitaxiales SiC 4 pouces ?